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[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201810089089.1在审
发明人：王连红;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，图像传感器包括：基底，所述基底包括至少两个像素区域；位于每一像素区域基底内的第一掺杂层，所述第一掺杂层内掺杂有P型离子或者N型离子；位于每一像素区域基底内的第二掺杂层，所述第二掺杂层覆盖所述第一掺杂层顶部表面，所述第二掺杂层内掺杂有P型离子或者N型离子，所述第二掺杂层的掺杂离子与第一掺杂层的掺杂离子类型不同，且位于不同像素区域的第二掺杂层的厚度不相等，所述第一掺杂层与位于第一掺杂层顶部表面的第二掺杂层构成光电二极管本发明能够提高光电二极管的响应能力和量子效率，改善图像传感器的性能。
掺杂层图像传感器像素区域基底光电二极管顶部表面掺杂掺杂离子类型掺杂离子量子效率响应能力不相等覆盖

[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202110780756.2在审
发明人：韩清华 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括提供基底，在基底上形成功能叠层，功能叠层包括依次层叠的第一掺杂层、第二掺杂层以及第三掺杂层，第一掺杂层设置在基底上，且第二掺杂层中掺杂离子与第一掺杂层中掺杂离子不同，第一掺杂层中掺杂离子与第三掺杂层中掺杂离子相同；去除部分功能叠层，以形成呈阵列排布的多个有源柱。本发明通过直接在基底上形成具有掺杂离子的功能叠层，使得后续形成有源柱中具备第一掺杂区、第二掺杂区以及沟道区，解决了现有技术中无法对有源柱进行离子掺杂的技术问题，提高了有源柱的性能，进而提高了半导体结构的性能
半导体结构制备方法

[发明专利]静电放电保护装置、电路及其制作方法-CN201710616644.7有效
发明人：洪慈忆;陈信良 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：其中，静电放电保护装置包括：第一掺杂剂类型的基础阱，位于基底上；第一掺杂剂类型的第一阱，位于基础阱中；第二掺杂剂类型的第二阱，位于基础阱中；第一掺杂剂类型的第一高掺杂区及第二掺杂剂类型的第二高掺杂区，位于第一阱中；第二掺杂剂类型的第三高掺杂区，位于第二阱中；以及第一掺杂剂类型的第四高掺杂区，位于第三高掺杂区中。第一高掺杂区与第二高掺杂区耦合至第一电压端子，且第三高掺杂区及第四高掺杂区耦合至第二电压端子。
静电放电保护装置电路及其制作方法

[发明专利]一种用于增加信号振幅范围的晶体管-CN201610819368.X有效
发明人：陈智圣;李宗翰;陈长亿 -专利权人：立积电子股份有限公司
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于增加信号振幅范围的晶体管，该用于增加信号振幅范围的晶体管包括一第一掺杂井、一第二掺杂井、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一闸极层及至少一补偿电容。该第一掺杂井和该第二掺杂井形成于一结构层内；该第一掺杂区和该第二掺杂区形成于该第一掺杂井中具有一第一导电类型，该第二掺杂井具有一第二导电类型，以及该第一掺杂区用以传输一信号；该至少一补偿电容是用以调整该第一掺杂区与该第一掺杂井间，该第一掺杂井与该第二掺杂井间，或该第二掺杂井与该结构层间的接口寄生电容的跨压。
一种用于增加信号振幅范围晶体管

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910133520.2有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在栅极结构两侧的基底中形成轻掺杂区；形成轻掺杂区后，在栅极结构两侧的基底中形成一层或多层浓度缓冲层，形成浓度缓冲层的步骤包括：在栅极结构的侧壁上形成侧墙层；以侧墙层为掩膜进行掺杂，在栅极结构两侧的基底中形成浓度缓冲层，且掺杂浓度高于轻掺杂区的掺杂浓度；当形成多层浓度缓冲层时，远离轻掺杂区的浓度缓冲层的掺杂浓度大于靠近轻掺杂区的浓度缓冲层的掺杂浓度；在浓度缓冲层上形成源漏掺杂层，且源漏掺杂层的掺杂浓度高于浓度缓冲层的掺杂浓度。源漏掺杂层中的高浓度掺杂离子不易穿过浓度缓冲层扩散至轻掺杂区中，栅极结构不易被破坏，提高了半导体结构的电学性能和可靠性。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]用于生长掺杂直拉晶体的掺杂装置-CN201120503113.5有效
发明人：方峰;高朝阳;邓德辉;郑沉;王学峰 -专利权人：有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于生长掺杂直拉晶体的掺杂装置，该掺杂装置由掺杂单元组合而成。该掺杂装置与单晶炉的提拉轴连接，但掺杂单元的轴线不与石英坩埚的轴线和/或单晶炉的提拉轴重合，该掺杂单元相对于石英坩埚的轴线处于偏心状态。本实用新型的掺杂装置具有两个或三个掺杂单元，每个掺杂单元的轴线均不与石英坩埚的轴线和/或单晶炉的提拉轴重合，每个掺杂单元相对于石英坩埚的轴线均处于偏心状态。在掺杂过程中，由于石英坩埚旋转作用，掺杂单元下方熔体面积更新加快、增加了吸收气态掺杂元素的熔体有效面积，降低了掺杂强度，提高了掺杂的均匀性，进而提高了直径8英寸及8英寸以上的掺杂硅晶体无位错收率。
用于生长掺杂晶体装置

[发明专利]静电放电保护装置、存储器元件及静电放电保护方法-CN201610195187.4有效
发明人：王世钰;李明颖;黄文聪 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：此静电放电保护装置包括：半导体基材、第一栅极结构、第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区。半导体基材包括一个具有第一电性的掺杂阱区，且其一端接地。第一栅极结构，位于掺杂阱区之上。第一掺杂区具有第二电性位于掺杂阱区之中，邻接第一栅极结构，且与焊垫电性连接。第二掺杂区具有该第二电性，位于掺杂阱区之中，且邻接第一栅极结构。第三掺杂区具有第一电性，位于掺杂阱区之中，且与第二掺杂区形成P/N结。其中，第二掺杂区和第三掺杂区分别具有大于掺杂阱区的掺杂浓度。
静电放电保护装置存储器元件保护方法

[发明专利]用于HBT中的发射极镇流电阻器的结构和方法-CN03812696.6有效
发明人： K·豪恩;R·S·伯顿;N·马迪尼;D·L·格林;C·F·克鲁姆 -专利权人：空间工程股份有限公司
申请日： 2003-04-01 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：该异质结双极晶体管(200)进一步包括第一发射极覆盖层(218)，它包括第一高掺杂层(204)、低掺杂层(206)和第二高掺杂层(208)，其中第一高掺杂层(204)位于发射极(216)上，低掺杂层(206)位于第一高掺杂层(204)上，且第二高掺杂层(208)位于低掺杂层(206)上。第一高掺杂层(204)、低掺杂层(206)和第二高掺杂层(208)形成发射极镇流电阻器。根据该实例性实施例，低掺杂层具有一定厚度和掺杂物浓度水平，从而低掺杂层(206)的电阻基本与掺杂物浓度水平无关，而是对应于低掺杂层(206)的厚度。
用于 hbt 中的发射极流电结构方法

[发明专利]快恢复二极管-CN202310800555.3在审
发明人：储金星;杨晶杰;周文杰 -专利权人：海信家电集团股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种快恢复二极管，快恢复二极管包括：第一导电型的衬底；第一导电型的漂移层，漂移层包括第一浓度掺杂层、第二浓度掺杂层和第三浓度掺杂层，第一浓度掺杂层设置于衬底，第二浓度掺杂层设置于第一浓度掺杂层远离衬体的一侧，第三浓度掺杂层设置于第二浓度掺杂层远离衬体的一侧，第二浓度掺杂层的掺杂浓度不大于第一浓度掺杂层的掺杂浓度且小于第三浓度掺杂层的掺杂浓度，第一浓度掺杂层的掺杂浓度向远离衬底的方向逐渐减小；第二导电型的阳极层，阳极层设置于第三浓度掺杂层的背向衬底的一侧。根据本发明实施例的快恢复二极管具有耐压性好、反向恢复峰值电流小和电路稳定性高等优点。
恢复二极管

[发明专利]一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池及其制备方法-CN201610271978.0有效
发明人：叶继春;高平奇;曾俞衡;韩灿;廖明墩;王丹;于静 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是有关一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池，其中，所述太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层介于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其中所述掺杂薄膜硅层掺杂的掺杂浓度是不均匀的，所述掺杂薄膜硅层邻近钝化隧穿层一侧的掺杂浓度小于远离钝化隧穿层一侧的掺杂浓度本发明由于掺杂薄膜层的掺杂浓度是不均匀的，所述掺杂薄膜硅层邻近钝化隧穿层一侧的掺杂浓度小于远离钝化隧穿层一侧的掺杂浓度。相对于均匀掺杂的掺杂薄膜硅层，降低了掺杂薄膜硅层整体的掺杂浓度，从而有助于减少薄膜中的俄歇复合速率，避免产生磷化硅沉淀，增长少数载流子的寿命，进而增大太阳能电池的转换效率。
一种氧化钝化接触太阳能电池及其制备方法

[发明专利]太阳能电池及制备方法、光伏组件-CN202210457639.7在审
发明人：张彼克;金井升;张昕宇;杨楠楠 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底内具有掺杂元素，掺杂元素为N型或者P型；隧穿介质层，隧穿介质层位于基底表面；掺杂导电层，掺杂导电层位于隧穿介质层远离基底的表面，掺杂导电层具有掺杂元素，掺杂导电层内的掺杂元素类型与基底的掺杂元素导电类型相同，掺杂导电层具有多个沿第一方向排布的重掺杂区阵列，每一重掺杂区阵列包括沿第二方向间隔设置的第一子重掺杂区以及间隔设置的第二子重掺杂区；多个间隔设置的电极，电极沿第二方向延伸，电极与重掺杂区阵列对应，电极与重掺杂区阵列的掺杂导电层的至少部分接触，至少可以提升太阳能电池的光电转换效率。
太阳能电池制备方法组件

[发明专利]硼掺杂选择性发射极及制法、硼掺杂选择性发射极电池-CN202110286095.8有效
发明人：许佳平;沈梦超;顾振华;曹育红;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼掺杂选择性发射极的制备方法，包括在制绒后硅片的表面制备重掺杂区和轻掺杂区，先在硅片表面覆盖一层硼掺杂剂，硼掺杂剂的覆盖区域不小于重掺杂区的区域大小；再对位于重掺杂区的硼掺杂剂进行激光掺杂形成硼化硅；然后对硼化硅进行高温推进，形成重掺杂区；接着在硅片表面形成轻掺杂区；制得硼掺杂选择性发射极。本发明利用激光掺杂形成硼化硅以及高温推进硼化硅形成重掺杂区，所用激光功率低，对硅片绒面友好，保证硅片绒面陷光效果的同时实现重掺杂区的制备；本发明在激光掺杂工序后增加一道碱液或酸液清洗工序，很好地去除了硅片表面残留的硼掺杂剂及附着的杂质，硅片的少子寿命不会降低。
掺杂选择性发射极制法电池

[发明专利]瞬态电压抑制器-CN201811245838.1有效
发明人：沈佑书;范美莲 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种瞬态电压抑制器，包括一连接第一节点的重掺杂基板、一形成于重掺杂基板上的第一掺杂层、一形成于第一掺杂层上的第二掺杂层、形成于第二掺杂层中的第一重掺杂区与第二重掺杂区以及多个形成于重掺杂基板中以作为电性隔离的沟槽其中，第一重掺杂区与第二重掺杂区共同连接一第二节点，沟槽的深度不小于第一掺杂层的深度。重掺杂基板、第二掺杂层、以及第二重掺杂区为第一半导体型。第一掺杂层与第一重掺杂区为第二半导体型。本发明可将pn接面成功地控制于元件的表面底下，由此降低瞬态电压抑制器的接面电容值。
瞬态电压抑制器

[发明专利]光伏电池及其制备方法、光伏组件-CN202111132399.5有效
发明人：金井升;廖光明;周方开;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请实施例涉及太阳能领域，提供一种光伏电池及其制备方法、光伏组件，方法包括：提供基底；在基底表面依次形成发射极和掺杂源层，发射极和掺杂源层具有相同的掺杂元素；利用激光对掺杂源层的局部区域进行处理，以在与局部区域对应的发射极和基底中依次形成第一掺杂区和损伤区，第一掺杂区具有掺杂元素；去除掺杂源层和损伤区；在第一掺杂区和发射极表面形成钝化层；在钝化层远离发射极的一侧形成具有掺杂元素的掺杂电极；烧结掺杂电极，形成贯穿钝化层的电极，且在电极与第一掺杂区之间形成第二掺杂区，掺杂元素在第二掺杂区中的浓度高于在第一掺杂区中的浓度。本申请实施例至少有利于提高光伏电池的光电转换效率。
电池及其制备方法组件

[发明专利]一种垂直多结结构二硫化钼太阳能电池及其制备方法-CN201811324425.2在审
发明人：邢宇鹏;张楷亮;赵金石;杨正春 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种垂直多结结构二硫化钼太阳能电池，包括周期性重复的基本单元、两侧掺杂区(第三掺杂区和第四掺杂区)和两侧电极(第一电极和第二电极)三部分。基本单元由基区、第一掺杂区和第二掺杂区构成。所述基区和各掺杂区为单层或多层二硫化钼材料，厚度从1层到100层。第一掺杂区和第三掺杂区的掺杂类型相同，为N型或P型掺杂。第二掺杂区和第四掺杂区的掺杂类型相同，为N型或P型掺杂，且与第一掺杂区和第三掺杂区的掺杂类型相反。本发明提供的太阳能电池可以减少材料使用量，降低制造成本，并能减小太阳能电池的电学损失，从而提高太阳能电池的转换效率。
掺杂区太阳能电池掺杂类型二硫化钼基本单元多结基区垂直周期性重复第二电极第一电极减少材料制造成本转换效率电极电学单层多层减小制备

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