专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光刻胶输送系统-CN202011091893.7有效
  • 金在植;张成根;林锺吉;贺晓彬;丁明正;杨涛;李俊峰;王文武 - 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
  • 2020-10-13 - 2023-10-20 - B05C11/10
  • 本发明公开了一种光刻胶输送系统,该光刻胶输送系统包括光刻胶供给瓶、缓冲罐和排液胶泵,其中,缓冲罐的顶部设置有进液口和排液口,进液口与光刻胶供给瓶通过进液管路连通,以使光刻胶流入;缓冲罐的底部设置有光刻胶出口,光刻胶出口用于与光刻胶喷嘴连通,以使光刻胶流入光刻胶喷嘴中;排液胶泵与排液口通过排液管路连通,以抽取缓冲罐中的空气。本发明中排液胶泵通过抽取的方式促使光刻胶进入缓冲罐,降低或避免了光刻胶中产生气泡的可能性;而且排液口设置在缓冲罐的顶部,能够将缓冲罐中的空气以及含有气泡的光刻胶抽取出去,不仅避免了浪费大量光刻胶,而且避免了后续光刻胶涂布时由于气泡造成的晶圆缺陷。
  • 光刻输送系统
  • [发明专利]激光退火反应装置-CN202211487730.X在审
  • 刘金彪;贺晓彬;杨涛;李俊峰;罗军 - 中国科学院微电子研究所
  • 2022-11-22 - 2023-06-02 - H01L21/67
  • 本发明提供一种激光退火反应装置,其包括:高压腔体、载片台、穿透板、第一调压阀和第二调压阀;高压腔体的内部设置有反应腔室,高压腔体的表面开设有照射口、进气口和排气口,照射口、进气口和排气口分别与反应腔室连通;高压腔体用于通过进气口向反应腔室充入反应气体,通过排气口将反应腔室内的反应气体排出高压腔体;第一调压阀固定设置在高压腔体的进气口处;第二调压阀固定设置在高压腔体的排气口处;穿透板位于照射口处并与高压腔体密封连接,穿透板用于使激光穿过穿透板对反应腔室内的晶圆进行激光退火;载片台与高压腔体固定连接,载片台用于承载反应腔室内的晶圆。本发明能够提高晶圆在激光退火后结晶的质量。
  • 激光退火反应装置
  • [发明专利]电子束套刻方法-CN202211532592.2在审
  • 贺晓彬 - 中国科学院微电子研究所
  • 2022-11-29 - 2023-05-16 - G03F9/00
  • 本发明提供一种电子束套刻方法,所述方法包括:在待刻蚀器件上形成电子束标记;在所述电子束标记区域形成保护膜层;采用带有保护膜层的所述电子束标记进行对准,对所述待刻蚀器件进行第一次刻蚀;采用去除保护膜层的所述电子束标记进行对准,对所述待刻蚀器件进行第二次刻蚀。本发明提供的电子束套刻方法,能够采用单个对准标记完成两次刻蚀,减少对准误差,提高半导体器件制备质量。
  • 电子束方法
  • [发明专利]光刻胶分配器以及半导体制造设备-CN202011140748.3有效
  • 李其衡;贺晓彬;丁明正;刘强;杨涛 - 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
  • 2020-10-22 - 2023-05-16 - B05C5/02
  • 本发明提供的一种光刻胶分配器以及半导体制造设备,涉及半导体技术领域,包括:喷嘴壳体上开设有多个内腔,每个内腔对应设置有一个喷嘴,喷嘴装配在喷嘴壳体的外壁并与对应的内腔连通;多个单元喷涂组件与多个内腔一一对应;其中,单元喷涂组件包括单元瓶和驱动装置,单元瓶装配在内腔并与喷嘴连通,驱动装置与单元瓶驱动装配,以驱动单元瓶内的光刻胶沿喷嘴流出。在上述技术方案中,如果需要更换光刻胶时,只需要将该光刻胶分配器内不同单元喷涂组件移动到半导体的对应位置,将装载的不同光刻胶继续进行涂敷工作即可。所以,整个光刻胶的更换过程中并不需要机械结构的改变,只需要选择光刻胶分配器内不同的单元喷涂组件对应进行涂敷工作即可。
  • 光刻分配器以及半导体制造设备

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