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[实用新型]硅片表面除尘装置和硅片表面除尘系统-CN201821954512.1有效
发明人：钱海龙;费正洪 -专利权人：盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： B08B6/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种硅片表面除尘装置和硅片表面除尘系统。所述硅片表面除尘装置包括除尘组件和集尘组件，所述除尘组件包括静电吸附辊和驱动所述静电吸附辊转动的电机；所述静电吸附辊用于对硅片表面的灰尘进行吸附；所述集尘组件包括集尘管，所述集尘管的一端与所述静电吸附辊接触，用以对吸附在所述静电吸附辊表面的灰尘进行收集。本实用新型的硅片表面除尘装置通过设置具有静电环的静电吸附辊，使得硅片表面的灰尘在静电的作用下被吸附并可被集尘组件收集，进一步使得本实用新型的硅片表面除尘系统具有较佳的除尘效果和实用性，适于推广及使用。
硅片表面静电吸附辊本实用新型除尘装置集尘组件吸附除尘系统除尘组件集尘管除尘效果静电静电环转动电机驱动

[发明专利]一种硅片表面处理方法-CN201711360731.7在审
发明人：赵而敬;曹孜;王永涛;刘建涛;韩晨华;郑捷;张静;张建;张岩 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片表面处理方法，该方法包括以下步骤：(1)选取洁净的抛光硅片或者外延硅片；(2)对硅片表面进行高温氧化，生长氧化膜层；(3)使用取样液进行表面处理取样，通过对取样液进行分析测试，获得硅片表面金属含量，评估硅片表面金属沾污情况。采用本发明的硅片表面处理方法，可以快速、高效、批量的进行硅片表面处理，及时的测试分析硅片表面金属的含量，达到监控硅片表面金属水平的目的。
硅片表面处理硅片表面取样液金属表面金属测试分析分析测试高温氧化监控硅片金属沾污抛光硅片外延硅片氧化膜层取样洁净生长评估

[发明专利]具有不对称边缘轮廓的硅片及其制造方法-CN200810033062.7有效
发明人：洪漪 -专利权人：上海申和热磁电子有限公司;上海汉虹精密机械有限公司
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有不对称边缘轮廓的硅片及其制造方法。本硅片的边缘轮廓包括从硅片上表面环绕过硅片先端面至硅片下表面的轮廓，硅片先端面轮廓为一直线，硅片上表面至硅片先端面之间过渡边缘轮廓为一段圆弧EP1，圆弧EP1与硅片先端面相切而与硅片上表面相交；硅片下表面至硅片先端面之间过渡边缘轮廓为一长斜边和一段圆弧EP2，长斜边与硅片下表面成α角，圆弧EP2分别与长斜边和硅片先端面相切。本硅片的制造方法是：切片、倒角而上表面留有抛光余量；上下表面研磨、腐蚀处理、上表面抛光去除预留的抛光余量。本硅片在下阶段减薄加工后，边缘不会成锐角，减少边缘破损的可能，提高成品合格率。
具有不对称边缘轮廓硅片及其制造方法

[实用新型]一种硅片刷油机构-CN202023007902.8有效
发明人：林生财;胡耿涛;刘振辉;王胜利 -专利权人：矽电半导体设备（深圳）股份有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：一种硅片刷油机构，用于对硅片表面涂覆氟油，所述硅片刷油机构包括，喷油嘴，用于对硅片表面喷氟油；涂覆部，用于与硅片接触并将氟油涂覆于硅片表面；连接于涂覆部的运动部，所述运动部用于驱动涂覆部在硅片表面运动，使氟油涂覆于硅片表面；线性驱动部，连接于运动部，所述线性驱动部用于控制涂覆部远离/抵靠硅片；使氟油涂覆于硅片表面，使硅片的测试位置与空气隔开，减少针尖打火，影响硅片测试。
一种硅片油机

[发明专利]一种硅片的处理方法-CN201711271080.4在审
发明人：赵向阳 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅片的处理方法，包括以下步骤：取一硅片进行氧化处理，以在所述硅片表面形成氧化膜；对所述硅片进行低温加热处理，使所述硅片内部的金属离子扩散至所述硅片表面的氧化膜中；去除所述硅片表面的氧化膜；清洁所述硅片。通过对所述硅片进行氧化处理形成氧化膜，氧化膜有吸附金属离子的功能；对所述硅片进行低温加热处理，使所述金属离子向所述硅片表面扩散，所述金属离子会附着在所述氧化膜上，以去除所述硅片内部的金属离子；通过酸性腐蚀溶液等腐蚀所述硅片表面，可以腐蚀掉所述硅片表面的氧化膜和附着在氧化膜上的金属离子，达到去除所述硅片中金属离子的目的，使所述硅片中金属离子去除的更有效。
硅片氧化膜硅片表面金属离子去除低温加热氧化处理附着金属离子扩散金属离子去除酸性腐蚀溶液吸附金属离子腐蚀扩散清洁

[发明专利]一种提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗工艺-CN202010033492.X有效
发明人：武卫;张宏杰;孙晨光;刘建伟;由佰玲;刘园;常雪岩;谢艳;杨春雪;刘秒;裴坤羽;祝斌;刘姣龙;王彦君;吕莹;徐荣清 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗工艺，包括以下步骤，对硅片进行碱溶液清洗；对硅片进行第一纯水清洗，去除硅片表面的碱溶液；对硅片进行酸溶液清洗；对硅片进行第二纯水清洗，去除硅片表面的酸溶液；对硅片进行第三纯水清洗；对硅片进行慢提拉、烘干。本发明的有益效果是用于对大直径硅片边抛后清洗，采用碱洗和酸洗，去除硅片表面的颗粒杂质和金属离子，保证硅片表面的清洁度，降低清洗成本。
一种提高边抛大直径硅片表面洁净清洗工艺

[发明专利]一种N型太阳能电池制作方法-CN201210222534.X有效
发明人：张伟;李高非;胡志岩;熊景峰 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型太阳能电池制作方法，所述方法包括：提供一待处理的硅片；去除所述硅片表面的损伤层；对所述硅片进行表面制绒；对所述硅片进行清洗，以去除所述硅片表面残留的金属杂质；对干燥后的所述硅片进行硼扩散本发明所述技术方案通过去除损伤层工序时能够去除硅片表面的部分金属杂质，在对所述硅片制绒之后、硼扩散之前对硅片进行清洗，采用不破坏硅片表面绒面、不影响硅片硼扩散效果且能将硅片表面金属杂质转化为溶于水的化合物的试剂对硅片进行清洗，去除硅片表面残留的金属杂质，保证了硼扩散时扩散制结的质量，进而提高了N型太阳能电池的光电转换效率。
一种太阳能电池制作方法

[发明专利]调整吸盘吸力分布改善硅片翘曲的方法-CN201910908045.1有效
发明人：李璟;丁敏侠;张清洋;齐威;朱世懂;折昌美;陈进新 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种调整吸盘吸力分布改善硅片翘曲的方法，该方法包括：获取当前待曝光硅片的形貌图，得到硅片表面高度分布信息数据；根据硅片表面高度分布信息数据计算当前硅片局部翘曲度；根据计算出的当前硅片局部翘曲度计算硅片表面局部吸附载荷；根据计算出的硅片表面局部吸附载荷调整硅片表面吸点吸力大小。本发明提出的调整吸盘吸力分布改善硅片翘曲的方法，基于吸孔密集化分布且局部或单一吸孔独立可控的吸盘结构，根据计算出的硅片表面局部吸附载荷调整硅片表面吸点吸力大小可实现对不同形状和翘曲程度的硅片达到理想修正
调整吸盘吸力分布改善硅片方法

[发明专利]一种硅片的减薄方法-CN202210069685.X在审
发明人：张涛杰 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片的减薄方法，包括：使用去离子水对待减薄的硅片进行预清洗处理；将抗酸膜粘贴在预清洗后的硅片的第一表面，所述第一表面为硅片的无需减薄的表面；对预清洗后的硅片的第二表面进行研磨，并在研磨的同时向所述第二表面喷洒酸性腐蚀液，所述第二表面为硅片的需要减薄的表面；对研磨后的硅片进行清洗处理。采用本发明的技术方案能够保证硅片厚度减薄的均一性，使得硅片表面平整，并且有效减少硅片表面的凹陷，优化使用效果。
一种硅片方法

[发明专利]一种硅片含铜量的测试方法-CN202011405857.3在审
发明人：谭继东;郭恺辰 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种硅片含铜量的测试方法。硅片含铜量的测试方法包括：去除目标硅片表面的氧化层；将所述目标硅片在预设温度下加热预设时长，所述预设温度为100至500摄氏度，所述预设时长为10至300分钟；在所述目标硅片冷却后，测量所述目标硅片的表面铜含量值；根据所述目标硅片的表面铜含量值确定所述目标硅片的含铜量值。本发明实施例通过对硅片进行加热，使得硅片中的铜能够扩散到硅片表面，进一步根据硅片的表面铜含量值确定硅片的含铜量值，从而能够相对准确的测量硅片中的铜含量。
一种硅片含铜量测试方法

[发明专利]化学机械抛光方法-CN202110436761.1在审
发明人：胡文才;权林;张宇磊;季文明 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供了一种化学机械抛光方法，包括：提供一硅片，所述硅片具有一缺口；形成一层保护层，所述保护层覆盖所述硅片的表面；对所述硅片的缺口进行化学机械抛光以去除所述缺口的表面缺陷；以及，去除所述保护层。通过在所述硅片的表面覆盖保护层，在对所述硅片的缺口进行化学机械抛光时，抛光液流到所述硅片的表面时，由于所述保护层对所述硅片的表面保护，使得所述硅片的表面不被所述抛光液腐蚀，从而能够解决所述硅片表面的边缘和中间腐蚀不均匀，硅片表面会出现stain(污点)缺陷的问题。
化学机械抛光方法

[发明专利]水伏电池单元的制备方法及水伏光伏复合发电系统-CN202110014393.1有效
发明人：杨朔;靳然;王玉生;宋涛;孙宝全 -专利权人：苏州大学
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H02N3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种水伏电池单元的制备方法及水伏/光伏发电系统，包括以下步骤：对硅片的表面进行处理，去除硅片表面的有机物和氧化物，获得处理后的硅片，其中，硅片的背面贴附保护层；将处理后的硅片置于HF和AgNO3的混合溶液中并搅拌，使得硅片的正面形成银纳米颗粒层，获得表面具有银纳米颗粒层的硅片；通过溶液刻蚀法对S2处理后的硅片进行刻蚀，使得硅片表面形成硅纳米线，所述硅片表面形成硅纳米线/银纳米颗粒复合层；溶解硅片表面的银纳米颗粒，获得表面仅有硅纳米线的硅片；在所述硅片的正面制备正电极，去除硅片表面的保护层并在硅片的背面制备负电极，获得水伏电池。
电池单元制备方法水伏光伏复合发电系统

[发明专利]一种硅片预处理方法-CN202211365442.7在审
发明人：张清明;时锋 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅片预处理方法，包括：提供硅片，对硅片进行氮化处理，在硅片表面形成掺氮的改性层；对进行氮化处理后的硅片进行退火处理。本发明提供的硅片预处理方法，通过氮化处理，可在硅片表面形成一掺氮的改性层，可减少硅片表面的氧杂质含量并可抑制改性层中氧沉淀晶格缺陷的形成；通过退火处理，进一步使硅片表面的氧杂质脱离，并修复表面的晶格缺陷，最终得到表面氧杂质含量和氧沉淀晶格缺陷含量符合预期的硅片。因此，本发明提供的硅片预处理方法，可有效降低硅片表面氧杂质和氧沉淀晶格缺陷的含量，从而提高后续制程的良率。
一种硅片预处理方法

[实用新型]一种多晶硅片多次酸洗烘干处理装置-CN202122708486.2有效
发明人：常康杰;张奇;王雪 -专利权人：江苏中宇光伏科技有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： F26B5/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅片多次酸洗烘干处理装置，包括一种多晶硅片多次酸洗烘干处理装置，装置本体包括烘干机台，烘干机台上设有用于对硅片进行传输的传输组件，烘干机台上设有用于对硅片表面进行烘干的烘干箱，烘干箱内部设有用于对硅片表面水分进行吸附的吸水组件，烘干箱内部靠近吸水组件的位置设有用于对硅片进行烘干的烘干组件，传输组件能够对水洗后的硅片进行传输，硅片载板能够对硅片进行支撑，烘干箱能够对硅片进行烘干，吸水组件能够对硅片表面的水汽进行吸干，烘干组件能够对硅片表面同时进行烘干，旨在对硅片表面进行多次干燥，保证硅片的快速干燥，提高了硅片的干燥效率，节约了成本。
一种多晶硅片多次酸洗烘干处理装置

[发明专利]一种硅片检测方法-CN202011420756.3在审
发明人：徐鹏;张婉婉 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种硅片检测方法。硅片检测方法包括：提供一待检测硅片；在待检测硅片的待检测表面设置承载片，获得由待检测硅片和承载片叠加形成的组合硅片，承载片覆盖待检测表面，组合硅片具有与待检测表面平行的第一表面和第二表面；研磨组合硅片，以在组合硅片上形成检测平面，检测平面由第一表面延伸至第二表面，检测平面与待检测表面之间的第一夹角大于0度且小于90度；检测检测平面上的损伤尺寸；根据损伤尺寸和第一夹角计算待检测表面的损伤深度。本发明实施例有助于提高对于硅片损伤深度的检测精度。
一种硅片检测方法

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