“朱阳军”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果248个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种在IGBT或者VDMOS上形成的沟槽-CN201220688948.7有效
发明人：张文亮;赵佳;朱阳军;田晓丽 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种在沟槽型IGBT或者沟槽型VDMOS上形成的沟槽，属于半导体器件技术领域。该沟槽的侧面为100面。该沟槽由于侧面为100面，并且100面氧化层生长速率较低，其表面更光滑，所以100面的表面迁移率较高，即如果沟槽的侧面为100面，Im/Is的比例较大，起调制作用的电子较多，器件的导通电阻较小，器件导通压降较低，进而，器件导通功率损耗较少。
一种 igbt 或者 vdmos 形成沟槽

[实用新型]一种适用于dummy-trench功率器件的版图-CN201220702762.2有效
发明人：褚为利;朱阳军;胡爱斌;赵佳;喻巧群;田晓丽 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型涉及版图技术领域，公开了一种适用于dummy-trench功率器件的版图包括：dummy栅极结构刻蚀窗口、trench栅极结构刻蚀窗口、源极金属刻蚀窗口、dummy栅极金属刻蚀窗口、trench栅极金属刻蚀窗口、源极金属接线板刻蚀窗口、dummy栅极接线板刻蚀窗口及trench栅极接线板刻蚀窗口。本实用新型在保证器件短路耐量特性和耐压特性的基础上，通过降低器件在开关过程中的浪涌电压，降低了器件的开关损害，从而提高了器件工作的安全性。本实用新型结构简单、效果显著、实用性强。
一种适用于 dummy trench 功率器件版图

[发明专利]FS型IGBT器件的背面结构-CN201310072619.9无效
发明人：吴凯;朱阳军;卢烁今;陈宏 -专利权人：江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-03-06 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种FS型IGBT器件的背面结构，在漂移区的下表面连接有缓冲层，在缓冲层的下表面连接有集电极层；所述缓冲层具有相互间隔的第一缓冲区和第二缓冲区，第一缓冲区的掺杂浓度小于第二缓冲区的掺杂浓度；所述集电极层具有相互间隔的第一集电极区和第二集电极区，第一集电极区的参杂掺杂小于第二集电极区的掺杂浓度；每个第一缓冲区的正下方对应设置所述的第一集电极区，每个第二缓冲区的正下方对应设置所述的第二集电极区；第一缓冲区和第二缓冲区的排列延伸方向以及第一集电极区和第二集电极区的排列延伸方向均与条形Trench多晶硅栅延伸方向相平行。本发明保证了器件的高耐压性能，本发明优化了IGBT关断损耗和导通压降的折中关系，本发明有效降低了背面接触电阻。
fs igbt 器件背面结构

[实用新型]一种IGBT版图-CN201220586619.1有效
发明人：喻巧群;张杰;朱阳军;左小珍 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种IGBT版图，包括有源区、终端区、栅极压焊点、源极压焊点和至少一条gate finger，其中，所述终端区位于所述有源区的外围，所述栅极压焊点、所述源极压焊点和所述gate finger位于所述有源区的内部，该IGBT版图还包括gate bus，所述gate bus位于所述有源区的至少两条边的外侧且位于所述有源区与所述终端区之间，其中的两条边处于相对的位置；其中，所述gate finger连接所述栅极压焊点和所述gate bus。本实用新型通过gate finger和gate bus将栅压传导到各个元胞处，能够确保处于不同位置的元胞充分开启，使得电流分布均匀。
一种 igbt 版图

[实用新型]一种半导体器件-CN201220497900.8有效
发明人：褚为利;朱阳军;吴振兴;卢烁今;田晓丽 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-09-26 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型的实施例公开了一种半导体器件，包括：基底，该基底包括本体层；位于本体层表面内的主结和场限环，主结的深度大于场限环的深度。本实用新型实施例提供的半导体器件通过在不同的光刻步骤下，先后形成主结和场限环，并使主结结深大于场限环结深，从而降低了主结处的峰值电场，同时使主结对氧化层中各类电荷的敏感度下降，最终提高了器件的耐压性。
一种半导体器件

[实用新型]一种沟槽型IGBT版图结构-CN201220674679.9有效
发明人：左小珍;朱阳军;赵佳;田晓丽 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种沟槽型IGBT版图结构，属于半导体功率器件的技术领域。该结构包括有源区内的任意相邻两个元胞区域内的元胞排列均互相垂直，所述元胞的栅极通过多晶硅连接。本实用新型由于四个不同区域内元胞的排列方向不同，即相邻两个区域内的元胞排列方式是垂直的，因此在流片过程中产生应力的方向也是垂直的。在多个重复单元排列的情况下便可减少单一方向应力的集中，从而减轻圆片翘曲的可能。
一种沟槽 igbt 版图结构

[实用新型]一种IGBT功率模块测试夹具-CN201220672107.7有效
发明人：成星;陆江;朱阳军;佘超群;高振鹏 -专利权人：江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种IGBT功率模块测试夹具,包括底座和盖板，所述盖板一端与底座的一边连接,所述底座表面设置有与IGBT功率模块的三个引脚位置对应的三个弹簧引脚，所述底座的侧壁设置有转换接口。本实用新型提供的一种IGBT功率模块测试夹具可有效减小因为手动操作带来的误差影响，使测试稳定性大幅度提升，可以保证测试探针与被测IGBT功率模块端子接触的稳定性，使测试的可靠性与安全性得到大幅度提高。
一种 igbt 功率模块测试夹具

[发明专利]IGBT背面结构及制备方法-CN201310064612.2有效
发明人：吴凯;朱阳军;卢烁今;陈宏 -专利权人：江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种IGBT背面结构，包括间隔分布的P+集电区、背面金属电极、SiO2保护层；所述SiO2保护层设置于N型基区的背面，SiO2保护层上间隔设置接触孔，所述间隔分布的P+集电区对应接触孔处被刻蚀形成凹陷坑，并且间隔分布的P+集电区的剩余厚度小于电子在其中的扩散长度；背面金属电极的金属完全填充间隔分布的P+集电区的凹陷坑，与间隔分布的P+集电区紧密接触。本发明还提供了上述IGBT背面结构的制备方法。本发明用于改善IGBT器件的性能。
igbt 背面结构制备方法

[实用新型]塑封引线框架-CN201220641901.5有效
发明人：苏江;朱阳军;卢烁今;徐承福 -专利权人：江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型提供一种塑封引线框架，包括框架底板、内引线、外引线，还包括设置在框架底板上的金属立体护围；所述金属立体护围面向外引线的一边开口，其余三边依次连接，围绕防水槽设置。本实用新型在塑封过程中可以很好地将胶液限制在金属立体护围内，并能够在芯片表面形成一定厚度的胶体，从而能在注塑工艺中更好地保护芯片。本实用新型用作芯片的封装载体。
塑封引线框架

[发明专利]功率半导体器件的背面集电极结构-CN201310013013.8有效
发明人：陈宏;朱阳军;邱颖斌;徐承福;吴凯 -专利权人：江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率半导体器件的背面集电极结构，按照本发明提供的技术方案，所述功率半导体器件的背面集电极结构，在N导电类型硅衬底的背面设有P导电类型氮化镓层，在P导电类型氮化镓层的背面设有集电极。本发明在器件的背面制作异质结结构提高注入效率，可以改善器件的导通压降，异质结界面缺陷较多，可以形成复合中心减少载流子寿命，改善关断特性。
功率半导体器件背面集电极结构

[实用新型]一种用于62mm功率器件的结电容测试电路及装置-CN201220496677.5有效
发明人：成星;朱阳军;陆江;卢烁今;佘超群;高振鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-09-26 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于62mm功率器件的结电容测试电路，属于功率半导体器件结电容测试装置技术领域。该电路包括两个晶体管单元、电源连接点、低电压电流连接点、地电压连接点、电阻、短路电容、电感、第Ⅰ输入电容、第Ⅰ输出电容、第Ⅰ反馈电容、第Ⅱ输入电容、第Ⅱ输出电容、第Ⅱ反馈电容，该两个晶体管单元具有源极测试点、漏极测试点和栅极测试点。本实用新型还公开了基于该用于62mm功率器件的结电容测试电路的装置。该测试电路及装置能够适用于包括两个晶体管单元的62mm功率器件。
一种用于 62 mm 功率器件电容测试电路装置

[发明专利]功率半导体器件的集电极结构-CN201310012548.3无效
发明人：陈宏;朱阳军;邱颖斌;徐承福;吴凯 -专利权人：江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率半导体器件技术领域，尤其是一种功率半导体器件的集电极结构。按照本发明提供的技术方案，所述一种功率半导体器件的集电极结构，包括N型硅衬底层与集电极金属层，在N型硅衬底层与集电极金属层之间设有第一铟镓氮层。本发明中的异质结界面缺陷较多，可以形成复合中心减少载流子寿命，改善关断特性。
功率半导体器件集电极结构

[实用新型]检测电磁炉IGBT壳温的温控装置-CN201220589990.3有效
发明人：胡少伟;朱阳军;张杰;苏江;陈宏 -专利权人：江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-11-09 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： G05D23/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种检测电磁炉IGBT壳温的温控装置，所述检测电磁炉IGBT壳温的温控装置，它包括散热器、IGBT单管、螺杆、导热片和热敏电阻，在散热器上设有IGBT单管，在IGBT单管上安装有螺杆，在螺杆上安装有导热片，在导热片的另一端连接有热敏电阻。本实用新型简单实用，在提高检温精度和减小工艺和组装的复杂性的同时也不会增加产品成本。
检测电磁炉 igbt 温控装置

[发明专利]一种IGBT集电极结构及其制备方法-CN201310008968.4有效
发明人：陈宏;朱阳军;卢烁今;吴凯 -专利权人：江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-01-10 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提供一种IGBT的集电极结构，包括N-型基区，还包括在N-型基区的背面形成的N+型缓冲层和P+型集电极层，所述N+型缓冲层的表面包括阵列式的岛状凸起部以及岛状凸起部之间的凹下部；P+型集电极层位于N+型缓冲层的岛状凸起部以及岛状凸起部之间的凹下部的表层。所述N+型缓冲层的阵列式的岛状凸起部和岛状凸起部之间的凹下部的面积比例能够根据IGBT器件的需要而调节设定。本发明还提出一种所述IGBT集电极结构的制备方法。本发明用于改善场截止型IGBT的性能。
一种 igbt 集电极结构及其制备方法

[实用新型]一种用于130mm功率器件的结电容测试电路及装置-CN201220488636.1有效
发明人：高振鹏;朱阳军;陆江;胡爱斌;佘超群;成星 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种本用于130mm功率器件模块的结电容测试电路，属于功率半导体器件结电容测试装置技术领域。该电路包括三个晶体管单元、电源连接点、低电压电流连接点、地电压连接点、电阻、短路电容、电感、第Ⅰ输入电容、第Ⅰ输出电容、第Ⅰ反馈电容、第Ⅱ输入电容、第Ⅱ输出电容、第Ⅱ反馈电容，该三个晶体管单元具有源极测试点、漏极测试点和栅极测试点。本实用新型还公开了基于该用于130mm功率器件的结电容测试电路的装置。该测试电路及装置能够适用于包括3个晶体管单元、9个引脚的130mm功率器件。
一种用于 130 mm 功率器件电容测试电路装置