专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于激光相互应用的可水洗的耐热且耐等离子体涂层-CN202080028318.4有效
  • 约翰·克莱昂·摩尔 - 约翰·克莱昂·摩尔
  • 2020-02-25 - 2023-09-19 - H01L21/00
  • 描述了用于通过等离子体单一化工艺从基板单一化易碎器件的组合物和方法。证明了包含同时表现出耐热性和水溶性的成分的耐热涂层。这些具有高紫外光相互作用的成分允许激光相互作用以为薄而小的器件制造掩模,例如,薄至150微米或更小的基板,或存在侧边测量为1mm或更小的器件。提供了将该组合物应用于无机基板的方法,通过该方法,紫外线源激光与表面相互作用并产生掩模,该掩模随后在等离子体室中处理以分离(单一化)基板内的器件,然后用水冲洗以去除/溶解激光相互作用和等离子体保护层。冲洗和清洁后,通过拾取和放置工具将器件最终集成到电子电路中。本发明的涂层是一种可水洗的产品,可实现激光和等离子体操作的高选择性。
  • 用于激光相互应用水洗耐热等离子体涂层
  • [发明专利]后侧晶片修改-CN202180076269.6在审
  • D·沃尔珀特;D·J·德舍纳;L·A·克莱文格;M·罗曼;S·戈什 - 国际商业机器公司
  • 2021-11-01 - 2023-07-14 - H01L21/00
  • 一种方法可包括获得晶片的特性数据。特性数据可对应于处于处理状态的晶片,并且可包括晶片的一组应力值。该晶片可以包括前侧、与前侧相对的后侧、以及一组区域。该一组应力值可以包括对应于第一区域的第一应力值。在处理状态下,可以在晶片的前侧上完成一个或多个前侧处理。该方法可以包括确定第一应力值超过应力阈值并生成补偿图。补偿图可以标识用于形成一个或多个沟槽的一个或多个区域。该方法可以包括基于补偿图,发起在第一区域中的晶片的后侧上形成第一沟槽。
  • 晶片修改
  • [发明专利]沟槽式电容器及其制造方法-CN201880001028.3有效
  • 陆斌;沈健 - 深圳市为通博科技有限责任公司
  • 2018-08-08 - 2023-05-02 - H01L21/00
  • 本申请实施例涉及沟槽式电容器及其制造方法。该电容器的制造方法包括:在SOI衬底的半导体层(100)制作深度到达中间绝缘层的沟槽(107);还可以通过选择性外延生长的技术,在沟槽(107)侧壁生长半导体层(100)的外延层,进一步缩减沟槽宽度;在沟槽(107)中填充电绝缘材料(110);最后通过表面电极再分布制作电容器的两个电极(111,112)。本申请实施例的沟槽式电容器及其制造方法,其工艺流程简单,且所制造的电容兼具高电容密度和高击穿电压两个优点。
  • 沟槽电容器及其制造方法
  • [发明专利]一种应用于陶瓷管壳生产的叠片方法和系统-CN202310016983.7有效
  • 徐祖峰;陆玉峰;孙荣通;王保平 - 江苏泰治科技股份有限公司
  • 2023-01-06 - 2023-04-11 - H01L21/00
  • 本发明公开了一种应用于陶瓷管壳生产的叠片方法和系统,所述方法通过在将生瓷片进行贴框工序时将钢框与当前的生瓷片进行绑定,使得叠片系统中产生每一片生瓷片的唯一管控码与钢框号进行绑定;然后将已经承载生瓷片的钢框放置到生产流转载具提篮中,同时记录提篮与钢框的绑定关系;基于产品设定生瓷片的叠片筛选良品匹配度管控颗粒度和管控区域;通过在陶瓷加工生产过程中记录生瓷片对应区域的不良情况;在叠片工序时,叠片系统根据叠片机台待叠片的提篮以及配置的良品匹配度规则进行可视化的叠片推荐。本发明不仅适用于自动化程度不高的手动叠片工序,而且还适用于自动化程度较高的自动叠片机台,提高了产出生瓷件的良品率、同时提高了作业效率。
  • 一种应用于陶瓷管壳生产方法系统
  • [实用新型]一种适用于BGA芯片植球的高精度定位装置-CN202222980817.2有效
  • 张勇 - 张勇
  • 2022-11-09 - 2023-03-24 - H01L21/00
  • 本实用新型公开了涉及一种适用于BGA芯片植球的高精度定位装置,属于芯片植球技术领域,包括底座和设置在底座上的活动架,所述底座为长方体结构且上表面设置有挡板,所述挡板上活动设置有活动架,所述活动架上开设有夹槽,所述夹槽的内部设置有多根伸缩杆,所述伸缩杆上连接有夹板,所述夹板上抵接有固定架,所述固定架包括盖板、模具和底板,所述底板上开设有与模具相互配合的卡槽,所述卡槽的内部居中设置有调节槽,所述调节槽的内部活动设置有卡块,所述底座的底端面上阵列设置有多个支座,所述底座上设置有与活动架连接的推杆。该适用于BGA芯片植球的高精度定位装置,结构简单,设计合理,具有很好的实用性。
  • 一种适用于bga芯片高精度定位装置
  • [发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201710906665.2有效
  • 焦继伟;刘京 - 上海新微技术研发中心有限公司
  • 2017-09-29 - 2023-03-21 - H01L21/00
  • 本申请提供一种半导体器件及其形成方法,其中该形成方法包括:在半导体衬底的正面形成第一腔;其中,连接通道的侧壁与第一腔的剩余部分底面连接在一起,以形成阻挡部,并且从正面到背面的方向,连接通道与阻挡部交叠;形成器件层,器件层支撑于正面且面对第一腔;在半导体衬底的背面形成第二腔,第二腔与连接通道共用开口,从正面到背面的方向上,开口在阻挡部的投影位于阻挡部的范围内。利用本技术方案,由于开口在阻挡部的投影位于阻挡部范围内,阻挡部对开口形成遮挡,阻挡从开口流出的腐蚀性物质,使腐蚀性物质无法直接冲击器件层,避免器件层遭到腐蚀而受损,确保半导体器件性能良好。
  • 半导体器件及其形成方法

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