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[发明专利]一种TI-IGBT芯片背面结构的加工方法-CN201410274412.4有效
发明人：张文亮;朱阳军;高君宇 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2014-06-18 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种TI-IGBT芯片背面结构的加工方法，属于微电子技术领域。该方法包括：圆片正面结构加工完后，在所述圆片的背面注入P型掺杂；对所述圆片的背面涂光刻胶，然后根据背面掩膜板对圆片的背面光刻胶划分不同区域依次进行曝光。掩膜板图形包含有多个图形单元，图形单元平移对称地排列；控制曝光区域间的相对位置，使整个圆片的曝光图形基于图形单元连续并平移对称；显影后对所述圆片的背面注入N型掺杂，然后将背面光刻胶去除，最终退火激活掺杂后进行背面金属化。本发明可以使不同电压及电流等级的TI-IGBT产品共用同一块背面掩膜板，节省了大量的制版成本，提高生产率。
一种 ti igbt 芯片背面结构加工方法

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法-CN201310058786.8在审
发明人：褚为利;朱阳军;田晓丽;卢烁今;胡爱斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-02-25 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，所述绝缘栅双极型晶体管包括：集电区；位于所述集电区表面上的超结漂移区；位于所述超结漂移区表面上的有源区以及第一终端结构，所述第一终端结构包围所述有源区；包围所述超结漂移区以及第一终端结构的第二终端结构，所述第二终端结构的宽度在第一方向上递增，所述第一方向由所述集电区指向所述有源区；其中，所述第二终端结构的底部与所述集电区接触，其顶部与所述有源区的顶部齐平。本申请所述绝缘栅双极型晶体管设置有第二终端结构，该第二终端结构作为绝缘栅双极型晶体管的反向耐压终端结构，能有效提高绝缘栅双极型晶体管承受反向耐压的能力。
一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

[发明专利]一种功率半导体器件及其形成方法-CN201310025255.9在审
发明人： 朱阳军;胡爱斌;喻巧群;卢烁今 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-01-23 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件及其形成方法，属于半导体器件技术领域。本发明所提供的上述功率半导体器件中，所述集电极层为锗层或硅锗层。相较于硅层而言，在相同的掺杂浓度下，所述锗层或硅锗层中具有更大的载流子迁移率、更低的接触势垒以及更低的载流子寿命，从而降低了本发明所公开的功率半导体器件的导通压降和关断时间，且不提高所述功率半导体器件的制作成本，即在不提高制作成本的前提下，解决了现有技术中功率半导体器件导通压降大，关断时间长的问题。
一种功率半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种增强微穿通型IGBT-CN201210540053.3在审
发明人： 朱阳军;张文亮;张杰;田晓丽;卢烁今;胡爱斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种在微穿通型IGBT的基础上改进，实现导通功率损耗进一步降低的增强微穿通型IGBT，属于半导体器件技术领域。该IGBT包括栅极、栅氧、P^-基区、源区、第二导电类型P⁺区、漂移区、集电极，漂移区和集电极之间加入有第一导电类型n区，形成微穿通区，微穿通区的掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度；P^-基区和漂移区之间加入有第一导电类型n区，形成载流子减速层，载流子减速层的掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度。该增强微穿通型IGBT更进一步降低了器件导通功率损耗。
一种增强微穿通型 igbt

[发明专利]逆导型IGBT的制备方法-CN201210526292.3在审
发明人：张文亮;田晓丽;朱阳军;吴振兴 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种逆导型IGBT的制备方法，包括：在衬底上表面制备薄膜层；在制备薄膜层的衬底上表面外延第一导电类型的漂移区；在所述第一导电类型的漂移区上制备芯片的正面结构；将制备正面结构的芯片的背面减薄后金属化形成集电极金属电极。本发明提供的一种逆导型IGBT的制备方法，采用正面光刻代替背面光刻，先在衬底正面制作出掺杂图形，然后外延出缓冲层及漂移区后进行正面工艺，最后通过背面减薄将衬底大部分或全部去掉，这样在硅片的背面形成第一导电类型区域与第二导电类型区域相间的分布，以满足逆导的功能。
逆导型 igbt 制备方法

[发明专利]一种测量双极性器件峰值结温分布的方法-CN201210525358.7在审
发明人： 朱阳军;董少华;王任卿;陆江 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： G01K7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量双极性器件峰值结温分布的方法，属于双极性器件的技术领域。该方法包括采集双极性器件的多阶梯恒流脉冲所对应的温敏参数，获得双极性器件的电流-温敏参数-温度三维曲线簇；选定基准电流，得到基准电流的序列；根据电流-温敏参数-温度三维曲线簇和基准电流的序列，得到电流-有效面积-温敏参数-温度曲线簇；通过多阶梯恒流脉冲多次测试双极性器件，得到零时刻温敏参数；根据零时刻温敏参数和电流-有效面积-温敏参数-温度曲线簇，得到不同有效面积所对应的结温。本发明通过测量器件有源区的相关参数，可以提供更准确可靠的信息，与实际的温度分布和峰值结温符合的较好。
一种测量极性器件峰值分布方法

[发明专利]一种沟槽型IGBT及其制造方法-CN201210540052.9在审
发明人：张文亮;朱阳军;陆江;赵佳;左小珍 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型IGBT及其制造方法，属于半导体器件技术领域。该沟槽型IGBT包括发射极、栅氧、P^-基区、N^-漂移区，栅氧镶嵌于沟槽中，发射极呈L型，L型发射极的一条边形成于沟槽的侧壁，L型发射极的另一条边水平覆盖于P^-基区上，相邻的两个沟槽之间相邻的两个L型发射极之间形成接触孔。该沟槽型IGBT发射极为L型，闩锁电流密度提高，元胞密度增加，设计时的自由度提升。本发明还公开了基于该沟槽型IGBT的制造方法，该方法包括向P^-基区顶部位于沟槽之外的区域分别大角度左、右注入N型杂质，形成N型杂质层；对N型杂质层进行掩膜光刻，同时形成L型发射极和接触孔。该方法工艺简单、成本低。
一种沟槽 igbt 及其制造方法

[发明专利]一种隧穿型逆导IGBT及其制造方法-CN201210540050.X在审
发明人：张文亮;朱阳军;田晓丽;卢烁今;褚为利 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种隧穿型逆导IGBT及其制作方法，属于半导体器件技术领域。该隧穿型逆导IGBT包括P⁺区、P^-基区、N^-漂移区、N⁺缓冲层、P⁺集电极，其特征在于，在P⁺集电极和N⁺缓冲层内引入N⁺⁺区，在P⁺集电极内于N⁺⁺区底部引入P⁺⁺区，P⁺⁺区与N⁺⁺区底部接触，使得P⁺区、P^-基区、N^-漂移区、N⁺缓冲层和N⁺⁺区构成逆导通道，N⁺⁺区和P⁺⁺区形成隧道结，隧道结的掺杂浓度为10¹⁹/cm³～10²⁰/cm³。该隧穿型逆导IGBT芯片面积小、成本低，可靠性高；开关功率损耗少；无回跳。
一种隧穿型逆导 igbt 及其制造方法

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法-CN201210526416.8无效
发明人：吴振兴;朱阳军;谈景飞;胡爱斌;喻巧群;陈宏;赵佳;陆江;田晓丽 -专利权人：上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成正面结构和背面结构，所述正面结构包括栅极结构；在栅极结构以外的区域形成均匀分布的杂质缺陷。本发明所述技术方案仅在IGBT的栅极结构以外的区域形成分布均匀的杂质缺陷，一方面，避免了由于栅极结构存在杂质缺陷导致IGBT的阈值降低，从而避免了IGBT易受外界信号干扰的问题；另一方面，避免了由于栅极结构存在杂质缺陷导致的IGBT的漏电流增大，从而避免了由于漏电流增大导致的器件易烧坏、寿命短的问题。
一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

[发明专利]一种IGBT及其制作方法-CN201210530076.6无效
发明人：谈景飞;朱阳军;胡爱斌;张文亮;王波 -专利权人：上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT及其制作方法，所述IGBT包括：位于所述半导体衬底上表面的栅极结构；位于所述半导体衬底上表面内的阱区、源区和浅阱区，其中，所述阱区内设置有源区，所述阱区、源区以及浅阱区的上表面与所述半导体衬底的上表面齐平，所述阱区和所述浅阱区不接触且掺杂类型相同；位于所述阱区、浅阱区和源区表面上的源极；位于所述半导体下表面的背面结构，所述背面结构包括集电区。所述IGBT工作时，一部分空穴电流可以经过集电区-漂移区-阱区，流入源极，一部分空穴电流可以经过集电区-漂移区-浅阱区，流入源极。可见，所述浅阱区为IGBT提供了一个额外的电流通道对空穴电流进行分流，进而提高了IGBT的闩锁电流，增加IGBT抗闩锁能力。
一种 igbt 及其制作方法

[发明专利]一种绝缘栅双级晶体管-CN201210526368.2无效
发明人：左小珍;张杰;褚为利;赵佳;田晓丽;吴振兴;卢烁今;朱阳军 -专利权人：上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括：元胞区，包围所述元胞区的终端区；位于所述元胞区的多个IGBT元胞；位于所述终端区的终端结构，所述终端结构包括：多个场限环，所述多个场限环间隔分布；其中，所述场限环包括：水平部，竖直部，连接所述水平部与竖直部的弧形连接部；所述弧形连接部包括：弧形内边和弧形外边；所有弧形内边以及弧形外边的曲率中心不完全相同。本申请实施例所述IGBT通过设计场限环的结构，进而分散半导体衬底同一个顶角区域电场线的分布，避免了由于电场线过于集中同一导致顶角区域PN结的击穿，提高了IGBT的耐压能力。
一种绝缘栅双级晶体管

[实用新型]绝缘栅双极晶体管过流保护电路-CN201320865468.8有效
发明人：马健;朱阳军;胡少伟;卢烁今 -专利权人：上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-12-25 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及保护电路技术领域，特别涉及一种绝缘栅双极晶体管过流保护电路，包括电流互感电路、放大电路、半波整流电路、迟滞比较电路及钳位电路。电流互感电路与绝缘栅双极晶体管连接；放大电路与电流互感电路连接；半波整流电路与放大电路连接；迟滞比较电路与半波整流电路连接；钳位电路分别与迟滞比较电路及绝缘栅双极晶体管元件连接。本实用新型提供的绝缘栅双极晶体管过流保护电路，采用电流互感电路、放大电路、半波整流电路、迟滞比较电路及钳位电路五个小型电路组成，结构简单，能够在没有控制器参与保护的情况下实现对绝缘栅双极晶体管的过流保护，成本较低，便于在工业上广泛应用。
绝缘双极晶体管保护电路

[发明专利]一种测量MOSFET器件峰值结温分布的方法-CN201210524530.7在审
发明人： 朱阳军;陆江;董少华;田晓丽;王任卿 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量MOSFET器件峰值结温分布的方法，属于MOSFET器件的技术领域。该方法包括在恒温装置里采集MOSFET器件的多阶梯恒流脉冲所对应的温敏参数，获得MOSFET器件的电流-温敏参数-温度三维曲线簇；选定基准电流，得到基准电流的序列；根据电流-温敏参数-温度三维曲线簇和基准电流的序列，得到电流-有效面积-温敏参数-温度曲线簇；通过多阶梯恒流重复脉冲测试MOSFET器件，得到零时刻温敏参数；根据零时刻温敏参数和电流-有效面积-温敏参数-温度曲线簇，得到不同有效面积所对应的结温。本发明通过测量器件有源区的相关参数，可以提供更准确可靠的信息，与实际的温度分布和峰值结温符合的较好。
一种测量 mosfet 器件峰值分布方法

[发明专利]一种逆导型IGBT器件及其形成方法-CN201210500942.7有效
发明人：张文亮;朱阳军;田晓丽;胡爱斌;卢烁今 -专利权人：上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种逆导型IGBT器件，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底下表面内的集电极，所述集电极包括并列设置的集电区和短路区；形成于所述集电极表面的铝金属层，所述铝金属层至少覆盖所述集电区；形成于所述铝金属层表面的钛金属层，所述钛金属层完全覆盖所述集电区和短路区，从而使得所述集电区与其表面的金属层之间形成良好的欧姆接触，且所述短路区与其表面的金属层之间形成良好的欧姆接触，进而降低所述集电极与其表面金属层的接触电阻，提高所述逆导型IGBT器件的性能。
一种逆导型 igbt 器件及其形成方法

[发明专利]一种逆导型IGBT器件-CN201210501722.6有效
发明人：张文亮;朱阳军;田晓丽;卢烁今;胡爱斌 -专利权人：上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种逆导型IGBT器件，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底内的缓冲层；形成于所述缓冲层内的绝缘结构；形成于所述缓冲层表面的集电极结构，所述集电极结构包括集电区和短路区；其中，所述集电区和短路区的掺杂类型不同，且分别位于所述绝缘结构两侧，从而使得所述绝缘结构将所述集电区与所述短路区的电势在一定程度上进行隔离，进而使得所述逆导型RC-IGBT器件以更小的电流进入传统IGBT模式，解决了现有技术中RC-IGBT器件工作时的电流回跳现象。
一种逆导型 igbt 器件