专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202310728181.9在审
  • 叶德夫;杜政杰;黄铭淇;庄英良;叶明熙;黄国彬 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2023-06-19 - 2023-10-27 - H01L21/3213
  • 公开了一种半导体装置的制造方法,包括:提供至少两个结构,每个结构上具有金属层;在第一结构上方的金属层上方形成图案化光刻(photolithographic)层;通过使用能防止渗透(resistant to penetration)到光刻层中的化学蚀刻剂进行湿式蚀刻操作以从第二结构去除金属层;以及,在进行湿式蚀刻操作之后,实现小于179且大于1的距离X对距离Y的剩余金属比例,其中距离X是从第一直线到第二直线的第一距离,第一直线延伸自第一半导体装置上方剩余的金属层的边缘,第二直线延伸自第二半导体装置中的通道区的边缘,且距离Y是从第一直线到第三直线的第二距离,第三直线从形成在第一半导体装置中的通道区上方的金属层的边缘延伸。
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]低蚀刻率自对准磁穿隧接面装置结构-CN201880047456.X有效
  • 杰斯明·哈克;锺汤姆;滕忠健 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2018-05-30 - 2023-10-27 - H10N50/10
  • 公开了用于形成自对准于旗下的底部电极BE(35,36)的一种磁穿隧接面(MTJ)单元(47)的制程流程。底部电极包括具有第一宽度(wl)的下底部电极层(35)及具有第二宽度(w2)的上(第二)底部电极层(36),其中w2大于w1。底部电极优选具有T形。磁穿隧接面堆叠层包括最上层硬遮罩(46),其沉积于底部电极上并因为自对准沉积制程而具有宽度w2。虚置磁穿隧接面堆叠(49)也形成在第一底部电极层的周围。使用离子对基板的入射角度小于90°的离子束蚀刻,以移除侧壁上的多余材料。其后,沉积封装层(80),将磁穿隧接面单元绝缘,并填充第一底部电极层与虚置磁穿隧接面堆叠之间的间隙。
  • 蚀刻对准磁穿隧接面装置结构
  • [实用新型]半导体装置-CN202320932418.0有效
  • 张峰铭;张瑞文;张朝渊 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2023-04-23 - 2023-10-27 - H01L27/02
  • 本新型公开了一种半导体装置,该半导体装置包含了由多个单元排列而成的阵列。每个单元皆包含:至少一个沿第一方向排列的主动区;至少五个间隔的导电区沿第二方向布置,设置在主动区上方,其中第一至第五导电区中包含一个或多个导体,而该一或多个导体具有沿着第一方向的尺寸。关于沿着第一方向的尺寸,第一或第五导电区中的至少一个导体沿着第一方向的尺寸比第三导电区中的导体沿第一方向的尺寸更大。第二和第四导电区中单一导体的间距(pitch)、第二或第四导电区中多个导体间的间距,以及非第二或第四导电区的下一个最近导电区中的导体间的间距是不一样的。
  • 半导体装置
  • [实用新型]半导体装置-CN202321313457.9有效
  • 吕孟昇;蔡尚纶;陈硕懋;郑心圃 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2023-05-26 - 2023-10-27 - H01L23/50
  • 一种半导体装置,包括一第一裸片封装部件、电性耦接到第一裸片封装部件的一第一侧的一第二中介层、电性耦接到第一裸片封装部件的一第二侧的具有一电压调节器电路的一第三中介层、以及分别电性耦接到第二中介层的一光学部件和一高频宽存储器裸片。第一裸片封装部件还包括一双面半导体裸片,其第一侧电性耦接至第二中介层,以及其第二侧电性耦接至第三中介层。第一裸片封装部件还包括一模制材料以及形成在模制材料中的一封装体穿孔,使得封装体穿孔提供了第二中介层和第三中介层之间且绕过双面半导体裸片的一电性连接。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310797613.1在审
  • 李旭峯;曾于平;黄立贤;庄曜群;卢胤龙 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2023-06-30 - 2023-10-24 - H01L23/538
  • 一种形成半导体器件的方法包括在第一器件管芯的第一衬底上沉积第一介电层,蚀刻第一介电层以形成沟槽,在沟槽中和第一介电层的顶表面上沉积金属材料,以及执行化学机械抛光(CMP)工艺,以从第一介电层的顶表面去除金属材料的部分来形成第一金属焊盘。在CMP工艺的执行之后,该方法选择性地蚀刻第一金属焊盘,以在第一金属焊盘的边缘部分处形成凹槽,在第二器件管芯的第二衬底上沉积第二介电层,在第二介电层中形成第二金属焊盘,以及将第二器件管芯接合至第一器件管芯。第二介电层接合至第一介电层,并且第二金属焊盘接合至第一金属焊盘。本发明的实施例还提供了半导体器件。
  • 半导体器件及其形成方法
  • [发明专利]相变材料开关装置及其制造方法-CN202310730374.8在审
  • 张国彬;丁裕伟;王怡情;黄国钦;庄学理 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2023-06-20 - 2023-10-24 - H10N70/00
  • 一种相变材料开关装置及其制造方法,相变材料开关装置包括:半导体基板上方的底部介电层;设置于底部介电层上的第一加热器元件,第一加热器元件包含以第一热膨胀系数(CTE)为特征的第一金属元件;设置于第一加热器元件上的第二加热器元件,第二加热器元件包含以大于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数为特征的第二金属元件;第一金属衬垫及第二金属衬垫;及包含PCM的PCM区,PCM可操作以回应于由第一加热器元件及第二加热器元件产生的热量而在非晶态与晶态之间切换,其中PCM区设置于第二加热器元件的顶表面之上,且气隙自三个侧面围绕第一加热器元件及第二加热器元件。
  • 相变材料开关装置及其制造方法
  • [发明专利]湿蚀刻设备-CN202310984468.8在审
  • 吕鸿霆;廖汉文 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2019-11-25 - 2023-10-24 - H01L21/67
  • 一种湿蚀刻设备,包含一晶圆座、喷洒头、液体蚀刻剂容器、第一气体喷射器以及第一气体抽取器。喷洒头具有多个分配孔于晶圆座上方。液体蚀刻剂容器流体连通喷洒头的所述多个分配孔。第一气体喷射器设置于该晶圆座的一第一侧。第一气体抽取器设置于该晶圆座相对于该第一侧的一第二侧,其中该第一气体喷射器以及该第一气体抽取器產生一气流。
  • 蚀刻设备
  • [发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN202310468870.0在审
  • 林晋申;卢永峰;甘皓天;廖人政 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2023-04-27 - 2023-10-24 - H01L23/528
  • 一种集成电路(IC)器件包括具有电源控制电路的衬底、前侧金属层和背侧金属层以及第一和第二馈送贯通孔(FTV)。前侧金属层具有第一和第二前侧电源轨。背侧金属层具有第一和第二背侧电源轨。第一FTV延伸穿过衬底,并将第一前侧电源轨耦接到第一背侧电源轨。第二FTV延伸穿过衬底并将第二前侧电源轨耦接到第二背侧电源轨。电源控制电路耦接到第一和第二前侧电源轨,并且是可控制以将第一前侧电源轨电连接到第二前方电源轨,或者将第一前侧电源轨与第二前侧电源轨电性断开连接。本申请的实施例还涉及制造集成电路器件的方法。
  • 集成电路器件及其制造方法

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