“掺杂的”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果39390687个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]掺杂气发生装置-CN201110410109.9有效
发明人：张仲夏;李徽;张阳天;林津;刘建华 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： G01N27/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种为离子迁移谱仪提供反应气的掺杂气发生装置，包括：掺杂罐；进气管，所述进气管的进口端与载气气路的上游侧连接，其出口端与掺杂罐连接；出气管，所述出气管的进口端与掺杂罐连接，其出口端与载气气路的下游侧连接；掺杂气发生单元，其用于释放掺杂剂气体，其中掺杂气发生单元置于所述掺杂罐中；所述掺杂罐的下端设置有可拆卸地连接到掺杂罐上的底盖，所述底盖上设置有固定所述掺杂气发生单元的支架。通过将用于释放掺杂气体的掺杂气发生单元置于所述掺杂罐中，本发明的掺杂气不仅可用固态掺杂剂，也可以用于液态掺杂剂。
掺杂发生装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201911014964.0有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成第一掺杂层，第一掺杂层具有露出基底的开口；在开口中形成第二掺杂层，第二掺杂层的掺杂离子与第一掺杂层的掺杂离子类型相同，且第二掺杂层的掺杂离子浓度低于第一掺杂层的掺杂离子浓度；在第二掺杂层上形成半导体沟道柱。本发明实施例中的半导体沟道柱形成在具有较低离子掺杂浓度的第二掺杂层上，使得第一掺杂层或第二掺杂层中的掺杂离子不易扩散进入半导体沟道柱中，这有利于改善半导体结构的短沟道效应，优化半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种齐纳二极管及齐纳二极管制作方法-CN202210072201.7在审
发明人：郝雪东;李大哲;于航 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供的齐纳二极管及齐纳二极管制作方法，齐纳二极管包括衬底、位于衬底一侧的掺杂区。掺杂区包括环形掺杂区及位于环形掺杂区的中心区域的中心掺杂区，环形掺杂区包括第一环形掺杂区及第二环形掺杂区，其中，第一环形掺杂区位于所述中心掺杂区的外周，第二环形掺杂区位于第一环形掺杂区的外周，第一环形掺杂区的掺杂深度大于中心掺杂区的掺杂深度以及第二环形掺杂区的掺杂深度如此设置，在齐纳二极管两端施加反向击穿电压时，可以分两次击穿，首先由中心掺杂区所对应的位置先击穿，然后整个环形掺杂区所对应的位置击穿，由于中心掺杂区的直径较小产生的漏电流较小，可以改善产品的击穿特性。
一种齐纳二极管制作方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710160284.4有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的基底中形成轻掺杂区；形成轻掺杂区之后，在位于所述栅极结构两侧的基底中形成源漏重掺杂区，所述源漏重掺杂区的掺杂离子浓度大于所述轻掺杂区的掺杂离子浓度；形成所述源漏重掺杂区之后，在部分所述轻掺杂区中形成反型掺杂区，且所述反型掺杂区位于所述源漏重掺杂区与剩余轻掺杂区之间，所述反型掺杂区的掺杂离子类型与所述源漏重掺杂区的掺杂离子类型不同本发明形成的半导体结构的可靠性得到提高。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]具有梯度掺杂分布的半导体器件-CN201110317909.6有效
发明人：黄志翔;杨丰诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-10-18 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上方形成栅极。该方法包括实施第一注入工艺，从而在衬底中形成第一掺杂区域，第一掺杂区域邻近栅极。该方法包括实施第二注入工艺，从而在衬底中形成第二掺杂区域，第二掺杂区域形成得比第一掺杂区域距离栅极更远，第二掺杂区域的掺杂浓度级比第一掺杂区域的掺杂浓度级更高。该方法包括去除第一掺杂区域的部分和第二掺杂区域的部分，从而在衬底中形成凹槽。该方法包括在凹槽中外延生长第三掺杂区域，第三掺杂区域的掺杂浓度级比第二掺杂区域的掺杂浓度级更高。本发明还提供一种具有梯度掺杂分布的半导体器件。
具有梯度掺杂分布半导体器件

[实用新型]太阳能电池片-CN201821556074.3有效
发明人：刘志强;费正洪 -专利权人：盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种太阳能电池片，其包括硅片；位于所述硅片表面的扩散层，所述扩散层包括轻掺杂区、缓冲掺杂区、重掺杂区，所述重掺杂区位于所述缓冲掺杂区内，轻掺杂区的方阻＞缓冲掺杂区的方阻＞重掺杂区的方阻；电极，所述电极位于所述重掺杂区上并与所述重掺杂区形成欧姆接触。本实用新型的太阳能电池片，通过设置缓冲掺杂区，且缓冲掺杂区的方阻介于轻掺杂区与重掺杂区之间，当由于工艺误差电极与重掺杂区不能完全重合时，缓冲掺杂区可以与偏移的电极形成欧姆接触，由于其掺杂适中，不会导致少子寿命严重偏低，大大改善了电池的效率。
重掺杂区缓冲掺杂区方阻太阳能电池片轻掺杂区电极本实用新型欧姆接触扩散层掺杂电极形成工艺误差硅片表面少子寿命偏移硅片重合电池

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201910511109.4在审
发明人：方欣欣;夏春秋;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有衬底掺杂区；在所述衬底掺杂区内形成底层掺杂区，所述底层掺杂区的掺杂类型与所述衬底掺杂区的掺杂类型相反；在所述半导体衬底的表面形成外延层；在所述外延层内形成第一顶层掺杂区和第二顶层掺杂区，所述第一顶层掺杂区与所述底层掺杂区一一对应且掺杂类型相同，所述第二顶层掺杂区环绕所述第一顶层掺杂区且掺杂类型相反。本发明方案可以形成更好的掺杂分布，提高掺杂离子的均匀性，减少对设备的限制，以及降低生产成本。
掺杂区衬底顶层掺杂类型半导体图像传感器外延层表面形成掺杂分布掺杂离子对设备均匀性掺杂环绕

[发明专利]具有电荷转移和电荷存储能力的竖直传输门-CN201910034935.4在审
发明人： F·罗伊 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在实施例中，一种图像传感器包括半导体区域；第一掺杂区域，设置在半导体区域之上；环形阱，设置在第一掺杂区域之上并且包围第一掺杂区域的部分；第二掺杂区域，形成在环形阱内并且设置在第一掺杂区域之上；以及第三掺杂区域，设置在第二掺杂区域之上。环形阱由被绝缘体包围的导体界定。导体连接到电压端子。第三掺杂区域比第二掺杂区域更重地被掺杂，第二掺杂区域比第一区域更重地被掺杂，并且都是相同的掺杂类型。环形阱内的第一掺杂区域和第二掺杂区域形成势垒，该势垒用于控制电荷载流子从第一掺杂区域到第三掺杂区域的转移。
掺杂区域环形阱半导体区域势垒绝缘体掺杂电荷存储能力电荷载流子图像传感器包围导体掺杂类型导体连接第一区域电荷转移电压端子传输门界定竖直

[实用新型]图像传感器-CN201920061139.5有效
发明人： F·罗伊 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在实施例中，一种图像传感器包括半导体区域；第一掺杂区域，设置在半导体区域之上；环形阱，设置在第一掺杂区域之上并且包围第一掺杂区域的部分；第二掺杂区域，形成在环形阱内并且设置在第一掺杂区域之上；以及第三掺杂区域，设置在第二掺杂区域之上。环形阱由被绝缘体包围的导体界定。导体连接到电压端子。第三掺杂区域比第二掺杂区域更重地被掺杂，第二掺杂区域比第一区域更重地被掺杂，并且都是相同的掺杂类型。环形阱内的第一掺杂区域和第二掺杂区域形成势垒，该势垒用于控制电荷载流子从第一掺杂区域到第三掺杂区域的转移。
掺杂区域环形阱半导体区域图像传感器势垒绝缘体掺杂电荷载流子包围导体掺杂类型导体连接第一区域电压端子界定

[发明专利]太阳能电池及其制作方法-CN201110058501.1有效
发明人：胡雁程;李欣峯;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-03-01 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括一半导体基底、一第一掺杂半导体层、一绝缘层、一第二掺杂半导体层以及一第一电极层。半导体基底具有第一掺杂型式。第一掺杂半导体层设置于半导体基底上，且第一掺杂半导体层包含一掺杂接触区。绝缘层设置于第一掺杂半导体层上且暴露出掺杂接触区。第二掺杂半导体层设置于绝缘层与掺杂接触区上。第一掺杂半导体层、掺杂接触区与第二掺杂半导体层具有第二掺杂型式，且第二掺杂半导体层的掺杂浓度实质上介于掺杂接触区的掺杂浓度与第一掺杂半导体层的掺杂浓度之间。第一电极层对应于掺杂接触区。本发明的太阳能电池及其制作方法，可提升太阳能电池的光电转换效率。
太阳能电池及其制作方法

[发明专利]超低压低容单向保护器及其制作方法-CN202210413913.0有效
发明人：刘宗贺 -专利权人：深圳长晶微电子有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种超低压低容单向保护器及其制作方法，该一种超低压低容单向保护器设置有电极衬底，电极衬底上依次连接有第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区、第五掺杂区、第六掺杂区，连通电极连接于第六掺杂区的一端第二掺杂区与第一掺杂区之间连接有第一正向PN结，第三掺杂区与第二掺杂区之间连接有第一反向PN结，第四掺杂区与第三掺杂区之间连接有第二正向PN结，第五掺杂区与第四掺杂区之间连接有第二反向PN结，第六掺杂区与第五掺杂区之间连接有第三正向第四掺杂区与第五掺杂区的外侧设置有第一金属层，第二掺杂区与第三掺杂区的外侧设置有第二金属层。
压低单向保护及其制作方法

[发明专利]具有改进的击穿电压的高电压MOSFET器件-CN202310251692.6在审
发明人： A·杜塔;V·S·乔帕利;R·克里希纳萨米 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请涉及具有改进的击穿电压的高电压MOSFET器件，根据各种实施例，提供一种MOSFET器件。MOSFET器件可以包括衬底；第一掺杂区域，设置于衬底中；第二掺杂区域，设置于衬底中，其中，第一掺杂区域与第二掺杂区域彼此横向相邻；第三掺杂区域，设置于第一掺杂区域中；第四掺杂区域，设置于第二掺杂区域中；栅极，设置于衬底上、在第一掺杂区域与第二掺杂区域上方以及在第三掺杂区域与第四掺杂区域间；以及至少一个高电阻区域，嵌入至少第二掺杂区域中，其中，第一掺杂区域具有第一导电类型，其中，第二掺杂区域、第三掺杂区域和第四掺杂区域具有第二导电类型
具有改进击穿电压 mosfet 器件

[发明专利]静电放电保护装置-CN01109529.6无效
发明人：李淑娟 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2001-03-30 - 公布日： 2002-11-06 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种静电放电保护装置,包括第一N－井区与第二N－井区、第一N+掺杂区、第一P+掺杂区、第二N+掺杂区、第三N+掺杂区、第四N+掺杂区、第二P+掺杂区及一栅极区。金属硅化物层沉积于第一N+掺杂区、第二N+掺杂区、第三N+掺杂区、第四N+掺杂区第一P+掺杂区与第二P+掺杂区上。第一N+掺杂区、第四N+掺杂区与第一P+掺杂区耦接到IC芯片的接合垫,第二N+掺杂区与栅极区耦接到接地端,第二P+掺杂区是耦接到接地端。
静电放电保护装置

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201810282891.2有效
发明人：卡鲁纳·尼迪;柯明道;林庭佑 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：一基板，具有一表面；一第一掺杂区，形成于该基板中；一第二掺杂区，形成于该基板中；一第三掺杂区，形成于该基板中，其中该第三掺杂区位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间，并电性隔离该第一掺杂区与该第二掺杂区；一第四掺杂区，形成于该基板中，为该第二掺杂区所包围；一栅极掺杂区，形成于该基板中，为该第四掺杂区所包围；一源极掺杂区，形成于该基板中，位于该第二掺杂区内；一漏极掺杂区，形成于该基板中，位于该第二掺杂区内；以及多个隔离结构，形成于该基板中，位于该栅极掺杂区与该源极掺杂区之间，以及位于该栅极掺杂区与该漏极掺杂区之间。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]太阳能电池结构及其制作方法-CN202210754770.X在审
发明人：方超炎;陈德爽;任勇;何悦 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：该太阳能电池结构包括：半导体衬底，半导体衬底的背面形成有第一掺杂区和第二掺杂区；第一重掺杂区，形成于半导体衬底中，且第一重掺杂区接触设置于第一掺杂区远离背面的一侧，第一重掺杂区与第一掺杂区均为P型掺杂，并大于第一掺杂区的掺杂浓度；第二重掺杂区，形成于半导体衬底中，且第二重掺杂区接触设置于第二掺杂区远离背面的一侧，第二重掺杂区与第二掺杂区均为N型掺杂，并大于第二掺杂区的掺杂浓度；具有固定负电荷的第一钝化层，形成于第一掺杂区远离第一重掺杂区的一侧；具有固定正电荷的第二钝化层，形成于第二掺杂区远离第二重掺杂区的一侧。上述太阳能电池结构具有较高的转换效率。
太阳能电池结构及其制作方法