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[发明专利]一种光罩版及其制造方法-CN202310532667.5在审
发明人：麦启章;曹丹丹;康龙;胡瑶;董国庆;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：本发明提供一种光罩版及其制造方法，通过在基础光罩版上固设保护膜，由于保护膜用于与晶圆直接接触，可以实现对基础光罩版上的图形进行保护，使基础光罩版本身不受到损伤，其中，保护膜的材料为氟碳树脂，且保护膜的厚度为1μm～2μm，由于保护膜的高透光率，以及较小的厚度，不会使得曝光图形发生畸变，即不会对光刻工艺产生影响，另外，相比于传统的光罩版而言，将微尘对光罩版的影响降到最小，节省了清洗光罩版的时间。
一种光罩版及其制造方法

[发明专利]相移掩模坯、相移掩模以及相移掩模的制造方法-CN202180054819.4在审
发明人：黑木恭子;松井一晃;小岛洋介 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：提供能够充分地抑制掩模上的雾度的产生的相移掩模坯、雾度缺陷少的相移掩模以及该相移掩模的制造方法。本实施方式涉及的相移掩模坯(10)是用于制作适用于波长为200nm以下的曝光光的相移掩模的相移掩模坯，具备基板(11)和形成在基板(11)上的相移膜(14)，相移膜(14)具备：对于透射的曝光光能够分别调节预定量的相位和透射率的相位层(12)；和形成在相位层(12)上、阻止气体向相位层(12)透过的保护层(13)，在将相位层(12)的膜厚设为d1并将保护层(13)的膜厚设为d2时，相位层(12)的膜厚(d1)比保护层(13)的膜厚(d2)厚，保护层(13)的膜厚(d2)为15nm以下。
相移掩模坯以及制造方法

[发明专利]包括保护膜的光掩模-CN202210503392.8在审
发明人：河泰中 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：提供了包括保护膜的光掩模。光掩模可以包括基板和保护膜，并且掩模图案可以设置在基板上。保护膜可以包括提供多个孔的碳纳米管膜。保护膜可以包括位于碳纳米管膜上的涂层。
包括保护膜光掩模

[发明专利]具有涂层的光学组件和使用方法-CN202210767783.0在审
发明人：李伟豪;许倍诚;李环陵;连大成;李信昌;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：本公开涉及具有涂层的光学组件和使用方法。经涂覆的纳米管和纳米管束被形成为用于EUV光刻系统中的光学组件的膜。这些光学组件可用于对半导体衬底上的材料进行图案化的方法。这样的方法涉及在UV光刻系统中产生UV辐射。UV辐射穿过光学组件，如薄膜组件的涂覆层。穿过涂覆层的UV辐射穿过单个纳米管的矩阵或纳米管束的矩阵。穿过单个纳米管的矩阵或纳米管束的矩阵的UV辐射从掩模反射并在半导体衬底处接收。
具有涂层光学组件使用方法

[实用新型]带护膜的光掩模、曝光系统及平板显示器用屏的制造系统-CN202220827623.6有效
发明人：関原一敏 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：本实用新型提供一种带护膜的光掩模、曝光系统及平板显示器用屏的制造系统，此护膜的至少一条边的边长超过1000mm，且当安装于光掩模的护膜高速移动时，护膜膜片的摇晃量小。本实用新型的护膜包含至少一条边长超过1000mm的护膜框、及粘接于其一个框状面的护膜膜片而构成，且所述护膜，其中，对于护膜膜片，在与相互平行且为线对称的一对护膜框边平行的方向赋予有1％以上且2.5％以下的拉伸应变。本实用新型可降低在曝光机或异物检查机内护膜膜片接触装置零件的危险性。
带护膜光掩模曝光系统平板显示器用制造

[发明专利]光掩模、光掩模坯、半导体器件的制造方法-CN202210472956.6在审
发明人：郑珉交;金星润;孙晟熏;申仁均;崔石荣;金修衒;金圭勋;李亨周 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：本实施方式涉及光掩模等，光掩模包括透光基板及多层遮光图案膜。多层遮光图案膜包括第一遮光膜和第二遮光膜。多层遮光图案膜的侧面包括检测区间，检测区间对应于在多层遮光图案膜的侧面中从第一遮光膜的上表面向第一遮光膜的下表面隔开间隔的点和从第二遮光膜的下表面向第二遮光膜的上表面隔开间隔的点之间的区间。检测区间的表面粗糙度Wr满足第一式：0Wr‑Wo≤3。在第一式中，Wo为在浸泡和清洗工序之前的检测区间的表面粗糙度。Wr是为在SC‑1溶液中浸泡800秒并用臭氧水清洗之后的检测区间的表面粗糙度。SC‑1溶液是包含NH4OH、H2O2及H2O的溶液。臭氧水是使用以超纯水作为溶剂的含有20ppm臭氧的溶液。
光掩模光掩模坯半导体器件制造方法

[发明专利]掩模板及其制作方法、以及采用掩模板进行图案化的方法-CN201910754366.0有效
发明人：尹利;王庆浦;张志;方振中;李必生 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：一种掩模板及其制作方法和采用掩模板进行图案化的方法。该掩模板包括第一开口，被配置为图案化功能基板的光学胶层以形成第一保护层，功能基板还包括衬底基板和多条导线，多条导线在衬底基板上的正投影落入第一保护层在衬底基板上的正投影，N种功能基板中的每一种的第一保护层在第一方向上的尺寸为Li，N种功能基板中的每一种的导线的宽度Wi；第一开口在第一方向上的尺寸X大于N种功能基板中的Wi中数值最小的功能基板的第一保护层在第一方向上的尺寸Lmin1，功能基板还包括绑定区域，第一方向垂直于从功能区域到绑定区域的方向。由此，该掩模板的制作方法制作的掩模板可共用于不同款式的产品，从而降低开案成本。
模板及其制作方法以及采用进行图案方法

[发明专利]护膜、曝光方法及平板显示器用屏的制造方法-CN202210376691.X在审
发明人：関原一敏 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：本发明提供一种护膜、曝光方法及平板显示器用屏的制造方法，此护膜的至少一条边的边长超过1000mm，且当安装于光掩模的护膜高速移动时，护膜膜片的摇晃量小。本发明的护膜包含至少一条边长超过1000mm的护膜框、及粘接于其一个框状面的护膜膜片而构成，且所述护膜，其中，对于护膜膜片，在与相互平行且为线对称的一对护膜框边平行的方向赋予有1％以上且2.5％以下的拉伸应变。
护膜曝光方法平板显示器用制造

[实用新型]掩膜版及曝光机-CN202220580987.9有效
发明人：司继伟;刘玉闯;陈德浇 -专利权人：深圳市路维光电股份有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种掩膜版及曝光机。本实用新型的掩膜版包括：基板、防护层和刻蚀层。基板，所述基板能够透光；防护层，设置于所述基板至少一侧的表面上，能够透光；刻蚀层，连接于一侧所述防护层背离所述基板的表面，且所述刻蚀层形成有贯通的透光槽；其中，所述防护层与所述基板之间的接触面积，大于所述刻蚀层与相邻所述防护层之间的接触面积。这种掩膜版能够改善刻蚀层的附着效果，提高掩膜版的使用寿命。
掩膜版曝光

[发明专利]一种光掩模生长透明薄膜的表面保护方法-CN202210709203.2在审
发明人：施维 -专利权人：广州新锐光掩模科技有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：本发明提供一种光掩模生长透明薄膜的表面保护方法，其中，包括如下步骤：提供第一光掩膜，所述第一光掩膜为已完成图形制作的光掩膜；在所述第一光掩膜的表面形成透明薄膜，得到表面具有所需厚度的透明薄膜的第二光掩膜；对所述第二光掩膜的横向厚度进行去除；保留所述第二光掩膜的部分或全部竖向厚度作为钝化层。本发明的光掩模生长透明薄膜的表面保护方法可用于提高清洗良率、提高图形品质达标率或降低报废率。
一种光掩模生长透明薄膜表面保护方法

[发明专利]掩模坯料、转印用掩模的制造方法、以及半导体器件的制造方法-CN201880014226.3有效
发明人：野泽顺;大久保亮;宍户博明 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：在透光性基板(1)上层叠有由含有选自硅及钽中的一种以上的元素的材料构成的遮光膜(2)和由含有铬、氧以及碳的材料构成的硬质掩膜(3)。硬质掩膜(3)是在该表面及其附近区域具有氧含量增加的组分倾斜部的单层膜，通过X射线光电子能谱法分析而得到的(N1s)的窄谱的最大峰值为检测下限值以下，硬质掩膜(3)的除组分倾斜部之外的部分的铬含量为50原子％以上，在通过X射线光电子能谱法分析而得到的(Cr2p)的窄谱在574eV以下的结合能处具有最大峰值。
坯料转印用掩模制造方法以及半导体器件

[发明专利]EUV光刻用防护膜及其制造方法-CN201810511606.X有效
发明人：南基守;李昌焄;洪朱憙;朴铁均 -专利权人：思而施技术株式会社
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种极紫外(EUV)光刻用防护膜。该防护膜可以包括：支撑层图案，其通过蚀刻支撑层而形成；防护膜层，其形成在所述支撑层图案上；和蚀刻停止层图案，其形成在所述支撑层图案与所述防护膜层之间，并且在蚀刻所述支撑层时通过对停止蚀刻的蚀刻停止层进行蚀刻而形成。因此，本发明提供了一种EUV光掩模用防护膜，其在具有最小厚度的同时保持了高的EUV曝光光线透过率，并且机械强度和热特性优异。
euv 光刻防护及其制造方法

[发明专利]用于暴露到极紫外光的护膜以及光刻系统-CN201810264409.2有效
发明人：全桓徹;金文子;权星元;金熙范;丁昶荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：根据示例性实施例，提供一种用于暴露到极紫外光(extreme ultraviolet light，EUVL)的护膜以及一种光刻系统，所述护膜包括护膜膜片以及贴合到所述护膜膜片的框架，其中所述护膜膜片包括碳系主层以及硼系增强层，所述碳系主层具有彼此相对的第一表面与第二表面，所述硼系增强层覆盖选自所述第一表面与所述第二表面中的至少一个表面。根据示例性实施例的护膜可在极紫外光曝光环境中使用较长的时间段。
用于暴露紫外光以及光刻系统

[发明专利]光罩表层膜及其形成方法-CN202210069623.9在审
发明人：林云跃;游振杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：本发明实施例涉及光罩表层膜及其形成方法。在衬底上方沉积第一覆盖层。在第一覆盖层上生长纳米线网络。在纳米线网络上沉积第二覆盖层。蚀刻衬底以形成表层膜的框。将第一覆盖层和第二覆盖层图案化以形成表层膜的薄膜，其中图案化使第一覆盖层和第二覆盖层的材料减少以在纳米线上形成涂层。
表层及其形成方法

[发明专利]用于EUV光刻的防护膜及其制造方法-CN201810182229.X有效
发明人：南基守;李昌焄;洪朱憙;朴铁均 -专利权人：思而施技术株式会社
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：本发明公开了极紫外(EUV)光刻用防护膜及其制造方法，该防护膜的EUV曝光光线的透过率优异，且具有优异的机械强度。该防护膜包括支撑层图案；形成在所述支撑层图案上的埋入式氧化物层图案；以及由所述埋入式氧化物层图案支撑的防护膜层。该防护膜还可以包括用于增强防护膜层的机械强度的增强层，用于额外补充增强层的机械强度的辅助层以及用于使防护膜层散热的散热层。
用于 euv 光刻防护及其制造方法

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