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[发明专利]IGBT器件及其制作方法-CN201210426232.4有效
发明人：胡爱斌;朱阳军;卢烁今;王波;吴振兴;田晓丽;赵佳;陆江 -专利权人：上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-10-30 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种IGBT器件，该IGBT器件的N型基极区背面的依次设置有第一N型缓冲层、第二N型缓冲层和第三N型缓冲层，其中所述第一N型缓冲层的掺杂杂质为第五主族元素离子，且所述第一N型缓冲层的杂质浓度大于N型基极区的杂质浓度，所述第二N型缓冲层的掺杂杂质为第六主族元素离子，且所述第二N型缓冲层的杂质浓度大于N型基极区的杂质浓度，并小于所述第一N型缓冲层的杂质浓度，所述第三N型缓冲层的掺杂杂质为第五主族元素离子，且所述第三N型缓冲层的杂质浓度大于第一N型缓冲层的杂质浓度。三个缓冲层可以分别独立优化IGBT器件的相关特性，获得更好的导通和关断的折中曲线，进而优化IGBT的开关特性，从而提高了IGBT的器件的整体性能。
igbt 器件及其制作方法

[发明专利]能降低米勒电容的超结IGBT器件-CN201510819602.4有效
发明人：张须坤;张广银;卢烁今;朱阳军 -专利权人：江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2015-11-23 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种能降低米勒电容的超结IGBT器件，其包括半导体基板，半导体基板的漂移区内设置第一导电类型柱以及第二导电类型柱；在第二导电类型柱内的上部设有第二导电类型基区，第二导电类型基区内设有第一导电类型源区，第一导电类型源区、第二导电类型基区与半导体基板上的发射极金属欧姆接触，在第二导电类型基区内用于形成导电沟道区域的上方覆盖有多晶硅栅极，多晶硅栅极通过覆盖在第二导电类型基区、第一导电类型柱上的绝缘层与第一导电类型源区、第二导电类型基区绝缘隔离，在绝缘层上覆盖有浮空栅极，所述浮空栅极通过绝缘层与多晶硅栅极绝缘隔离。本发明能有效减少米勒电容，并能屏蔽寄生电容，提高超结器件的高频特性，安全可靠。
降低米勒电容 igbt 器件

[发明专利]功率器件动态测试的限流保护方法-CN201811188350.X在审
发明人：张文亮;白玉明;朱阳军;李文江;雷小阳;史金鑫 -专利权人：山东阅芯电子科技有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： G01R1/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率器件动态测试的限流保护方法，其包括能对功率器件进行所需动态测试的测试电路；还包括与测试电路适配限流保护电路，所述限流保护电路包括用于检测测试电路中测试电流的电流检测电路、能控制电源与被测功率器件连接状态的开关器件K以及用于控制开关器件K开关状态的控制器；所述控制器内预设有电流保护限值I_limit，控制器采集电流检测电路检测的测试电流值，若测试电流值大于控制器内的电流保护限值I_limit时，控制器能使得开关器件K处于断开状态，以切断电源的低阻放电通道。本发明能避免测试过程中由于测试异常导致测试设备损坏和样品严重损坏，提高测试的可靠性。
控制器功率器件测试电流测试电路动态测试电流检测电路限流保护电路电流保护开关器件限流保护控制开关器件测试测试过程测试设备断开状态放电通道开关状态控制电源连接状态切断电源检测低阻适配采集

[发明专利]一种IGBT结构及其制备方法-CN201210526291.9有效
发明人：赵佳;朱阳军;胡爱斌;卢烁今;田晓丽 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT结构及其制备方法，属于半导体大功率器件的技术领域。该结构包括n‑漂移区、一个以上的沟槽栅、p基区、n+发射极区、浅p基区、层间氧化层、金属层和p+集电极区；其中，n‑漂移区的上方有至少两个的沟槽栅，p基区分别位于沟槽栅的内侧，沟槽栅之间为浅p基区，层间氧化层在沟槽栅和浅p基区上，n+发射极区分别位于沟槽栅的两侧，金属层在层间氧化层上，p+集电极区在n‑漂移区的背面。本发明拉宽沟槽型IGBT中发射极之间的距离，大大降低了翘曲发生的概率。另外，电流密度比较低，能够降低整个器件的短路电流，拓宽器件安全工作区。
一种 igbt 结构及其制备方法

[发明专利]一种电场阻断型IGBT结构的制备方法-CN201310086227.8有效
发明人：胡爱斌;朱阳军;卢烁今;吴振兴;田晓丽;赵佳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种电场阻断型IGBT结构的制备方法，属于半导体功率器件技术领域。制备方法为选择N+单晶片作为N+型衬底，在N+型衬底上通过外延的方法依次形成第一外延层和第二外延层，在外延层上依次形成P+基区、N+发射区、栅极氧化层、栅极和发射极；将N+型衬底的背面减薄，移除部分第一外延层，形成N+型缓冲层，第二外延层为N‑基区；在N+型缓冲层的背面通过离子注入的方法形成P+集电极层，然后在P+集电极层上面生长背金金属层，N+型缓冲层厚度为5‑35μm，N+型缓冲层的电阻率为1–10Ωcm。本发明可以使N‑基区的厚度变得更薄，从而降低IGBT的导通电压和关断时间。
一种电场阻断 igbt 结构制备方法

[发明专利]一种平面型IGBT结构的制备方法-CN201310085579.1有效
发明人：赵佳;朱阳军;陆江;卢烁今;田晓丽 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面型IGBT结构的制备方法，属于半导体技术领域。该方法为：在N‑型衬底上开出一窗口区域，在窗口区域通过硅的选择氧化方法淀积氧化层，在N‑型衬底和窗口区域的上表面均生长栅氧层，在栅氧层上淀积多晶硅层，将窗口区域以外的多晶硅层形成栅极，通过离子注入法，在N‑型衬底的上表面依次形成P‑基区和N‑注入区，在多晶硅层的表面依次淀积层间氧化层和金属层，形成发射极，在N‑型衬底的背面，通过离子注入法依次形成N型缓冲层和p‑集电极区，在N‑型衬底的背面，淀积背面金属层。本发明在硅表面以下生长氧化层，通过增加电容介质的厚度，减小密勒电容，改善了传统工艺中造成材料断裂的问题。
一种平面 igbt 结构制备方法

[发明专利]一种抗闩锁IGBT器件-CN201610298120.3有效
发明人：杨飞;张广银;谭骥;沈千行;朱阳军;卢烁今;田晓丽 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司;中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗闩锁IGBT器件，其在半导体基板的第一导电类型基区内设置若干规则排布且相互平行分布的有源元胞，所述有源元胞包括位于第一导电类型基区内上部的第二导电类型基区以及位于所述第二导电类型基区内的第一导电类型源极区，所述第二导电类型基区、第一导电类型源极区与半导体基板第一主面上的源极金属欧姆接触；在所述第二导电类型基区内还设有第一导电类型阻挡环，所述第一导电类型阻挡环位于第一导电类型源极区的外圈，第一导电类型阻挡环外部以及第一导电类型阻挡环与第一导电类型源极之间是第二导电类型基区，第一导电类型阻挡环的一端通过半导体基板第一主面上的绝缘介质层与源极金属绝缘隔离，另一端与沟道侧壁接触。本发明结构紧凑，能有效减少发生闩锁的风险，为降低导通压降提供基础，与现有工艺相兼容，安全可靠。
一种抗闩锁 igbt 器件

[发明专利]具有高抗闩锁能力的IGBT器件-CN201610298661.6有效
发明人：杨飞;沈千行;朱阳军;卢烁今;田晓丽 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司;中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高抗闩锁能力的IGBT器件，其有源元胞包括第二导电类型基区以及第一导电类型源极区；在第二导电类型基区内设置阻挡环；在IGBT器件的截面上，阻挡环包括第一导电类型埋层以及绝缘介质柱，绝缘介质柱的上端与源极金属接触，第一导电类型埋层位于第一导电类型源极区正下方的一端与绝缘介质柱相接触，第一导电类型埋层的另一端与导电沟道侧壁接触，且第一导电类型埋层在第一导电类型源极区正下方的长度不小于第一导电类型源极区在第二导电类型基区内的长度，第一导电类型埋层与源极金属相互绝缘。本发明结构紧凑，能有效减少发生闩锁的风险，为降低导通压降提供基础，与现有工艺相兼容，安全可靠。
具有高抗闩锁能力 igbt 器件

[发明专利]一种获得IGBT器件热阻的系统和方法-CN201210525856.1有效
发明人：董少华;朱阳军;卢烁今;胡爱斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种获得IGBT器件热阻的系统和方法，属于大功率器件的技术领域。本系统包括建模模块、网格划分模块、施加条件模块、温度分布模块和计算热阻模块；建模模块根据IGBT器件的组件的特性参数建立三维模型；网格划分模块将三维模型进行划分网格；施加条件模块对IGBT器件施加载荷和边界条件；温度分布模块对IGBT器件的三维模型进行温度求解，得到IGBT器件的芯片上表面温度和导热硅脂下表面的温度；计算热阻模块得到IGBT器件的稳态热阻。本发明可以对影响热分布的诸多因素进行计算机模拟,计算结果通过图形化显示直观的温度场分布。
一种获得 igbt 器件系统方法

[发明专利]电子元器件环境老化测试中泄漏电流检测方法及装置-CN201810611740.7在审
发明人：张文亮;朱阳军;李文江;孙浩强;雷小阳 -专利权人：山东阅芯电子科技有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子元器件环境老化测试中泄漏电流检测方法及装置，其对HTRB中、H3TRB中或HTGB中，利用采样电路采集所需的泄漏电流，所述采样电路包括用于与待测半导体器件相应端脚连接的运算放大器，所述运算放大器的同相端接地，运算放大器的反相端与待测半导体器件的端脚连接，且运算放大器的反相端通过放大器反馈电阻与所述运算放大器的输出端连接；在运算放大器的输出端得到输出电压Vout后，泄漏电流ILK＝Vout/RIV，其中，Vout为运算放大器的输出电压，RIV为放大器反馈电路。本发明能有效实现对泄漏电流的检测，且不会影响HTRB、H3TRB、HTGB试验中所施加的电学应力条件，安全可靠。
运算放大器泄漏电流待测半导体器件泄漏电流检测电子元器件采样电路老化测试输出电压反相端端脚放大器反馈电阻放大器反馈输出端连接应力条件有效实现接地输出端同相端电学电路采集施加检测试验

[发明专利]一种超高深宽比的超结制造方法-CN201510271797.3有效
发明人：甘朝阳;江斌;卢烁今;朱阳军 -专利权人：江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2015-05-25 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种超高深宽比的超结制造方法，其包括如下步骤：a、提供第一导电类型的衬底晶圆，并在所述第一导电类型衬底晶圆上淀积第二导电类型导电层，所述第二导电类型导电层全覆盖在衬底晶圆上；b、在上述衬底晶圆上淀积第一导电类型导电层，所述淀积的第一导电类型导电层覆盖在第二导电类型导电层；c、在上述衬底晶圆上重复淀积第一导电类型导电层以及第二导电类型导电层，以在衬底晶圆上得到若干第一导电类型导电层与第二导电类型导电层交替分布的PN柱。本发明工艺步骤简单，与现有工艺相兼容，得到所需深宽比的超结，成本低，安全可靠。
一种高深制造方法

[发明专利]一种沟槽型IGBT结构的制作方法-CN201310085577.2有效
发明人：赵佳;朱阳军;胡爱斌;卢烁今 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型IGBT结构的制作方法，属于半导体技术领域。该方法在N‑型衬底的上表面开出一窗口区域，在窗口区域通过硅的选择氧化方法生长氧化层，在窗口区域的两侧分别刻蚀一沟槽；在N‑型衬底的上表面和沟槽的侧壁均淀积栅氧层，在栅氧层上淀积多晶硅层，刻蚀除两沟槽内和两沟槽之间以外的多晶硅层，在两沟槽的外侧分别形成p‑基底区域，在p‑基底区域形成N+注入区；在p‑基底区域和所述多晶硅层上沉淀隔离氧化层，刻蚀部分隔离氧化层，形成发射器的接触孔。本发明通过在硅表面以下生长氧化层，通过增加电容介质的厚度，减小密勒电容，从而增加了器件的快速反应能力。
一种沟槽 igbt 结构制作方法

[发明专利]一种功率器件的制备方法-CN201310086257.9有效
发明人：吴振兴;朱阳军;田晓丽;卢烁今 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件的制备方法，属于半导体技术领域。该方法包括，在N+型衬底的上表面淀积N型掺杂的非晶硅薄膜层，形成N型的非晶硅场截止层，经高温退火后，通过外延方法在N型的非晶硅场截止层上形成N‑外延层，然后在N‑外延层的上表面形成SiO2薄膜层,在SiO2薄膜层的上表面曝光出环状区域，形成终端的保护环结构；在终端截止环上曝光出最外围的环状区域，然后进行N+型离子注入和退火，形成终端区。本发明通过外延非晶硅形成的N型层作为功率器件的场截止层，剩余的载流子会很快被复合掉，外在表现就是使功率器件关断的拖尾电流变短，减小关断时间及关断损耗。
一种功率器件制备方法

[发明专利]一种绝缘互联散热板及功率模块-CN201210418921.0有效
发明人：王波;朱阳军;陆江;谈景飞;褚为利;张文亮 -专利权人：上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L23/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘互联散热板及功率模块，所述绝缘互联散热板包括：热电偶；第一绝缘层，该第一绝缘层的一侧与所述热电偶的冷端接触，另一侧设置有第一金属层；第二绝缘层，该第二绝缘层的一侧与所述热电偶的热端接触。所述绝缘互联散热板通过热电偶进行散热，当热电偶连接电源后，会将热量由冷端传递到热端进而释放。所以采用所述绝缘互联散热板制备功率模块，当功率芯片工作时，产生的热量会随着热电偶的热量传递而释放到功率模块的外部。可见，本申请所述技术方案为主动散热，通过所述绝缘互联散热板，形成一个温度差，更易于将热量释放到功率模块的外部，所述绝缘互联散热板的高散热效率，有效地保证了功率模块性能的稳定性以及可靠性。
一种绝缘散热功率模块

[外观设计]环境老化综合测试系统-CN201830158904.6有效
发明人：姚启明;孙元鹏;张文亮;朱阳军 -专利权人：山东阅芯电子科技有限公司
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： 10-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：环境老化综合测试系统。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于IGBT测试。3.本外观设计产品的设计要点：该测试系统机柜及操作台的整体造型。4.最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。5.省略视图：本测试系统为固定设备，底部不常见，故省略仰视图。
外观设计综合测试系统测试系统省略老化操作台固定设备整体造型机柜仰视测试图片