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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种改进光刻胶粘结性的结构及其方法-CN201910446347.1有效
发明人：徐杨;金子贵昭;王贤超 -专利权人： 德淮半导体有限公司
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进光刻胶粘结性的结构，包括：衬底；形成在衬底上的光刻胶固定结构，所述光刻胶固定结构具有特定尺寸的第一开口，所述第一开口从光刻胶固定结构的顶部延伸到衬底顶部；以及形成在衬底和光刻胶固定结构顶部的光刻胶层，所述光刻胶层填充所述第一开口并至少部分地覆盖所述第一开口两侧的光刻胶固定结构顶面。
一种改进光刻胶粘结构及其方法

[发明专利]一种用于提供半导体器件的平坦表面的方法-CN201910422468.2有效
发明人：陈楚;管斌;黄晓橹 -专利权人： 德淮半导体有限公司
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于提供半导体器件的平坦表面的方法，包括下列步骤：提供衬底；在衬底的第一侧形成第一沟槽；向第一沟槽中填充填料层；使第一沟槽平坦化；在平坦化的第一沟槽上形成附加层；从衬底第一侧相对的第二侧除去衬底的至少一部分以露出第二沟槽；以及除去第二沟槽。通过本发明，可以提供半导体器件的具有较低粗糙度(如TTV)的表面，进而提高半导体器件的性能和良品率。
一种用于提供半导体器件平坦表面方法

[发明专利]一种图像传感器及其制造方法-CN201910336395.5有效
发明人：黄增智;龙海凤;夏睿;倪凌云;黄晓橹 -专利权人： 德淮半导体有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括感光元件，形成在衬底中以将光信号转换为电信号；滤色层，形成在所述感光元件之上；第一微透镜，形成在所述滤色层上，所述第一微透镜朝入射光的方向凸起以汇聚入射光；以及第二微透镜，形成在所述感光元件和所述滤色层之间并且包括被多个沟槽隔开的多个子微透镜，以使得所述第二微透镜具有从中心到边缘减小的平均折射率。
一种图像传感器及其制造方法

[发明专利]存储器的结构及其形成方法-CN201910744048.6有效
发明人：朱鹏;王永耀 -专利权人： 德淮半导体有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种存储器及其形成方法，结构包括:衬底，所述衬底内具有相邻的第一阱区和第二阱区，所述第一阱区和第二阱区的掺杂类型相反；位于第一阱区和第二阱区内的第一沟槽，且所述第一沟槽自第一阱区延伸至第二阱区；位于所述第一沟槽内的字线栅极结构；位于所述字线栅极结构表面的第一隔离层，所述第一隔离层填充满所述第一沟槽；位于第一阱区内的第二隔离层；位于第一阱区内的源线掺杂区，所述源线掺杂区位于所述第一隔离层和第二隔离层之间；位于第二阱区表面的位线栅极结构。所述存储器的占用面积得到改善。
存储器结构及其形成方法

[发明专利]相位检测自动对焦像素元件及其形成方法，图像传感器及其形成方法-CN201910638161.6有效
发明人：黄增智;倪凌云;黄晓橹 -专利权人： 德淮半导体有限公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体地涉及一种相位检测自动对焦像素元件及其形成方法，以及图像传感器及其形成方法。所述相位检测自动对焦像素元件(PDAF)包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括至少两个像素区域；增透层，所述增透层位于所述半导体衬底上；至少两个掩埋透镜，所述至少两个掩埋透镜位于所述增透层上，位置对应于所述至少两个像素区域。所述掩埋透镜可以聚集射入到PDAF像素元件中的光线，增加所述PDAF像素元件的进光量，增大所述PDAF元件中像素区域之间的光强差别，增大所述PDAF像素元件对光线的响应角度，提高对焦灵敏度。
相位检测自动对焦像素元件及其形成方法图像传感器

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201810970545.3有效
发明人：刘西域;孟宪宇;吴宗祐;林宗贤 -专利权人： 德淮半导体有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，其中，图像传感器包括：基底，所述基底包括第一面，所述基底包括若干个相互分立的第一区，各所述第一区的基底内分别具有光电掺杂区，光电掺杂区到第一面的最小距离为第一距离；位于所述基底第一区内的开口结构，所述第一面暴露出开口结构，所述开口结构底部到第一面的距离为第二距离，且所述第二距离小于或者等于第一距离；位于所述开口结构内的透镜结构。所述图像传感器的性能较好。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其工作方法-CN201811173005.9有效
发明人：陈伯廷;吴宗祐;林宗贤 -专利权人： 德淮半导体有限公司
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种半导体装置及其工作方法，其中，半导体装置，包括：腔室；位于腔室内的部件；位于所述部件内的第一液管，所述第一液管内用于通入冷却液；第一振动装置，用于振动所述第一液管。利用所述半导体装置能够防止第一液管被堵塞。
半导体装置及其工作方法

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201910571669.9有效
发明人：张瑞鸿;张松 -专利权人： 德淮半导体有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，形成方法包括：提供基底；形成覆盖所述基底的涂层，所述涂层露出部分所述基底表面；形成支撑层，所述支撑层覆盖所述涂层露出的所述基底表面，所述支撑层顶部高于所述涂层顶部；形成胶层，所述胶层位于所述支撑层顶部表面，所述胶层横跨所述涂层，且所述胶层与所述涂层表面间相分离。本发明有助于保护所述涂层，防止在去除所述胶层的工艺中，所述涂层发生剥离。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]设备检测装置及其工作方法、半导体设备-CN201910114619.8有效
发明人：韦伟;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 -专利权人： 德淮半导体有限公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G01N21/958 文献下载
摘要：一种设备检测装置及其工作方法、半导体设备，设备检测装置包括：保护板；设置于保护板侧壁的多个分立发射单元，所述发射单元用于向保护板内发射第一信号；设置于保护板侧壁的多个分立接收单元，所述接收单元用于接收第二信号，所述第二信号为第一信号穿透保护板衰减后的信号，且各接收单元与各发射单元一一对应；数据处理单元，用于通过第二信号获取保护板的裂纹信息。半导体设备包括：腔体；位于腔体内的基座，用于承载待测物体；腔体盖，用于加热腔体；位于腔体盖内的加热装置，用于提供热能；上述任意一种设备检测装置，所述设备检测装置位于加热装置和基座之间，用于保护加热装置。所述设备检测装置的性能得到提高。
设备检测装置及其工作方法半导体设备

[发明专利]三维堆栈式CIS及其形成方法-CN201910362531.8有效
发明人：晁阳;黄晓橹;新居英明;马星 -专利权人： 德淮半导体有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种三维堆栈式CIS及其形成方法，所述方法包括：提供逻辑晶圆，所述逻辑晶圆的正面具有逻辑金属互连结构；在所述逻辑金属互连结构的表面形成焊球；提供承载晶圆，将所述承载晶圆与所述逻辑晶圆的正面通过第一键合层进行键合，所述第一键合层覆盖所述焊球；提供像素晶圆，所述像素晶圆的正面具有像素金属互连结构；将所述像素晶圆的正面与所述逻辑晶圆的背面进行键合；去除所述承载晶圆与所述第一键合层，以暴露出所述焊球。本发明方案可以利用焊球实现BGA封装。
三维堆栈 cis 及其形成方法

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201910507292.0有效
发明人：张瑞鸿;张松 -专利权人： 德淮半导体有限公司
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括逻辑区，所述逻辑区包括相邻的第一区和第二区；在所述逻辑区第一区的第二面表面形成遮挡结构；在所述遮挡结构表面形成抗反射层；在所述抗反射层的侧壁表面和与侧壁连接的部分顶部表面形成第一固化层。所述方法形成的图形传感器性能得到提升。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201910412522.5有效
发明人：吴明;吴孝哲;林宗贤;吴龙江;熊建锋;朱晓彤 -专利权人： 德淮半导体有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，图像传感器包括：第一基底，所述第一基底包括相对的第一面和第二面，所述第一基底包括若干相互分立的像素区、以及位于相邻像素区之间的隔离区；位于所述第一基底第二面表面的第一反射结构；位于所述隔离区内的第二反射结构，且所述第二反射结构自所述第一面贯穿至所述第二面；位于所述第一反射结构表面的第二基底，所述第二基底包括相对的第三面和第四面，所述第三面和第一反射结构表面相接触，所述第二基底内具有若干相互分立的浮置扩散区；位于所述第二基底内的导电插塞，所述导电插塞自所述像素区贯穿至所述第二基底内，且所述导电插塞与所述浮置扩散区和像素区电连接。所述图像传感器的成像质量较好。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]静态随机存取存储器及其制造方法-CN201810086149.4有效
发明人：北村阳介;大石周;黄晓橹 -专利权人： 德淮半导体有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L21/8244 文献下载
摘要：本公开涉及静态随机存取存储器及其制造方法。一种制造静态随机存取存储器的方法，其特征在于，包括：在基底上形成图案化的第一栅极部分，使得相邻的第一栅极部分之间具有第一间隔区域；在所述第一栅极部分之上以及所述第一间隔区域中沉积栅极材料；以及对所述栅极材料进行选择性刻蚀，从而形成第二栅极部分，其中所述栅极材料的一部分从所述第一间隔区域中去除，从而在所述第一栅极部分与所述第二栅极部分之间形成第二间隔区域，其中所述第一间隔区域的尺寸大于所述第二间隔区域的尺寸。
静态随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201811248576.4有效
发明人：黄增智;夏睿;李天慧;黄晓橹 -专利权人： 德淮半导体有限公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，图像传感器包括：衬底，所述衬底包括相邻的第一像素区和第二像素区；位于第一像素区衬底表面的第一滤光层；位于第二像素区衬底表面的第二滤光层，所述第二滤光层和第一滤光层顶部齐平；位于第一滤光层表面的第一透镜层；位于第二滤光层表面的第二透镜层，所述第二透镜层高度大于所述第一透镜层高度，所述第二透镜层包括第一底透镜层和位于第一底透镜层表面的第一凸透镜层，所述第一底透镜层侧壁与第一底透镜层底面的夹角为预设角度。所述图像传感器的性能得到提高。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910291073.3有效
发明人：王贤超;徐杨 -专利权人： 德淮半导体有限公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底表面形成复合结构，所述复合结构包括若干层复合层，且所述若干层复合层沿基底表面法线方向重叠，每一层复合层包括第一材料层以及位于第一材料层表面的第二材料层，且第一材料层的材料和第二材料层的材料不同；形成贯穿所述复合结构的第一开口，所述第一开口暴露出基底表面；刻蚀第一开口四周的第二材料层，分别在各个所述第二材料层内形成第一凹槽；在所述第一开口和第一凹槽内形成第一互联结构。所述方法工艺步骤简单，节省了制备成本。
半导体结构及其形成方法

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