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[发明专利]一种IGBT器件及其形成方法-CN201210499322.6有效
发明人：褚为利;朱阳军;张文亮;王波;谈景飞 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种IGBT器件及其形成方法，所述IGBT器件包括：半导体衬底、基区、栅极结构、发射极和集电极。其中，所述栅极结构包括U型部分和水平部分，所述栅极结构的U型部分贯穿所述基区，所述栅极结构的水平部分覆盖部分所述基区的上表面，并与所述栅极结构的U型部分为一体结构；所述发射极形成于所述栅极结构U型部分两侧的基区内，且与所述栅极结构的U型部分不接触，从而使得本发明所提供的IGBT器件具有制作工艺难度低，饱和导通压降低，抗闩锁能力强，饱和电流小等优点。
一种 igbt 器件及其形成方法

[发明专利]IGBT及其元胞结构、以及IGBT的形成方法-CN201210520131.3无效
发明人： 朱阳军;谈景飞;张杰;胡爱斌;卢烁今 -专利权人：江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT及其元胞结构，和IGBT形成方法，其中，所述元胞结构包括：第一漂移区和位于第一漂移区下表面的第二漂移区，第一漂移区与第二漂移区的掺杂类型和浓度均相同；至少一个位于第一漂移区和第二漂移区之间的掺杂区，掺杂区的掺杂类型与第二漂移区的掺杂类型相同，且掺杂区的掺杂浓度大于第二漂移区的掺杂浓度；位于第二漂移区背离掺杂区一侧的集电区，集电区的掺杂类型与所述第二漂移区的掺杂类型相反，使得本发明所提供的IGBT具有良好的导通损耗与开关损耗之间的折中关系，整体性能比较高。
igbt 及其结构以及形成方法

[发明专利]IGBT及其制作方法-CN201210509411.4无效
发明人：喻巧群;朱阳军;卢烁今;胡爱斌;田晓丽 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种IGBT，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括漂移区；位于所述漂移区背面且与所述漂移区背面直接电性接触的复合层，所述复合层仅覆盖所述漂移区背表面的部分区域。本发明所提供的IGBT及其制作方法，在漂移区背面的部分区域形成复合层，当器件导通时由于复合层仅位于漂移区背面的部分区域，不会影响集电区载流子注入漂移区，所以保证了器件的导通损耗不增大；当器件关断时形成材料缺陷密度高的复合层会迅速的复合掉靠近其自身的漂移区区域内的载流子，使电流以更快的速度消失，降低了器件的关断损耗；因此本发明所提供的IGBT及其制作方法能够在保证导通损耗不增大的条件下，降低器件的关断损耗。
igbt 及其制作方法

[发明专利]一种三模式集成绝缘栅型双极晶体管及其形成方法-CN201210519798.1无效
发明人： 朱阳军;张文亮;卢烁今;田晓丽;胡爱斌 -专利权人：江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种三模式集成绝缘栅型双极晶体管（即TI-IGBT）包括：第一半导体衬底，第一半导体衬底内形成有并列设置的短路区和集电区，短路区与集电区的掺杂类型不同；第二半导体衬底，第二半导体衬底位于第一半导体衬底的上表面，且第二半导体衬底与短路区的掺杂类型相同；第一掺杂层，第一掺杂层位于第一半导体衬底与第二半导体衬底之间，且至少覆盖集电区；其中，第一掺杂层的掺杂类型与第二半导体衬底的掺杂类型相同，且掺杂浓度小于第二半导体衬底的掺杂浓度，从而增加了集电区上方的电阻，使得本发明所提供的TI-IGBT，以更小的电流进入IGBT模式，解决现有技术中TI-IGBT工作时的电流回跳现象。
一种模式集成绝缘双极晶体管及其形成方法

[发明专利]超结的制作方法-CN201210519863.0无效
发明人： 朱阳军;张文亮;田晓丽;胡爱斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种超结的制作方法，包括：提供一轻掺杂衬底，采用嬗变掺杂工艺形成P型重掺杂区或N型重掺杂区，退火处理；或提供第一类型重掺杂衬底，采用嬗变掺杂工艺形成第二类型重掺杂区，退火处理。本申请所提供的超结的制作方法简化了制作流程，降低了生产成本。
制作方法

[发明专利]内透明集电极绝缘栅双极晶体管及其制作方法-CN201210519402.3无效
发明人： 朱阳军;吴振兴;田晓丽;卢烁今 -专利权人：江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种内透明集电极绝缘栅双极晶体管及其制作方法，该方法包括：提供一重掺杂衬底，在所述重掺杂衬底表面上形成Ge_xSi_1-x/Si多量子阱应变超晶格层，在所述Ge_xSi_1-x/Si多量子阱应变超晶格层表面上形成轻掺杂层。所述Ge_xSi_1-x/Si多量子阱应变超晶格层通过一个步骤形成在所述重掺杂衬底表面上，简化了内透明集电极绝缘栅双极晶体管的生产工艺。
透明集电极绝缘双极晶体管及其制作方法

[发明专利]一种穿通型IGBT及其制作方法-CN201210510311.3无效
发明人：喻巧群;朱阳军;胡爱斌;陆江 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种穿通型IGBT及其制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括基片，形成于所述基片表面的缓冲层以及形成于所述缓冲层表面的漂移区；对所述半导体衬底形成有漂移区的一侧进行第一次减薄；第一次减薄完成后，在所述半导体衬底形成有漂移区的一侧形成正面结构；对所述半导体衬底背离所述漂移区的一侧进行第二次减薄，直至去除部分缓冲层；第二次减薄完成后，在所述半导体衬底形成有缓冲层的一侧形成集电区；在所述集电区表面形成金属电极。利用本发明提供的穿通型IGBT的制作方法，降低了穿通型IGBT器件的制作难度，特别是降低了厚度较薄的中低压穿通型IGBT的制作难度。
一种穿通型 igbt 及其制作方法

[发明专利]逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法-CN201210519817.0无效
发明人： 朱阳军;田晓丽;张文亮;吴振兴 -专利权人：江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/8222 文献下载
摘要：一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法，该方法包括：提供一重掺杂衬底，在所述重掺杂衬底表面上形成缓冲层，所述缓冲层的厚度大于1μm，峰值浓度为1e14/cm³～3e16/cm³，减薄所述重掺杂衬底。由于所述缓冲层的厚度可以根据器件的耐压水平做的更厚，而浓度可以做的更加精确，所以可以进一步的优化逆导型绝缘栅双极晶体管的通态压降和导通损耗，改善所述逆导型绝缘栅双极晶体管的性能。
逆导型绝缘双极晶体管及其制作方法

[发明专利]一种IGBT结壳热阻的测量方法-CN201210514961.5无效
发明人：董少华;朱阳军;陆江;王任卿;佘超群 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT结壳热阻的测量方法，包括：提供第一待测IGBT，第一待测IGBT包括：封装芯片、封装外壳和散热器；提供第二待测IGBT，第二待测IGBT包括：封装芯片、封装外壳、散热器以及位于封装外壳与散热器之间的导热层，其中，导热层的导热系数大于空气的导热系数；在相同的测量条件下，分别对第一待测IGBT和第二待测IGBT施加预设的加热功率，测得第一待测IGBT和第二待测IGBT在该加热功率下的结温曲线；根据第一待测IGBT和第二待测IGBT在该加热功率下的结温曲线，获得第一待测IGBT和第二待测IGBT瞬态热阻抗曲线或结构函数曲线；根据第一待测IGBT和第二待测IGBT瞬态热阻抗曲线或结构函数曲线，获得第一待测IGBT的结壳热阻，从而提高了所述结壳热阻测量结果的准确性。
一种 igbt 结壳热阻测量方法

[发明专利]逆阻型绝缘栅双极晶体管的制作方法-CN201310102479.5无效
发明人： 朱阳军;张文亮;胡爱斌;卢烁今 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种逆阻型绝缘栅双极晶体管的制作方法，包括：提供一轻掺杂层，通过嬗变掺杂工艺形成所述逆阻型绝缘栅双极晶体管的终端结构，退火处理。所述终端结构在轻掺杂层内掺杂的区域分明，横向扩散较小，节省了逆阻型绝缘栅双极晶体管的终端所占用的面积，降低了逆阻型绝缘栅双极晶体管的制作成本。
逆阻型绝缘双极晶体管制作方法

[发明专利]功率器件-MPT-TI-IGBT的结构及其制备方法-CN201310085533.X在审
发明人： 朱阳军;卢烁今;张文亮;张杰;田晓丽 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率器件-MPT-TI-IGBT的结构，正面结构包括漂移区、栅极、栅氧、发射区、包围在发射区下部将发射区与漂移区隔开的基区、及重掺杂区，所述发射区和重掺杂区与发射极连接，所述发射区和漂移区与栅极连接，所述栅极通过栅氧与半导体区域绝缘；背面结构包括集电区、短路区、及位于漂移区下方的微穿通区，所述集电区和短路区相间分布的结构与集电极金属相连引出集电极。本发明提供的一种功率器件-MPT-TI-IGBT不仅关断速度快，而且可以降低器件的导通压降及通态损耗。
功率器件 mpt ti igbt 结构及其制备方法

[发明专利]一种功率器件—TI-IGBT的结构及其制备方法-CN201310086221.0在审
发明人： 朱阳军;田晓丽;张文亮;卢烁今;张杰 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率器件—TI-IGBT，此器件是将传统的VDMOS、IGBT及FRD三种器件结构及功能集成为一体，器件的正面结构与传统的VDMOS、IGBT的正面结构相似，背面结构为集电区和短路区相间分布。本发明提供的一种功率器件—TI-IGBT综合了VDMOS和IGBT各自的优点，既有较快的关断速度，又有较低的导通压降。
一种功率器件 ti igbt 结构及其制备方法

[发明专利]EMPT-TI-IGBT器件的结构及其制备方法-CN201310085535.9在审
发明人： 朱阳军;张文亮;胡爱斌;赵佳;吴振兴 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种EMPT-TI-IGBT器件的结构，包括漂移区、栅极、栅氧、发射区、包围在发射区下部将发射区与漂移区隔开的基区、重掺杂区、位于漂移区下方的微穿通区、相间分布引出集电极的集电区和短路区、及位于基区与漂移区之间的载流子减速层，所述发射区和重掺杂区分别与发射极连接，所述发射区和载流子减速层分别与栅极连接，所述栅极通过栅氧与半导体区域绝缘。本发明提供的EMPT-TI-IGBT器件，有效增加了EMPT-TI-IGBT导通时漂移区的载流子浓度，从而减低了EMPT-TI-IGBT器件的导通压降。
empt ti igbt 器件结构及其制备方法

[发明专利]用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区-CN201310086355.2在审
发明人：褚为利;朱阳军;田晓丽;张文亮;陆江 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区，包括：在正面结构中，包括衬底、场限环、覆盖场限环的氧化层或者钝化层、绝缘栅双极晶体管IGBT元包的基区、IGBT元包的发射极及发射极金属电极，所述场限环的掺杂类型与衬底相反，IGBT元包的基区掺杂类型与衬底相反，IGBT元包的发射极掺杂类型与衬底相同；在背面结构中，采用一层掩膜版对有源区的背面进行P型注入，形成P型发射极，而终端区发射极的位置保持N型掺杂。本发明还公开了另外两种用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区。本发明将终端背面的集电区P型层用绝缘物质代替，避免了器件关断过程中元包发生闩锁并最终失效。
用于绝缘双极晶体管防闩锁终端

[发明专利]一种带缓冲层的低压IGBT及其制作方法-CN201310085560.7在审
发明人：田晓丽;朱阳军;吴振兴;陆江 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种带缓冲层的低压IGBT及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。所述低压IGBT包括P+型衬底、N+缓冲层、N-漂移区和正面结构；N+缓冲层在P+型衬底上，N-漂移区在N+缓冲层上，正面结构在N-漂移区的上方。所述方法包括：在均匀掺杂的P+型衬底上外延生长N+缓冲层，并抛光N+缓冲层的表面；将N-单晶硅片减薄，并抛光其表面；通过键合的方式将N+缓冲层与N-单晶硅片合成一个整体；在N-单晶硅片上制作正面结构。本发明通过键合的方式形成基底材料，只需要进行一次外延工艺，且生长的外延层厚度较薄，降低了制造成本，保证了外延质量，提高了器件性能。
一种缓冲低压 igbt 及其制作方法