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[发明专利]基板处理方法及基板处理装置-CN201810903028.4有效
发明人：西出基;伊豆田崇 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明供一种基板处理方法以及基板处理装置，能够抑制从喷嘴的喷出口吹溅液体。该基板处理方法包括第一步骤与第二步骤。第一步骤中，将硫酸与双氧水的混合液，通过配管从喷嘴喷向基板。第一步骤之后，在第二步骤中，将双氧水通过配管从喷嘴喷向基板。第一步骤包括：(A)将所述混合液开始导入至所述配管的混合液导入开始步骤；(B)在(A)之后，向所述配管停止导入所述硫酸的混合液导入停止步骤；(C)在所述混合液与所述双氧水的界面部形成气体层的气体层形成步骤；(D)在与(B)同时或其刚结束后，降低导入至所述配管的所述双氧水的流量或者使流量为零的缓冲步骤。
处理方法装置

[发明专利]掺硼p型硅晶片的蚀刻方法、金属污染评价方法及制造方法-CN201880091625.X有效
发明人：加藤宏和;山下崇史 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种掺硼p型硅晶片的蚀刻方法，包括：通过将含臭氧的气体及氢氟酸雾引入腔室内进行混合，来调制蚀刻气体；以及通过使电阻率为0.016Ωcm以下的掺硼p型硅晶片的表面与上述蚀刻气体接触，来将上述掺硼p型硅晶片的表层区域气相分解；且还包括：以3000sccm以上的流量将上述含臭氧的气体引入上述腔室内；以及通过雾化氟化氢浓度为41质量％以上的氢氟酸来调制上述氢氟酸雾。
掺硼晶片蚀刻方法金属污染评价制造

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质-CN201780094844.9有效
发明人：小川有人 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明的课题是抑制回蚀时暴露出来的蚀刻对象膜以外的膜与蚀刻气体的反应。解决手段是进行以下工序：对于在表面形成了第一金属膜的开口部中埋入了第二金属膜的基板，供给含氧气体和含氟蚀刻气体来对所述第二金属膜进行回蚀的回蚀工序；和，将所述含氧气体和所述含氟蚀刻气体除去的除去工序。
半导体装置制造方法处理记录介质

[发明专利]配线形成方法以及基板处理装置-CN202180087812.2在审
发明人：鳅场真树;岩﨑晃久 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：配线形成方法具备搬入工序(S1)、蚀刻工序(S3)以及还原工序(S6)。在搬入工序(S1)中，将形成有金属配线部的基板搬入至腔室内。在蚀刻工序(S3)中，对基板供给氧化性气体，从而蚀刻金属配线部的一部分。在还原工序(S6)中，对基板供给还原性气体，从而将通过蚀刻工序(S3)所形成的金属配线部的氧化膜予以还原。
线形成方以及处理装置

[发明专利]基板处理方法及硼掺杂硅的去除方法-CN201780037107.5有效
发明人：笹原丽红;黄祖虹;奥村哲平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明提供能够适当地蚀刻硼掺杂硅的基板处理方法。具有由SiB形成的SiB层(40)的晶圆W暴露于氟气及氨气中，对由载物台(12)载置的晶圆W进行加热。
处理方法掺杂去除

[发明专利]干式蚀刻方法-CN201880068626.2有效
发明人：铃木圣唯;八尾章史 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明提供一种干式蚀刻方法，其特征在于，使包含氟化氢及含氟羧酸的混合气体于小于100℃且无等离子体地与氮化硅接触，蚀刻所述氮化硅。所述含氟羧酸的量优选为所述氟化氢与所述含氟羧酸的合计量的0.01体积％以上。作为所述含氟羧酸，可列举单氟乙酸、二氟乙酸、三氟乙酸、二氟丙酸、五氟丙酸、七氟丁酸等。通过该干式蚀刻方法，能以高蚀刻速率蚀刻氮化硅，对氧化硅及多晶硅具有高选择比，可抑制对氧化硅的损伤。
蚀刻方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法和半导体衬底及其减薄方法-CN202111655906.3在审
发明人：赵丹;秦博;卢汉汉 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法和半导体衬底及其减薄方法，其中，半导体器件的制备方法包括：提供半导体衬底；对半导体衬底进行离子注入，以在半导体衬底内部形成损伤层，其中，损伤层将半导体衬底分为第一衬底和第二衬底；对形成损伤层的半导体衬底进行加热处理以使损伤层转化为可剥离层；将第二衬底从可剥离层处进行剥离。本发明实施例的半导体器件的制备方法，不仅减小衬底减薄时所受应力而碎裂的隐患，还能灵活控制衬底厚度，满足半导体器件对衬底厚度的需求，提高器件良率。
半导体器件及其制备方法半导体衬底

[发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置-CN202180066737.1在审
发明人：出张俊宪;笹原丽红;奥村哲平;郑雄铉;旭健史郎;阿部宽之;金承珉 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：蚀刻方法具备如下工序：将具有层叠第1氧化硅系膜与氮化硅系膜与第2氧化硅系膜而成的3层层叠膜的基板设置于腔室内的工序；和，在腔室内，使用HF‑NH3系气体，调整各膜中的气体比的同时对3层层叠膜进行蚀刻的工序。
蚀刻方法装置

[发明专利]蚀刻方法-CN202180053507.1在审
发明人：青木雄太郎;木村将之;山下敦史 -专利权人：株式会社ADEKA
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：蚀刻方法，是通过原子层蚀刻法对含有基体和在其表面形成的金属氧化膜的层叠体中的该金属氧化膜进行蚀刻的方法，其具有：在收容了该层叠体的处理气氛内导入选自醇化合物、醛化合物及酯化合物中的至少一种的被氧化性化合物的第1工序；和在该第1工序后在该处理气氛内导入氧化性气体的第2工序。
蚀刻方法

[发明专利]一种激光减薄的碳化硅晶圆背面工艺-CN202310143825.8在审
发明人：周曙华;李旻姝;蒋雪娇;汪智灵 -专利权人：浙江萃锦半导体有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明属于半导体工艺领域，具体为一种激光减薄的碳化硅晶圆背面工艺，包括步骤一：在SiC晶圆正面通过键合胶键合一层玻璃片，用于保护正面的器件结构；步骤二：利用激光在SiC晶圆背面的特定深度形成角质层点平面；步骤三：在SiC晶圆背面再键合一层玻璃片；步骤四：分离碳化硅晶圆衬底；步骤五：对分离的SiC表面进行表面处理；步骤六：在碳化硅背面沉积欧姆接触金属并激光退火；步骤七：在碳化硅背面沉积金属；步骤八：将沉积完背面金属的碳化硅晶圆贴膜固定到切割框架上；步骤九：解离键合正面的玻璃，其通过激光在碳化硅晶圆衬底的特定厚度改质后，实现将衬底一分为二的减薄功能，同时分出的另一半背面的衬底可以进行二次利用，避免了浪费。
一种激光碳化硅背面工艺

[发明专利]碳化硅晶圆划片方法-CN202211723365.8在审
发明人：孙炎权;蒋卫娟;朱涛;喻双柏 -专利权人：基本半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本申请提供了一种碳化硅晶圆划片方法，所述划片方法包括：于待处理的碳化硅晶圆的一表面设置第一保护膜；对碳化硅晶圆的另一表面进行划片，在所述另一表面形成划槽；在已经形成所述划槽的另一表面设置第二保护膜，得到预制品；在所述一表面沿着预设区域对所述预制品进行裂片，得到分割的芯片，所述预设区域位于所述一表面且正投影于所述划槽。本申请中采用另一表面划片和一表面裂片结合的方式，经过划片处理后产生划槽，在进行裂片处理时，预制品的局部应力集中在划槽处，通过作用于一表面的预设区域，使得预制品较易在预设区域发生断裂，从而使得碳化硅晶圆分割成芯片。
碳化硅划片方法

[发明专利]功率整流器件-CN201810797114.1有效
发明人：安德烈·康斯坦丁诺夫 -专利权人：飞兆半导体公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种功率整流器件，包括：包括n‑型导电性的碳化硅的漂移层；设置在所述漂移层上的肖特基电极，所述肖特基电极和所述漂移层的表面提供肖特基接触。所述功率整理器件还可以包括设置在所述肖特基电极下面的p‑型区域阵列。
功率整流器件

[发明专利]微粒去除方法和基板处理方法-CN201711377005.6有效
发明人：佐藤润;米泽雅人;千叶贵司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够减少残留在所涉及的蚀刻后的膜的表面上的微粒的微粒去除方法和基板处理方法。一种微粒去除方法，去除使用含氟气体进行蚀刻后的膜上的微粒，所述微粒去除方法包括以下工序：向所述进行蚀刻后的膜上供给在被活化后的含氧气体中添加了氢的混合气体。
微粒去除方法处理

[发明专利]基板处理方法-CN201780011940.2有效
发明人：今井宗幸;清水昭贵 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-02-07 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：在对形成于晶圆的表面的SiO2膜蚀刻到到达下层之前的中途阶段时，对粗糙度进行改善。在对形成于晶圆(W)的表面的SiO2膜(1)蚀刻到到达下层之前的中途阶段时，对SiO2膜(1)的表面照射氧自由基(102)来进行亲水化之后，利用NH3气体和HF气体对所述SiO2膜(1)进行了蚀刻。因此，能够使NH3气体和HF气体均匀地吸附于SiO2膜(1)的表面。因而，SiO2膜(1)的表面被均匀地进行蚀刻，在对SiO2膜(1)蚀刻到到达下层之前的中途阶段时也能够改善表面的粗糙度(Roughness)。
处理方法

[发明专利]一种超薄晶圆及柔性芯片制备方法及柔性芯片-CN202211567331.4在审
发明人：冯雪;陈颖;简巍;叶柳顺 -专利权人：清华大学;浙江清华柔性电子技术研究院
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本公开涉及一种超薄晶圆及柔性芯片制备方法及柔性芯片，所述方法包括：对所述晶圆的晶圆背面进行机械研磨，其中，所述晶圆的晶圆正面设置有保护膜；在所述晶圆的晶圆厚度降低到目标研磨厚度的情况下，将晶圆置入化学腐蚀溶液，以对所述晶圆背面进行化学腐蚀；在化学腐蚀的时长达到预设时长的情况下，对晶圆进行划片，得到多颗芯片，并将各颗芯片转移到临时衬底上；对所述芯片进行反应离子刻蚀，以将所述芯片的芯片厚度降低到目标厚度；将所述芯片转印到柔性衬底，得到柔性芯片。本公开实施例实现最大限度地降低芯片厚度，不削弱器件的正常性能，并且能够有效消除前序机械磨削在材料内引入的损伤，削弱超薄芯片的残余应力，减小芯片的翘曲变形。
一种超薄柔性芯片制备方法

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