“朱阳军”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果248个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种有源区金属与终端区形成电连接的版图-CN201320121934.1有效
发明人：褚为利;朱阳军;吴振兴;陆江 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种有源区金属与终端区形成电连接的版图，在版图中四条边中部位置或四个拐角位置，有源区的源极金属层和与主结和第一级场限环中间区域连接的金属形成电连接。本实用新型提供的一种实现有源区金属与终端区电连接的芯片版图设计方案，不仅可以完成一般版图设计中所要完成的任务，还能够提高芯片的有源区和终端区过渡区域位置的抗闩锁能力，增加该位置的可靠性，进一步提高了器件整体的可靠性。
一种有源金属终端形成连接版图

[实用新型]一种结电容测试装置-CN201220591686.2有效
发明人：佘超群;朱阳军;陆江;成星;高振鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-09 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种结电容测试装置，所述装置包括：测试板和固定夹具；所述测试板的测试面有五个金属突起，各个金属突起对应连接34毫米半桥连接功率器件的一个电极，并且各个金属突起对应连接的电极之间互不导通，所述五个金属突起的底部与结电容测试电路相连；所述固定夹具用于将所述34毫米半桥连接功率器件与所述测试板的测试面压紧。可以看出，该技术方案不需要使用焊线或者绕线的方法向电极处引线即可实现对34毫米半桥连接功率器件的结电容参数的测量，以便于操作人员更加简单、并且安全性更高的测量该器件的结电容参数。
一种电容测试装置

[实用新型]三单元130毫米功率器件模块动态特性的测试装置-CN201220642379.2有效
发明人：陆江;朱阳军;高振鹏;佘超群;成星 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种三单元130毫米功率器件模块动态特性的测试装置，其中，底座上开设有凹槽，用于容置待检测三单元130毫米功率器件模块。所述夹具用于与待检测模块的各个极相接触，还在底座上设置有转换接口，用于将夹具上的弹簧引脚与测试仪器相连。并在底座上设置有第一开关和第二开关，其中，第一开关用于控制待检测模块的栅极与源极短路或断路，第二开关用于选择切换待检测模块中第一IGBT模块、第二IGBT模块或第三模块。采用本实用新型提供的测试装置，通过第一开关以及第二开关实现对不同IGBT模块的切换，且无需对待检测的模块的各个极进行连线，操作简单，测试效率高，除此，减少了引线，进而减少了寄生电容，使测试更加准确。
单元 130 毫米功率器件模块动态特性测试装置

[实用新型]一种IGBT版图-CN201220672867.8有效
发明人：左小珍;朱阳军;吴振兴;卢烁今 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本实用新型公开一种IGBT版图，属于半导体大功率器件的技术领域。该版图元胞区、源极压焊点、栅极压焊点和多晶硅，源极压焊点位于元胞区上，元胞区由多个元胞排列并联组成，元胞的栅极通过多晶硅相连，并将栅极的电位引出至栅极压焊点，其中，栅极压焊点下的金属层的下方为氧化层，氧化层下为多晶硅层，多晶硅层包括多个块状多晶硅，多个块状多晶硅之间互不相连。本实用新型利用了减小多晶硅面积来实现栅极电容的减小,从而减小电容充放电速度，减小器件开关时间，提高器件性能。
一种 igbt 版图

[实用新型]用于两单元73毫米功率器件模块电容的测试装置-CN201320024327.3有效
发明人：成星;朱阳军;陆江;佘超群;高振鹏 -专利权人：江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于两单元73毫米功率器件模块电容的测试装置，包含测试电路，所述测试装置还包含：底座，其由绝缘材料制成；在所述底座上设有三个底座引脚，即栅极底座引脚、漏极底座引脚以及源极底座引脚，在测试时，所述三个底座引脚分别与功率器件模块上相应的模块引脚接触，所述模块引脚包含了栅极模块引脚、漏极模块引脚以及源极模块引脚。本实用新型提供的用于两单元73毫米功率器件模块电容的测试装置，功率器件模块依靠自身的重力、下面弹簧的弹力以及上面盖板的压力使模块上的模块引脚与底版上的引脚接触良好，保证了连接的可靠性，较少使用引线连接，大幅度减小了寄生效应。
用于单元 73 毫米功率器件模块电容测试装置

[实用新型]一种半导体功率器件-CN201220652041.5有效
发明人：褚为利;朱阳军;田晓丽;卢烁今;陆江 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体功率器件，包括有源区、终端区及位于二者之间的主结，所述终端区包括终端结构，所述有源区包括基区，所述基区、主结、终端结构的掺杂类型相同，所述主结与所述有源区的基区同时形成，所述主结的结深与所述基区的结深相同，所述主结的掺杂浓度与所述基区的掺杂浓度相同，且所述主结的结深小于所述终端结构的结深，所述主结的掺杂浓度小于所述终端结构的掺杂浓度。主结的结深小于终端结构的结深，使主结与终端结构之间的区域能够承受的压降增加，主结的掺杂浓度降低，能够提高一定长度耗尽区承受的压降，这两个方面均能够提高器件的耐压能力，进而减小半导体功率器件的终端面积，降低了器件的生产成本。
一种半导体功率器件

[实用新型]两单元62毫米功率器件模块动态特性的测试装置-CN201220642394.7有效
发明人：陆江;朱阳军;成星;高振鹏;佘超群 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种两单元62毫米功率器件模块动态特性的测试装置，其中，底座上开设有凹槽，用于容置待检测两单元62毫米功率器件模块。所述夹具用于与待检测模块的各个极相接触，还在底座上设置有转换接口，用于将夹具上的弹簧引脚与测试仪器相连。并在底座上设置有第一开关和第二开关，其中，第一开关用于控制待检测模块的栅极与源极短路或断路，第二开关用于选择切换待检测模块中第一IGBT模块或第二IGBT模块。采用本实用新型提供的测试装置，通过第一开关以及第二开关实现对不同IGBT模块的切换，且无需对待检测的模块的各个极进行连线，操作简单，测试效率高，除此，减少了引线，进而减少了寄生电容，使测试更加准确。
单元 62 毫米功率器件模块动态特性测试装置

[实用新型]34毫米半桥连接功率器件模块动态特性的测试装置-CN201220642411.7有效
发明人：陆江;朱阳军;佘超群;成星;高振鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种34毫米半桥连接功率器件模块动态特性的测试装置，其中，底座上开设有凹槽，用于容置待检测34毫米半桥连接功率器件模块。所述夹具用于与待检测模块的各个极相接触，还在底座上设置有转换接口，用于将夹具上的弹簧引脚与测试仪器相连。并在底座上设置有第一开关和第二开关，其中，第一开关用于控制待检测模块的栅极与源极短路或断路，第二开关用于选择切换待检测模块中第一IGBT模块或第二IGBT模块。采用本实用新型提供的测试装置，通过第一开关以及第二开关实现对不同IGBT模块的切换，且无需对待检测的模块的各个极进行连线，操作简单，测试效率高，除此，减少了引线，进而减少了寄生电容，使测试更加准确。
34 毫米连接功率器件模块动态特性测试装置

[实用新型]一种IGBT版图-CN201220587115.1有效
发明人：喻巧群;朱阳军;左小珍;赵佳;田晓丽 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种IGBT版图，包括有源区、终端区、栅极压焊点和源极压焊点，其中，所述终端区位于所述有源区的外围，所述栅极压焊点和源极压焊点位于所述有源区的内部，该IGBT版图还包括栅极总线，所述栅极总线位于所述有源区的至少三条边的外侧且位于所述有源区与所述终端区之间，所述栅极总线与所述栅极压焊点电连接。通过栅极总线将栅极电压传导到各个元胞处，能够保证各处的元胞同时开启，从而达到电流分布均匀。同时，克服了现有技术中电流路径增大，导致器件开态电阻增大的问题。
一种 igbt 版图

[实用新型]一种IGBT版图-CN201220652972.5有效
发明人：赵佳;朱阳军;左小珍;田晓丽;胡爱斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种IGBT版图，包括元胞区、位于所述元胞区周围的终端区、源极压焊点和多个栅极压焊点，所述栅极压焊点的数量与所述元胞区的顶点数相同，所述源极压焊点位于所述元胞区的中间位置，所述栅极压焊点均匀分布在所述源极压焊点的周围，且位于所述元胞区边缘区域，所述源极压焊点的面积占元胞区面积的比例范围为60%~80%，包括端点值。本实用新型提供的IGBT版图，多个栅极压焊点均匀分布在源极压焊点的周围，保证元胞区所有区域都能在相同的条件下开启，省略了gatebus，使gatebus对源极压焊点的限制消失，从而允许增加源极压焊点的面积，而大面积的源极压焊点可以缓解因电流集中效应产生的热集中现象。
一种 igbt 版图

[实用新型]IGBT芯片版图布局结构-CN201320012538.5有效
发明人：陈宏;朱阳军;徐承福;卢烁今;吴凯 -专利权人：江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-01-10 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本实用新型提供一种IGBT芯片版图布局结构，用于IGBT芯片的布局设计。其包括栅极焊盘、发射极焊盘，还包括栅极总线，所述IGBT芯片版图布局结构为左右对称以及上下对称结构，所述发射极焊盘设置于IGBT芯片的正面的中央，所述栅极焊盘对称地设置于发射极焊盘的两侧，一侧的栅极焊盘的中心、另一侧的栅极焊盘的中心与发射极焊盘的中心位于同一中心线上；栅极总线围绕发射极焊盘对称地设置，栅极总线连接两侧的栅极焊盘。
igbt 芯片版图布局结构

[实用新型]一种半导体器件-CN201220647148.0有效
发明人：褚为利;朱阳军;左小珍;赵佳;田晓丽 -专利权人：上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体器件，包括：半导体衬底；阱区，所述阱区形成于所述半导体衬底内；栅极总线，所述栅极总线形成于所述阱区的表面；第一场板，所述第一场板形成于所述半导体衬底表面且覆盖部分阱区；其中，所述第一场板与所述栅极总线电连接。本实用新型提供的半导体器件的第一场板与栅极总线电连接，使第一场板与栅极总线的电位保持一致，那么，当半导体器件承受相同的反向电压时，第一场板与半导体衬底之间的偏压差会有所增大，使得半导体表面的耗尽区进一步展宽，从而使半导体器件的反向耐压能力得到加强。
一种半导体器件

[实用新型]一种IGBT-CN201220657534.8有效
发明人：张文亮;朱阳军;卢烁今;赵佳;吴振兴 -专利权人：上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种IGBT，包括半导体衬底；位于半导体衬底表面内的两个沟槽栅结构；位于两个沟槽栅结构之间的开口；位于开口底部的平面假栅结构，该平面假栅结构的厚度小于或等于开口的深度。本实用新型所提供的IGBT在两个沟槽栅结构之间设置有一个平面假栅结构，使沟槽栅结构之间的距离变大，从而使单位面积芯片导电沟道的密度降低，提高了器件的抗短路能力；并且，本实用新型中的平面假栅结构并不形成导电沟道，且能够改善沟槽栅处的电场分布，使器件在保证器件具有较强的抗短路能力的基础上，其击穿电压不会减小。
一种 igbt

[实用新型]IGBT背面集电极结构-CN201320013251.4有效
发明人：陈宏;朱阳军;卢烁今;吴凯 -专利权人：江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-01-10 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本实用新型提供一种IGBT背面集电极结构，包括N-型基区，还包括在N-型基区的背面形成的N+型缓冲层和P+型集电极层，所述N+型缓冲层的表面包括阵列式的岛状凸起部以及岛状凸起部之间的凹下部；P+型集电极层位于N+型缓冲层的岛状凸起部以及岛状凸起部之间的凹下部的表层。所述N+型缓冲层的阵列式的岛状凸起部和岛状凸起部之间的凹下部的面积比例能够根据IGBT器件的需要而调节设定。本实用新型用于改善场截止型IGBT的性能。
igbt 背面集电极结构

[实用新型]一种逆导型IGBT的背面版图布局-CN201220689587.8有效
发明人：张文亮;田晓丽;朱阳军;卢烁今 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种能够同时消除短路集电极型逆导IGBT产生的初次回跳和二次回跳的逆导型IGBT的背面版图布局，属于半导体器件技术领域。该背面版图布局，包括P+集电区、N+短路区和P+引导区，N+短路区和P+引导区向该逆导型IGBT的正面延伸后与栅极引线键合窗口无交集，其特征在于，P+集电区连续。该背面版图布局1）由于引入了P+引导区，所以能够消除短路集电极型逆导IGBT的初次回跳；2）由于P+集电区连续，使导通区域的扩展过程也是连续渐变的，所以能够避免由于突变性扩展引起的二次回跳。
一种逆导型 igbt 背面版图布局