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- [实用新型]电流感测装置-CN201520770627.5有效
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王飞
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罗伯特·博世有限公司
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2015-09-30
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2016-03-09
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G01R19/00
- 根据本实用新型的一个实施例,所述电流感测装置包括:感测MOSFET;功率MOSFET;以及补偿MOSFET,其中,所述补偿MOSFET的漏极和所述功率MOSFET的漏极连接在一起,所述感测MOSFET的栅极和所述功率MOSFET的栅极连接在一起,并且所述补偿MOSFET被配置为对由所述感测MOSFET与所述功率MOSFET的单位指状分支宽度的不同而引起的漏极端寄生电阻差进行补偿,其中所述感测MOSFET、所述功率MOSFET以及所述补偿MOSFET都是LD-MOSFET器件。通过采用根据本实用新型的电流感测装置,能够通过对流过感测MOSFET的电流进行检测来精确地确定流过功率MOSFET的电流。
- 流感装置
- [发明专利]一种Mosfet状态监测装置-CN201710918508.3在审
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杨凯
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郑州云海信息技术有限公司
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2017-09-30
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2017-12-29
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H02M1/08
- 本发明公开一种Mosfet状态监测装置,包括Mosfet,以及接收控制芯片的控制信号,根据控制信号驱动Mosfet开通关断的Mosfet驱动电路;实时监测Mosfet栅极电压,并将监测信号传至控制芯片的Mosfet栅极电压监测电路;以及,控制芯片和监控后台;控制芯片的输出端分别与Mosfet驱动电路的输入端、监控后台的输入端连接;Mosfet驱动电路的输出端与Mosfet栅极连接;Mosfet栅极电压监测电路的输入端与Mosfet栅极连接,Mosfet栅极电压监测电路的输出端与控制芯片的输入端连接;控制芯片发送控制信号至Mosfet驱动电路,并接收和处理Mosfet栅极电压监测电路的监测信号,当该监测信号异常时,发送报警信号至监控后台本发明时时侦测Mosfet的栅极电压,在栅极电压异常时及时通知控制芯片,提前发现Mosfet异常。
- 一种mosfet状态监测装置
- [发明专利]一种调整同步整流时序的装置及方法-CN201410811355.9有效
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沈楠科
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中兴通讯股份有限公司
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2014-12-23
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2019-11-05
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H02M1/08
- 本发明提供一种调整同步整流时序的装置及方法,解决同步整流技术中的电源变换器不能便捷地兼容不同结电容和栅极导通电压的功率MOSFET及电源变换器的上下功率MOSFET同时导通而产生大量热耗的问题。本发明包括:电源变换器,电源变换器包括上功率MOSFET及下功率MOSFET;与上功率MOSFET及下功率MOSFET连接的处理器;处理器对上功率MOSFET及下功率MOSFET的栅极电压进行实时检测,标记出较先导通的功率MOSFET;在上功率MOSFET的栅极电压与下功率MOSFET的栅极电压同时满足导通条件使上功率MOSFET和下功率MOSFET同时导通时,将带有标记的功率MOSFET关断预设时间
- 一种调整同步整流时序装置方法
- [实用新型]一种新型组合式功率MOSFET器件-CN202221943053.3有效
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李健
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江苏东海半导体股份有限公司
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2022-07-26
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2023-01-20
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H01L23/16
- 本实用新型涉及MOSFET器件设备技术领域,公开了一种新型组合式功率MOSFET器件,包括MOSFET器件,MOSFET器件的侧面中心滑动安装有连接件,MOSFET器件的底端面均匀固定连接有栅极,MOSFET器件的侧面四角均固定连接有垫块,垫块的侧面中心贯穿开设有插接孔,MOSFET器件的顶面两端边缘对称开设有插接槽,MOSFET器件的侧面中心开设有螺纹孔,MOSFET器件的顶面滑动安装有横板,横板的两端底面对称固定连接有插接块本实用新型可以通过对MOSFET器件之间的连接,便于对MOSFET器件之间进行组合连接使用,而且便于对大量的MOSFET器件进行整齐存放,从而避免对MOSFET器件底端的栅极造成损坏,导致MOSFET器件报废
- 一种新型组合式功率mosfet器件
- [发明专利]一种降低MOSFET功率损耗的系统与方法-CN202111293828.7在审
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张东来;朱雪丽;高伟
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哈尔滨工业大学(深圳)
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2021-11-03
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2022-03-01
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H02M1/088
- 本发明提供了一种降低MOSFET功率损耗的系统,包括需要驱动的MOSFET、差分采样电路、电压比较器、实现“或门”的逻辑电路和MOSFET驱动电路,差分采样电路采集需要驱动的MOSFET的漏极、源极之间的电压信号,电压比较器判断电压信号的极性,得出MOSFET补偿驱动信号,将MOSFET补偿驱动信号和MOSFET原始驱动信号输入至实现“或门”的逻辑电路,得到MOSFET修正驱动信号,将MOSFET修正驱动信号输入至MOSFET驱动电路,通过MOSFET驱动电路驱动MOSFET。本发明还提供了一种降低MOSFET功率损耗的方法。本发明的有益效果是:本发明利用MOSFET沟道反向续流代替体寄生二极管续流,通过减小体寄生二极管导通时间的方式降低MOSFET的功率损耗,从而降低其结温,提高开关管及电路的可靠性。
- 一种降低mosfet功率损耗系统方法
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