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[发明专利]半导体结构及其制造方法与操作方法-CN201110115572.0有效
发明人：黄学义;陈永初;锺淼钧;黄胤富;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-05-03 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体结构包括第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区与介电结构。第二掺杂区与第三掺杂区形成掺杂编码层。掺杂编码层位于第一掺杂区与第四掺杂区中。介电结构位于第一掺杂区上。掺杂编码层的边缘介于相邻近的第四掺杂区的边缘与介电结构的边缘之间。本发明各实施例的半导体结构具有低的漏电流。
半导体结构及其制造方法操作方法

[发明专利]半导体器件、集成电路以及用于制作半导体器件的方法-CN202210142585.5在审
发明人：刘家甫;唐龙谷;高云斌;胡朗;王欣 -专利权人：华为数字能源技术有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件、集成电路以及用于制作半导体器件的方法。半导体器件包括半导体衬底。半导体衬底的一侧设置有半导体外延层。半导体外延层远离半导体衬底的一侧设置有金属层。半导体外延层远离半导体衬底的一侧具有掺杂区。金属层与掺杂区接触。掺杂区包括第一掺杂区和第二掺杂区。第一掺杂区设置于第二掺杂区靠近半导体衬底的一侧，且第一掺杂区包覆第二掺杂区。第二掺杂区包括沟槽，沟槽设置于半导体外延层远离半导体衬底的一侧表面。第一掺杂区与第二掺杂区均为P型掺杂区或N型掺杂区，且第二掺杂区的掺杂浓度大于第一掺杂区的掺杂浓度。第二掺杂区的掺杂浓度可以单独调节，从而可以改善欧姆接触特性，而不影响其他区域的表面状态。
半导体器件集成电路以及用于制作方法

[发明专利]半导体开关-CN201610483071.0在审
发明人：赵恩海;董维胜;宋佩;邹庆华;谭婷 -专利权人：盐城市惠众新能源科技有限公司
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：其中，半导体开关的一实施例包括衬底层；第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区间隔扩散在衬底层，且衬底层的表面暴露出第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区；第一氧化区，位于间隔第一掺杂区和第二掺杂区的衬底层的表面，连接第一掺杂区和第二掺杂区；第二氧化区，位于间隔第二掺杂区和第三掺杂区的衬底层的表面，连接第二掺杂区和第三掺杂区；栅电极，由位于第一氧化区上的第一栅电极和位于第二氧化区上的第二栅电极连接而成；第一漏电极，与第一掺杂区连接；第二漏电极，和第三掺杂区连接；源电极，与第二掺杂区和衬底层连接。按照本申请的方案，能够控制电流双向流动。
半导体开关

[实用新型]瞬态电压抑制器-CN201920694553.X有效
发明人：廖兵;沈礼福 -专利权人：苏州达晶微电子有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种瞬态电压抑制器，包括硅基片，此硅基片包括垂直方向相邻的N型掺杂区、P型掺杂区，所述P型掺杂区四周具有一沟槽，N型掺杂区进一步包括垂直方向相邻的轻掺杂N型层、重掺杂N型层，所述P型掺杂区进一步包括垂直方向相邻的轻掺杂P型层、重掺杂P型层，所述轻掺杂N型层与轻掺杂P型层接触，所述重掺杂P型层、重掺杂N型层分别位于硅基片上表面和下表面，所述重掺杂N型层中心处具有一中掺杂P型子区，此中掺杂P型子区位于重掺杂N型层内，所述中掺杂P型子区和位于中掺杂P型子区周边的重掺杂N型层均与第二金属层电连接。本实用新型具有更低的钳位电压，增强了器件的抗浪涌能力，正向通流能力可以更好满足保护需求。
重掺杂N型层掺杂P型子区硅基片轻掺杂N型层本实用新型轻掺杂重掺杂瞬态电压抑制器第二金属层钳位电压通流能力电连接抗浪涌上表面下表面中心处正向

[发明专利]芯片及其静电放电保护元件-CN200910225433.6有效
发明人：苏郁迪;徐中玓 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2009-12-10 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种静电放电保护元件，包括P型掺杂区、N型掺杂区、第一P+掺杂区、第一～第三N+掺杂区。N型掺杂区位于P型掺杂区中。第一P+掺杂区位于N型掺杂区中，用以电连接一焊垫。第一N+掺杂区位于P型掺杂区与N型掺杂区之间，且第一N+掺杂区的一部份位于N型掺杂区中，剩余部分则位于P型掺杂区中。第二、第三N+掺杂区位于P型掺杂区中，且位于N型掺杂区之外，且分别电连接第一、第二电源轨线。其中第二N+掺杂区位于第一N+掺杂区与第三N+掺杂区之间。本发明实施例也揭示一种具有上述静电放电保护元件的芯片。本发明实施例所述的静电放电保护元件，可有效提高静电放电保护元件的保持电压，避免闩锁效应。
芯片及其静电放电保护元件

[发明专利]存储元件及制造方法-CN03147183.8有效
发明人：陈旭顺;庄立欣;龙翔澜;陈逸舟 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-07-08 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：一种存储元件的制造方法，首先，定义第一掺杂物型的半导体衬底。提供第二掺杂物型的掺杂层于衬底上，提供介电层于掺杂层上。形成栓塞于介电层中，掺杂第二掺杂物型的掺杂物于栓塞的整个区域中。掺杂第一掺杂物型的掺杂物于第二掺杂物型的栓塞中，并提供存储器单元于栓塞上。
存储元件制造方法

[发明专利]制造石墨烯晶体管和装置的方法-CN201980008214.4在审
发明人：西蒙·托马斯;伊沃尔·吉尼 -专利权人：帕拉格拉夫有限公司
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明提供了化学掺杂的石墨烯晶体管，其包括复数个石墨烯层并且具有通过第三掺杂区而相对第二掺杂区分开的第一掺杂区，其中第一掺杂区和第二掺杂区相对于第三掺杂区具有相反的掺杂类型，以及其中第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区中的每一者各自包括独立的电触点
制造石墨晶体管装置方法

[发明专利]半导体结构、UHV器件及其制备方法-CN201910457329.3在审
发明人：巴特尔;陈俊;薛磊;万先进 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构、UHV器件及其制备方法，半导体结构的制备方法包括如下步骤：提供衬底；于衬底内形成浅沟槽；于浅沟槽的侧壁形成掺杂材料层，掺杂材料层内掺杂有N型掺杂离子或P型掺杂离子；对衬底进行退火处理，使得掺杂材料层内的N型掺杂离子或P型掺杂离子扩散至衬底内，以于掺杂材料层与衬底之间形成掺杂侧壁；去除掺杂材料层。本发明的半导体结构的制备方法在浅沟槽的侧壁形成掺杂材料层后进行退火处理，可以实现对任意形状的浅沟槽的侧壁进行掺杂；通过控制掺杂材料层内掺杂离子的剂量及退火条件，可以实现对浅沟槽的侧壁进行任意所需剂量及分布状态的离子掺杂
掺杂材料浅沟槽侧壁衬底半导体结构制备离子掺杂退火处理掺杂离子分布状态离子掺杂离子扩散退火条件去除

[发明专利]一种太阳电池结构-CN201910137341.6在审
发明人：李华;靳玉鹏 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳电池结构，包括：硅基底、自硅基底向外依次设置的掺杂层、钝化膜层和电极器件；掺杂层包括第一掺杂区域和若干第二掺杂区域，并且，第一掺杂区域和第二掺杂区域导电类型相同；第二掺杂区域的掺杂浓度高于第一掺杂区域的掺杂浓度；电极器件与第一掺杂区域及第二掺杂区域均接触。本发明提供的太阳电池结构，通过在掺杂层设置掺杂浓度较高的第二掺杂区域，使得载流子的浓度大为提高，也使得第二掺杂区域的电阻率下降，因此增加了电流的收集能力。同时，可以增加电极器件中金属电极的间距，进而降低了金属电极和半导体接触区域的载流子复合速率，最终提高了电池的效率。
一种太阳电池结构

[发明专利]静电保护结构及其形成方法和工作方法、静电保护电路-CN201810575868.2在审
发明人：谷欣明;陈捷;朱恺 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种静电保护结构及其形成方法和工作方法、静电保护电路，静电保护结构包括：第一集电掺杂区至第M集电掺杂区，第一集电掺杂区与电源端相连接；第一发射掺杂区至第M发射掺杂区；第一基掺杂区至第M基掺杂区，第i基掺杂区位于第i阱区中，第i基掺杂区和第i集电掺杂区位于第i发射掺杂区的两侧，第M发射掺杂区和第M基掺杂区与接地端相连接，第k发射掺杂区、第k基掺杂区与第k+1集电掺杂区相连接；第一电流注入掺杂区至第M电流注入掺杂区，第一电流注入掺杂区至第M电流注入掺杂区用于当电源端产生瞬时电势差时被注入调整电流。所述静电保护结构的性能提高。
掺杂区静电保护结构发射静电保护电路调整电流电势差电源端接地阱区电源

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201110248064.X有效
发明人：陈信良;陈永初;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：半导体结构包括第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区与电阻。第一掺杂区具有第一导电型。第二掺杂区具有相反于第一导电型的第二导电型。第三掺杂区具有第一导电型。第一掺杂区与第三掺杂区是通过第二掺杂区互相分开。电阻耦接于第二掺杂区与第三掺杂区之间。阳极被耦接至第一掺杂区。阴极被耦接至第三掺杂区。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法-CN201310561220.7在审
发明人：周明杰;钟铁涛;王平;张振华 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极、空穴注入层、空穴传输层、蓝光发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，所述蓝光发光层包括依次层叠的第一掺杂层、第二掺杂层、第三掺杂层、第四掺杂层和第五掺杂层，所述第一掺杂层、第二掺杂层、第三掺杂层、第四掺杂层和第五掺杂层的材质均为客体材料掺杂到主体材料中形成的混合材料，所述客体材料占所述第一掺杂层、第二掺杂层、第三掺杂层、第四掺杂层和第五掺杂层的质量分数分别为本发明还提供了该有机电致发光器件的制备方法。
一种有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法-CN201310561267.3在审
发明人：周明杰;钟铁涛;王平;张振华 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极、空穴注入层、空穴传输层、绿光发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，所述绿光发光层包括依次层叠的第一掺杂层、第二掺杂层、第三掺杂层、第四掺杂层和第五掺杂层，所述第一掺杂层、第二掺杂层、第三掺杂层、第四掺杂层和第五掺杂层的材质均为客体材料掺杂到主体材料中形成的混合材料，所述客体材料占所述第一掺杂层、第二掺杂层、第三掺杂层、第四掺杂层和第五掺杂层的质量分数分别为本发明还提供了该有机电致发光器件的制备方法。
一种有机电致发光器件及其制备方法

[实用新型]半导体开关-CN201620652773.2有效
发明人：赵恩海;董维胜;宋佩;邹庆华;谭婷 -专利权人：盐城市惠众新能源科技有限公司
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：其中，半导体开关的一实施例包括衬底层；第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，其中，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述第三掺杂区间隔扩散在所述衬底层，且所述衬底层的表面暴露出所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述第三掺杂区，当所述衬底层为P型半导体时，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述第三掺杂区为N型半导体，当所述衬底层为N型半导体时，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述第三掺杂区为P型半导体；第一氧化区，位于间隔所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的所述衬底层的表面，连接所述第一掺杂区和所述第二掺杂区；第二氧化区，位于间隔所述第二掺杂区和所述第三掺杂区的所述衬底层的表面，连接所述第二掺杂区和所述第三掺杂区；栅电极，由位于所述第一氧化区上的第一栅电极和位于所述第二氧化区上的第二栅电极连接而成；第一漏电极，与所述第一掺杂区连接；第二漏电极，和所述第三掺杂区连接；源电极，与所述第二掺杂区和所述衬底层连接。按照本申请的方案，能够控制电流双向流动。
半导体开关

[发明专利]静电保护结构、芯片-CN202110793560.7在审
发明人：许杞安 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本公开涉及半导体技术领域，提出一种静电保护结构、芯片，静电保护结构包括：半导体衬底、第一P型阱、第一N型阱、第一N型掺杂部、第一P型掺杂部、第二N型掺杂部、第二P型掺杂部、第三掺杂阱、第三P型掺杂部、第三N型掺杂部。第一P型阱、第一N型阱、第三掺杂阱位于半导体衬底内；第一N型掺杂部、第一P型掺杂部位于第一N型阱内且间隔设置；第二N型掺杂部、第二P型掺杂部位于第一P型阱且间隔设置；第三P型掺杂部、第三N型掺杂部位于第三掺杂阱内且间隔设置；第二N型掺杂部、第二P型掺杂部、第三N型掺杂部电连接，第一N型掺杂部与第三P型掺杂部电连接。该静电保护结构具有较小的触发电压。
静电保护结构芯片