专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种GaN基HEMT器件及其制作方法-CN201310405073.4无效
  • 张正海;张宗民 - 华为技术有限公司
  • 2013-09-06 - 2014-01-01 - H01L29/778
  • 本发明公开了一种GaN基HEMT器件及其制作方法,器件中衬底、GaN缓冲与势垒由下至上设置,第一钝化在势垒上,其包括左半钝化和右半钝化,分别位于源极与栅极之间、栅极与漏极之间;第二钝化在第一钝化上;第一钝化为增加势垒张应力的钝化,第二钝化为增强势垒层压应力的钝化。制作方法包括:外延结构生长,形成衬底、GaN缓冲、势垒;在势垒上进行钝化淀积;将栅极下方的钝化刻蚀,形成包括左半钝化以及右半钝化的第一钝化;在第一钝化上进行第二钝化淀积;定义并淀积栅极本发明采用双钝化工艺,栅极下方GaN缓冲区域二维电子气浓度先增加,再耗尽,避免栅压偏置前栅极下方GaN缓冲存在二维电子气。
  • 一种ganhemt器件及其制作方法
  • [发明专利]钝化结构及其形成方法、刻蚀方法-CN201210113566.6无效
  • 张海洋;张城龙 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2012-04-17 - 2013-10-30 - H01L29/06
  • 一种钝化结构及其形成方法和刻蚀方法,所述钝化结构包括:第一钝化;形成在第一钝化的第二钝化;形成在第二钝化的氮化铝。所述钝化结构的形成方法包括:形成第一钝化;在第一钝化上形成第二钝化;在第二钝化上形成氮化铝。所述钝化结构的刻蚀方法包括:在所述氮化铝上形成光刻胶;曝光显影,使得所述光刻胶形成光刻胶图案;利用所述光刻胶图案刻蚀所述氮化铝;利用所述氮化铝作为掩模进行第一刻蚀,去除第一钝化;进行第二刻蚀,去除第二钝化。本发明能够避免原有的钝化结构中在刻蚀时,由于光刻胶较薄产生的不必要刻蚀和光刻胶较厚产生的光刻胶残留物难以去除的现象,并优化钝化的性能。
  • 钝化结构及其形成方法刻蚀
  • [发明专利]一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片-CN202210092573.6在审
  • 许明明;董国庆;文国昇;刘芝君 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2022-01-26 - 2022-05-24 - H01L33/06
  • 本发明提供一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片,LED外延片包括包括钝化和电极外延,所述钝化包括第一钝化和位于所述第一钝化之上的第二钝化,其中,至少存在部分所述电极外延沉积于所述第一钝化上,且所述电极外延的外围被所述第二钝化包裹。通过在第一钝化上沉积电极外延,再将第二钝化沉积于电极外延外围,将电极外延包裹,其中,从电极结构分析,电极外延底部外环部分为金属迁移最严重区域,主要通过第一钝化进行保护,而第二钝化主要保护的是电极外延的外侧,通过第一钝化和第二钝化将电极外延完全包裹,从而达到防止金属迁移的目的。
  • 一种led外延生长方法芯片
  • [发明专利]碳化硅光伏器件-CN202011341184.X有效
  • 吴兆;徐琛;李子峰;靳金玲;解俊杰 - 隆基绿能科技股份有限公司
  • 2020-11-25 - 2022-12-02 - H01L31/0216
  • 碳化硅光伏器件包括:碳化硅吸收、位于碳化硅吸收表面的化学钝化、以及位于化学钝化上的场钝化;化学钝化包含第一钝化;所述化学钝化还可以包含第二钝化,第二钝化层位于第一钝化和碳化硅吸收之间;第一钝化的材料选自氧化硅、非晶硅、单晶硅、多晶硅中的至少一种;在化学钝化仅包含第一钝化的情况下,第一钝化的材料还选自氮元素和/或磷元素;场钝化中靠近所述碳化硅吸收一侧的界面处固定电荷密度大于或等于化学钝化钝化碳化硅吸收的表面悬挂键,场钝化起到场效应的效果,进而抑制光生载流子表面复合,实现较高的光电转换效率。
  • 碳化硅器件
  • [实用新型]一种复合式钝化-CN202120217286.4有效
  • 周炳;王源政;闵财荣;周兵兵 - 德兴市意发功率半导体有限公司
  • 2021-01-26 - 2021-11-30 - H01L21/02
  • 本实用新型涉及一种复合式钝化膜,应用于包含硅分子的平面结构器件,其特征在于,所述复合式钝化膜包括:平铺于所述平面结构器件上的第一钝化,所述第一钝化为氧化硅;平铺于所述第一钝化上平铺第二钝化,所述第二钝化为磷硅;平铺于所述第二钝化上平铺第三钝化,所述第三钝化为氮硅;平铺于所述第三钝化上平铺绝缘薄膜。本实用新型可以为平面硅结构器件提供更好的钝化保护。
  • 一种复合钝化
  • [实用新型]一种半导体器件-CN202220267869.2有效
  • 吴汝筱;花鹏;周国强;张洪志;朱新建 - 厦门士兰集科微电子有限公司
  • 2022-02-10 - 2022-07-29 - H01L21/314
  • 公开了一种半导体器件,所述半导体器件包括:器件;位于所述器件上的金属,所述金属中具有凹槽,所述凹槽贯穿所述金属并暴露出所述器件的表面;位于所述金属上的钝化,所述钝化覆盖所述金属的表面,所述凹槽的侧壁及所述凹槽的底部的器件的表面;其中,所述钝化包括通过亚常压化学气相淀积形成的第一钝化,所述钝化还包括位于所述第一钝化上的第二钝化以及第三钝化;所述第一钝化、第二钝化以及第三钝化从下到上依次层叠设置本实用新型的半导体器件在所述金属的表面增加一第一钝化,所述第一钝化通过亚常压化学气相淀积工艺形成,其沉积速率慢,故而所述第一钝化具有良好的台阶覆盖性。
  • 一种半导体器件
  • [发明专利]具有钝化的量子点粒子及其制作方法-CN202110671701.8在审
  • 林俊成;张容华 - 鑫天虹(厦门)科技有限公司
  • 2021-06-17 - 2022-12-20 - C09K11/02
  • 本发明为一种具有钝化的量子点粒子及其制作方法,主要包括至少一量子点粒子、至少一第一钝化及至少一第二钝化,其中第一钝化设置在量子点粒子的表面,而第二钝化则设置在第一钝化的表面。形成第一钝化的前驱物不包括水,可避免粉末在沉积过程中因为接触水而受潮。在第一钝化表面形成第二钝化,其中第二钝化的前驱物则包括三甲基铝及水,且第二钝化的密度较第一钝化层高。第二钝化的前驱物会被第一钝化隔离,使得粉末不会接触水而造成受潮变质,可提高量子点粒子的制程良率及生命周期。
  • 具有钝化量子粒子及其制作方法
  • [发明专利]场效应晶体管器件-CN202010144306.X有效
  • 马培培;郑军;成步文 - 中国科学院半导体研究所
  • 2020-03-04 - 2021-07-16 - H01L29/40
  • 本发明公开了一种场效应晶体管器件,该器件包括:复合钝化,包括:第一钝化,设置于场效应晶体管的栅电介质上,并覆盖该场效应晶体管的源电极、漏电极和栅电极;和第二钝化,设置于该第一钝化上;以及,横向场板,设置与栅电极相接触,并置于第一钝化内;浮空场板,设置于第二钝化上。本发明提供的场效应晶体管器件,设计出两结构的复合钝化,其结构为第一钝化/第二钝化,第一钝化作为横向场板钝化,第二钝化作为浮空场板的钝化。本发明能够通过设计横向场板、浮空场板和复合钝化参数,有效降低栅电介质和场板钝化的峰值电场,提高氧化镓单极器件的击穿电压。
  • 场效应晶体管器件

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