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[发明专利]抑制浅沟槽隔离工艺中反向窄沟道效应的方法-CN201210270363.8在审
发明人：陈瑜;罗啸;陈华伦 -专利权人： 上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-07-31 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制浅沟槽隔离工艺中反向窄沟道效应的方法,包括步骤：依次形成第一层二氧化硅和第二层氮化硅；定义有源区并将有源区外部的硬质掩模层去除；进行浅沟槽刻蚀；在浅沟槽的表面形成第三氧化层；采用湿法腐蚀工艺对第二层氮化硅进行刻蚀，将有源区的边缘区域露出；进行带倾角的离子注入，将离子注入到有源区的边缘区域中；填充浅沟槽氧化层；对浅沟槽氧化层进行化学机械研磨。本发明方法通过使有源区边缘暴露后在进行带倾角的离子注入，能提高有源区边缘的掺杂浓度、提高有源区边缘处的金属氧化物半导体器件的阈值电压，降低有源区边缘处器件漏电，能提高器件的性能一致性，能有效抑制浅沟槽隔离工艺中反向窄沟道效应。
抑制沟槽隔离工艺反向沟道效应方法

[发明专利]全面式硅外延工艺光刻对准标记的结构及制作方法-CN201210276111.6有效
发明人：刘继全;高杏 -专利权人： 上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种全面式硅外延工艺光刻对准标记的制作方法，包括步骤：1）在硅衬底上依次生长第一、第二介质膜；其中，第一介质膜为能够阻挡硅晶体生长的膜层；第二介质膜为能够阻挡第一介质膜在其表面生长的膜层；2）刻蚀出光刻对准窗口和光刻对准沟槽；3）在光刻对准窗口和光刻对准沟槽表面生长第一介质膜；4）刻蚀出硅单晶窗口；5）全面式硅外延生长。本发明还公开了应用上述方法制作的光刻对准标记的结构。本发明通过调节外延淀积程序，在光刻对准标记表面形成非淀积区，解决了对准标记在外延生长后变形、消失的问题。
全面外延工艺光刻对准标记结构制作方法

[发明专利]硅片的键合方法-CN201210251956.X有效
发明人：王雷;郭晓波 -专利权人： 上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片的键合方法，包括步骤：提供一载片并对载片进行清洗；在载片表面上进行键合胶水旋涂；对键合胶水进行去边处理；将硅片和载片进行键合，键合后要求保证键合胶水都位于硅片所覆盖区域的内侧。本发明通过在硅片和载片的键合之前，对键合胶水进行去边处理，能够使硅片和载片键合后，在硅片的侧壁不再有键合胶水，这样能够在对硅片进行解离时降低硅片的破片率，尤其是能够有效的解决采用Taikio工艺形成的在外周带有支撑环的硅片在解离时的破片问题，且本发明，能够很好的很现有整体工艺和设备结合，不需要增加额外的成本。
硅片方法

[发明专利]MOS静电保护器件-CN201210253786.9有效
发明人：王邦麟;苏庆 -专利权人： 上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOS静电保护器件，包括：P型衬底上形成有P型阱，所述P型阱中形成有第一P+扩散区用作衬底接出，所述P型阱形成有第一N+扩散区构成静电保护器件的源极，所述P型阱中形成有一N型阱，所述N型阱中形成有分开的第二N+扩散区和第三N+扩散区，所述第二、第三N+扩散区与N型阱共同构成静电保护器件的漏极，所述N型阱中形成有第二P+扩散区，所述P型阱上方的第一多晶硅区构成静电保护器件的栅极，所述N型阱上方形成有第二、第三多晶硅区，第一、第三N+扩散区的一侧分别形成有一场氧化区。本发明要的MOS静电保护器件在确保器件静电保护能力的前提下省去了硅化物刻蚀掩膜版能降低MOS静电保护器件的生产成本。
mos 静电保护器件

[发明专利]一种EEPROM存储单元的制造方法-CN201210262379.4有效
发明人：隋建国;徐丹;左燕丽 -专利权人： 上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种EEPROM存储单元的制造方法，在场氧形成后，直接生长高压氧化层,在隧道区域光刻定义隧道区窗口，以高压氧化层作为隧道区离子注入的阻挡层进行离子注入，然后进行自对准的隧道区窗口湿法刻蚀,然后生长隧道氧化层。由于高压氧化层经离子注入后蚀刻率会相对较快，并且湿法蚀刻各向同性的影响相对减小，所以本发明的EEPROM存储单元的制造方法可改善隧道区窗口的图形更圆滑，制造的EPROM存储单元可靠性高。同时本发明的EEPROM存储单元的制造方法，以隧道区窗口处的高压氧化层作为隧道区离子注入的隔离层离子注入的阻挡层，使隧道区窗口经过一次光刻就能形成，工艺流程简单，生产成本低。
一种 eeprom 存储单元制造方法

[发明专利]静电保护结构-CN201210253787.3有效
发明人：王邦麟;苏庆 -专利权人： 上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电保护结构，包括：N+/P阱二极管和多晶硅二极管；N+/P阱二极管其P阱通过P+扩散区连接地电位,其N+扩散区通过金属连线与多晶硅二极管的矩形P+扩散区相连；多晶硅二极管包括：形成在P-多晶硅衬底上的两个P+扩散区和两个N+扩散区；所述P+扩散区分列于所述N+扩散区两侧，其中一P+扩散区为矩形，另一P+扩散区呈阶梯形结构；所述N+扩散区通过金属连线并连后接电源电位，所述阶梯形P+扩散区通过金属连线接输出/入端口。本发明相比较现有的二极管静电保护结构，能减小输出/入端口到电源与地之间的总电容，减小静电保护结构对高射频电路工作性能的影响，适应射频电路的设计需求。
静电保护结构

[发明专利]防止PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法-CN201210269123.6有效
发明人：陈瑜;罗啸;马斌 -专利权人： 上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法，包括步骤：进行多晶硅淀积，第一段多晶硅淀积形成栅极多晶硅的底层部分，第二段多晶硅淀积形成栅极多晶硅的顶层部分，第二段多晶硅淀积中通入氧气使顶层部分中同时形成一氧化硅阻挡层；栅极多晶硅生长完成后注入硼离子；在栅极多晶硅的表面形成钨硅层。本发明通过在栅极多晶硅生长过程中使其表面形成一层氧化硅阻挡层，该氧化硅阻挡层能防止后续热过程中硼从栅极多晶硅渗透到钨硅层中，多晶硅生长完成后再进行硼离子注入，这样能有效降低硼在钨硅层中的聚集，从而能有效抑制PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的发生，使PMOS器件的阈值电压稳定。
防止 pmos 器件工艺栅极多晶耗尽方法

[发明专利]集成过流保护的MOSFET及制造方法-CN201210248220.7有效
发明人：罗清威;房宝青;左燕丽 -专利权人： 上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-07-18 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成过流保护的MOSFET，内置了NPN型晶体管和源极电阻，该器件在流过源端的电流超过额定值时，NPN型晶体管会自动调节MOSFET栅端电压，从而使器件的源端电流回到正常水平，具有过流的自我保护功能。本发明还公开了所述集成过流保护的MOSFET的制造方法。
集成保护 mosfet 制造方法

[发明专利]深沟槽填充方法-CN201210251945.1有效
发明人：王雷;李伟峰 -专利权人： 上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种深沟槽填充方法，包括步骤：在衬底上形成深沟槽；对衬底表面进行表面预处理；对衬底进行加热处理；在衬底表面喷吐纯水进行预浸润；在衬底表面形成第一层光刻胶；对第一层光刻胶进行热回流。本发明通过在衬底表面涂胶后，对光刻胶软烤之前，增加一个对光刻胶进行热回流的工艺，由于热回流时光刻胶中溶剂成分较多，所以光刻胶的流动性较好，通过加热能使光刻胶产生回流，从而能够增加深沟槽的顶部边角处的光刻胶的厚度，能加强对沟槽顶部边角处的保护；能够在通过两次光刻刻蚀不同深度的沟槽工艺中对深沟槽进行保护，防止在深沟槽的顶部形成缺陷，能提高器件的电性能。
深沟填充方法

[发明专利]TVS器件及制造方法-CN201210276113.5有效
发明人：石晶;钱文生;刘冬华;胡君;段文婷 -专利权人： 上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种TVS器件，利用在外延层中刻蚀沟槽并填入本征多晶硅及重掺杂的多晶硅以引出电极，使其耗尽区宽度增大，电容减小。本发明还公开了所述TVS器件的制造方法。
tvs 器件制造方法

[发明专利]监测芯片内部电位的聚焦离子束方法-CN201210262421.2有效
发明人：马香柏;芮志贤;张君 -专利权人： 上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种监测芯片内部电位的聚焦离子束方法，包括：步骤1、对芯片做表面处理；步骤2、用聚焦离子束暴露出需要做桥联的监测节点A；步骤3、通过版图检查，找出距离所述监测节点A最近的不相关焊盘B点位置并将所述监测节点A和所述焊盘B进行桥联；步骤4、实现所述监测节点A和所述焊盘B之间桥联以后，采用聚焦离子束切除焊盘B的负载，使所述焊盘B处于浮空状态；步骤5、进行打线操作，把所述焊盘B引至封装端并连接到测试仪，进行动态信号或者多通道信号测量。本发明能在现有调查中推进使用，可以小成本快速排除设计问题或者工艺问题。
监测芯片内部电位聚焦离子束方法

[发明专利]可调电极间距及平行度的刻蚀腔-CN201210249414.9有效
发明人：李顺义 -专利权人： 上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-07-18 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调电极间距及平行度的刻蚀腔，包括；一腔体，所述腔体为圆柱形腔体；一上电极，固定安装在所述腔体的上顶面；一下电极，固定安装在所述腔体的下底面；所述腔体中设置一可变腔体，用于调节所述上下电极之间的距离与平行度。本发明能既可以做到上下电极的距离可变并且可以让上下电极的水平度坐适当调整，优化面内均匀性。可以保证直径200mm的晶圆内任意个测试点，均匀性小于2%，同时刻蚀速率没有明显变化，满足特殊制品的需要。
可调电极间距平行刻蚀

[发明专利]抑制PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法-CN201210266287.3有效
发明人：陈瑜;罗啸;马斌 -专利权人： 上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法，包括步骤：在栅极多晶硅中注入硼离子；在栅极多晶硅表面注入铟离子；在栅极多晶硅的表面形成钨硅层。本发明通过在PMOS器件的栅极多晶硅硼注入之后，再进行铟注入，通过铟注入使栅极多晶硅表面发生固态相变，并使栅极多晶硅的表面形成晶界缺陷得到减少的多晶硅新核，多晶硅新核的形成能够降低掺杂原子的扩散速率，阻止硼向栅极多晶硅的表面扩散，能够降低在后续热过程中促使硼渗透到钨硅层中的风险，从而能有效抑制PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽现象的发生，使PMOS器件的阈值电压稳定。
抑制 pmos 器件工艺栅极多晶耗尽方法

[发明专利]具有自对准接触孔与硅化物的器件及其制造方法-CN201210262516.4无效
发明人：谭颖 -专利权人： 上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有自对准接触孔与硅化物的器件，自对准接触孔的底部直接与硅接触，常规接触孔底部直接与硅化物接触。其制造方法为：在硅片上划分出采用自对准接触孔刻蚀工艺的第一区域和不采用自对准接触孔刻蚀工艺的第二区域。在硅片上淀积用于形成硅化物的金属之前，先在第一区域之上完整覆盖介质保护层。然后形成硅化物。接着去除残留的金属、以及第一区域的介质保护层。最后淀积金属前介质，并在第一区域以自对准刻蚀工艺、在第二区域以常规刻蚀工艺分别形成接触孔。本申请兼顾了自对准接触孔与硅化物两者的优势，又避免了两者所各自存在的缺陷。
具有对准接触硅化物器件及其制造方法

[发明专利]提高高压LDMOS器件击穿电压的结构-CN201210283176.3无效
发明人：宁开明;董科;武洁;董金珠 -专利权人： 上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-08-10 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高高压LDMOS器件击穿电压的结构，所述LDMOS器件的硅衬底上形成由深阱构成的漂移区；深阱中形成有场氧化层，场氧化层下方形成有一埋层，靠近漏区的一侧场氧化层上形成有漏区多晶场板，另一侧形成有栅极多晶场板；硅衬底中形成一阱区，阱区内形成由第一掺杂区组成的源区，深阱中形成由第二掺杂区组成的漏区；第一掺杂区通过源区金属场板引出源极，漏区通过漏区金属场板与漏区多晶场板相连；源区金属场板与漏区金属场板之间形成有栅极金属场板；漂移区上方还形成有至少一条场板。本发明可以改变电场分布，提高漂移区的电场强度，同时对源漏两端的电场强度影响较小，使器件的整个电场积分面积增大，有效地提高了高压LDMOS器件的耐压水平。
提高高压 ldmos 器件击穿电压结构

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