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[发明专利]一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制造方法-CN202310775567.5在审
发明人：刘清;黄晓橹;原江伟;王特 -专利权人：湖南楚微半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制造方法，包括重掺杂N型半导体衬底、漏极、N型漂移区、P型阱区、N型半导体源区、P型半导体接触区、源极、槽栅结构；与传统屏蔽栅沟槽MOSFET相比，N型漂移区中的掺杂离子为浓度渐变的N型掺杂离子，使得源极附近N型漂移区的掺杂浓度相对较低，在耗尽扩散过程中，槽栅结构外的耗尽层向漏极扩大，有效地降低了器件的耗尽层电容，从而大大降低了栅漏电容；P型半导体接触区与N型半导体源区共同引出源极；槽栅结构的上半部分为控制栅，槽栅结构的下半部分为屏蔽栅，在控制栅内形成PN结电容；进一步减小了器件的栅漏电容和栅源电容，从而降低器件的总栅电容，进一步改善器件的性能。
一种屏蔽沟槽 mosfet 器件及其制造方法

[发明专利]一种屏蔽栅结构的肖特基二极管及其制备方法-CN202310606499.X有效
发明人：原江伟;黄晓橹;王特;刘圣前;庭小微 -专利权人：湖南楚微半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请适用于半导体功率器件技术领域，提供了一种屏蔽栅结构的肖特基二极管及其制备方法，在第一外延层顶面形成有栅状沟槽结构，在第一外延层的顶面设置有第二外延层，第二外延层覆盖在栅状沟槽结构上，将栅状沟槽结构埋在第一外延层和第二外延层之间，省去了芯片表面的沟槽宽度的面积，正面金属层和第二外延层形成肖特基接触，增大了肖特基结的面积，从而大大增强器件的正向特性；同时在第二外延层上设置有第一通孔和第二通孔将栅状沟槽结构引出与正面金属层相联，在加反向电压时，由于沟槽间的电荷平衡效应，会在反向截止时形成耗尽区，实现反向耐压的需求。
一种屏蔽结构肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]超级势垒整流器器件及其制备方法-CN201610452014.6有效
发明人：胡玮;陈茜;黄晓橹 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种超级势垒整流器器件及其制备方法，通过在N型漂移区引入超结结构，使用杂质掺杂浓度比传统单一N型漂移区提高近一个数量级的注入剂量，在传统单一N型漂移区形成电荷总量平衡的交替P‑型立柱和N‑型立柱的结构。该器件在较低反向电压时，漂移区受横向电场影响，P‑型立柱和N‑型立柱中耗尽层均匀展宽，其耗尽层宽度随着电压增大而增大并在PN结反向击穿前完全耗尽，形成类似于一个本征层的耗尽层，该耗尽层中电场近似均匀分布，使PN结的反向击穿电压达到最大，使得在实现相同耐压情况下可以将漂移区厚度变薄且掺杂浓度提高近一个数量级。
超级整流器器件及其制备方法

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN202110014163.5在审
发明人：张舒;黄晓橹;陈世杰;张斌 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，包括：提供半导体衬底；形成像素单元层，所述像素单元层位于所述半导体衬底的表面；在所述像素单元层的表面形成第一微透镜材料层；对所述第一微透镜材料层进行刻蚀，以在第一像素单元的表面形成第一微透镜；形成第二微透镜材料层，所述第二微透镜材料层覆盖所述像素单元层以及第一微透镜；对所述第二微透镜材料层进行刻蚀，以在第二像素单元的表面形成第二微透镜，以及在所述第一微透镜的表面形成补充微透镜；其中，所述第一微透镜材料层的折射率不等于第二微透镜材料层的折射率。本发明可以分别实现PDAF功能和成像功能，有效避免对成像像素单元的成像质量产生影响。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]一种CMOS图像传感器制作方法-CN202011588663.1在审
发明人：田茂;唐娟;黄晓橹;张舒 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器制作方法，于具有第一导电类型的衬底上制作第一硬掩模层，并对第一硬掩模层开窗，形成第一宽度的沟槽；在沟槽内制作宽度为第二宽度的第二硬掩模层，第一宽度大于第二宽度，且第二硬掩模层完全位于沟槽内；对第二硬掩模层先掺入具有第二导电类型的杂质而后进行刻蚀工艺，使得第二硬掩模层的宽度即第二宽度变小；重复对第二硬掩模层先掺杂质而后进行刻蚀工艺步骤，直至第二硬掩模层被完全刻蚀，形成具有第二导电类型且掺杂浓度、梯度不同的多个子感光区。制作光电二极管的多浓度梯度的感光区域最多花费两块掩模版，极大地节约了制造成本，且工艺流程简单，适用于工业上的量产化生产。
一种 cmos 图像传感器制作方法

[发明专利]一种用于提供半导体器件的平坦表面的方法-CN201910422468.2有效
发明人：陈楚;管斌;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于提供半导体器件的平坦表面的方法，包括下列步骤：提供衬底；在衬底的第一侧形成第一沟槽；向第一沟槽中填充填料层；使第一沟槽平坦化；在平坦化的第一沟槽上形成附加层；从衬底第一侧相对的第二侧除去衬底的至少一部分以露出第二沟槽；以及除去第二沟槽。通过本发明，可以提供半导体器件的具有较低粗糙度(如TTV)的表面，进而提高半导体器件的性能和良品率。
一种用于提供半导体器件平坦表面方法

[发明专利]一种图像传感器及其制造方法-CN201910336395.5有效
发明人：黄增智;龙海凤;夏睿;倪凌云;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括感光元件，形成在衬底中以将光信号转换为电信号；滤色层，形成在所述感光元件之上；第一微透镜，形成在所述滤色层上，所述第一微透镜朝入射光的方向凸起以汇聚入射光；以及第二微透镜，形成在所述感光元件和所述滤色层之间并且包括被多个沟槽隔开的多个子微透镜，以使得所述第二微透镜具有从中心到边缘减小的平均折射率。
一种图像传感器及其制造方法

[发明专利]近红外图像传感器及其制备方法-CN202110262139.3有效
发明人：方欣欣;黄晓橹 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L31/0312 文献下载
摘要：本发明公开了一种近红外图像传感器及其制备方法。该近红外图像传感器包括衬底，衬底由第一材料制成，衬底包括各个光电二极管区域，其中，光电二极管区域包括在衬底上形成的沟槽、以及位于沟槽的内壁上的U型第二材料层，第二材料的禁带宽度小于第一材料的禁带宽度。该制备方法包括：提供衬底，衬底由第一材料制成，衬底包括各个光电二极管区域；在衬底的光电二极管区域形成沟槽；在沟槽的内壁外延生长U型第二材料层，第二材料的禁带宽度小于第一材料的禁带宽度。近红外图像传感器中沟槽侧壁的第二材料层不止提高了正入射的近红外光的吸收，还有利于斜入射时在侧壁积累的光子的吸收，既减小了串扰又提高了近红外波段的量子效率。
红外图像传感器及其制备方法

[发明专利]相位检测自动对焦像素元件及其形成方法，图像传感器及其形成方法-CN201910638161.6有效
发明人：黄增智;倪凌云;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体地涉及一种相位检测自动对焦像素元件及其形成方法，以及图像传感器及其形成方法。所述相位检测自动对焦像素元件(PDAF)包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括至少两个像素区域；增透层，所述增透层位于所述半导体衬底上；至少两个掩埋透镜，所述至少两个掩埋透镜位于所述增透层上，位置对应于所述至少两个像素区域。所述掩埋透镜可以聚集射入到PDAF像素元件中的光线，增加所述PDAF像素元件的进光量，增大所述PDAF元件中像素区域之间的光强差别，增大所述PDAF像素元件对光线的响应角度，提高对焦灵敏度。
相位检测自动对焦像素元件及其形成方法图像传感器

[发明专利]三维堆栈式CIS及其形成方法-CN201910362531.8有效
发明人：晁阳;黄晓橹;新居英明;马星 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种三维堆栈式CIS及其形成方法，所述方法包括：提供逻辑晶圆，所述逻辑晶圆的正面具有逻辑金属互连结构；在所述逻辑金属互连结构的表面形成焊球；提供承载晶圆，将所述承载晶圆与所述逻辑晶圆的正面通过第一键合层进行键合，所述第一键合层覆盖所述焊球；提供像素晶圆，所述像素晶圆的正面具有像素金属互连结构；将所述像素晶圆的正面与所述逻辑晶圆的背面进行键合；去除所述承载晶圆与所述第一键合层，以暴露出所述焊球。本发明方案可以利用焊球实现BGA封装。
三维堆栈 cis 及其形成方法

[发明专利]静态随机存取存储器及其制造方法-CN201810086149.4有效
发明人：北村阳介;大石周;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L21/8244 文献下载
摘要：本公开涉及静态随机存取存储器及其制造方法。一种制造静态随机存取存储器的方法，其特征在于，包括：在基底上形成图案化的第一栅极部分，使得相邻的第一栅极部分之间具有第一间隔区域；在所述第一栅极部分之上以及所述第一间隔区域中沉积栅极材料；以及对所述栅极材料进行选择性刻蚀，从而形成第二栅极部分，其中所述栅极材料的一部分从所述第一间隔区域中去除，从而在所述第一栅极部分与所述第二栅极部分之间形成第二间隔区域，其中所述第一间隔区域的尺寸大于所述第二间隔区域的尺寸。
静态随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201811248576.4有效
发明人：黄增智;夏睿;李天慧;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，图像传感器包括：衬底，所述衬底包括相邻的第一像素区和第二像素区；位于第一像素区衬底表面的第一滤光层；位于第二像素区衬底表面的第二滤光层，所述第二滤光层和第一滤光层顶部齐平；位于第一滤光层表面的第一透镜层；位于第二滤光层表面的第二透镜层，所述第二透镜层高度大于所述第一透镜层高度，所述第二透镜层包括第一底透镜层和位于第一底透镜层表面的第一凸透镜层，所述第一底透镜层侧壁与第一底透镜层底面的夹角为预设角度。所述图像传感器的性能得到提高。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]图像传感器单元-CN201910986798.4有效
发明人： 黄晓橹;张盛鑫;魏代龙;金子贵昭 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种图像传感器单元，包括基板；感光元件，所述感光元件形成于所述基板中并且响应于入射光生成电荷；浮动扩散区，所述浮动扩散区用于接收并存储来自所述感光元件的电荷；以及转移晶体管，所述转移晶体管被配置为能够将保留在所述感光元件中的电荷转移到所述浮动扩散区以在之后用于形成图像。所述转移晶体管包括形成于基板上的栅极介质层以及形成于栅极介质层上的栅极电极层，所述栅极介质层进一步包括隧道氧化物层、形成于隧道氧化物层上的电荷存储层、形成于电荷存储层上的阻挡氧化物层。
图像传感器单元

[发明专利]基板制造方法和基板接合方法-CN201910772481.0有效
发明人：司阳;陈世杰;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种基板的制造方法，包括：一种基板的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体基板，所述半导体基板包括具有凹陷的第一介质层和设置在所述凹陷中的第一金属层，所述第一金属层包括第一金属；在所述半导体基板上形成第二介质层，以覆盖所述第一介质层和所述第一金属层；在所述第二介质层中形成第一开口，所述第一开口使得所述第一金属层的至少部分上表面露出；对所述第一金属层进行化学处理，以形成所述第一金属的化合物；以及形成第二金属层，所述第二金属层至少覆盖所述第一金属的化合物。所述基板可以是晶片。
制造方法接合

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201910222821.2有效
发明人：黄文军;陈世杰;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：基底，所述基底包括若干第一区以及位于相邻第一区之间的第二区；传感器层，位于所述基底表面，第一区所述传感器层内具有光电二极管；金属栅格，位于第二区所述传感器层表面；滤色层，位于第一区所述传感器层表面；凹槽，位于所述滤色层内；折射层，填充满所述凹槽，所述折射层材料的折射率小于滤色层材料的折射率。本发明有助于降低光学串扰。
图像传感器及其形成方法

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