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[发明专利]半导体结构-CN201510150356.8在审
发明人：赵美玲;陈秉睿;王礼赐;唐天浩 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-04-01 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构，包括阱区、第一轻掺杂区、第二轻掺杂区、第一重掺杂区、第二重掺杂区及栅极。第一轻掺杂区设置于阱区中。第二轻掺杂区设置于阱区中并与第一轻掺杂区分离。第一重掺杂区设置于第一轻掺杂区中。第二重掺杂区部分设置于第二轻掺杂区中。第二重掺杂区具有接触阱区的表面。栅极设置于阱区上并介于第一重掺杂区及第二重掺杂区之间。阱区具有第一掺杂类型。第一轻掺杂区、第二轻掺杂区、第一重掺杂区及第二重掺杂区具有第二掺杂类型。
半导体结构

[发明专利]一种横向扩散金属氧化物功率MOS器件-CN201110243454.8无效
发明人：陈伟元 -专利权人：苏州市职业大学
申请日： 2011-08-24 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种横向扩散金属氧化物功率MOS器件，包括：位于P型的衬底层内的P型阱层和N型轻掺杂层；所述N型轻掺杂层由第一N型轻掺杂区、第二N型轻掺杂区和P型轻掺杂区组成；所述第一N型轻掺杂区的掺杂浓度高于所述P型轻掺杂区的掺杂浓度，所述P型轻掺杂区的掺杂浓度高于所述第二N型轻掺杂区的掺杂浓度；所述第一N型轻掺杂区位于所述第二N型轻掺杂区上方；所述P型轻掺杂区在水平方向上位于所述第一N型轻掺杂区的中央区域且此P型轻掺杂区在垂直方向上位于所述第一N型轻掺杂区中央区域的中下部并与所述第二N型轻掺杂区表面接触。
一种横向扩散金属氧化物功率 mos 器件

[发明专利]双向式硅控整流器-CN201811168635.7有效
发明人：陈致维;林昆贤 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种双向式硅控整流器，其包含一轻掺杂半导体结构、一第一轻掺杂区、一第二轻掺杂区、一第一掺杂井区、一第二掺杂井区、一第一重掺杂区、一第二重掺杂区、一第三重掺杂区与一第四重掺杂区。轻掺杂半导体结构、第一重掺杂区与第三重掺杂区属于第一导电型，第一轻掺杂区、第二轻掺杂区、第一掺杂井区、第二掺杂井区、第二重掺杂区与第四重掺杂区属于第二导电型。第一轻掺杂区的第一部分位于第一掺杂井区的下方，第二轻掺杂区的第二部分位于第二掺杂井区的下方。
双向式硅控整流器

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN202310829731.6在审
发明人：黄雅琴;何毅达;蔡志鸿 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：半导体层包括第一重掺杂区、第二重掺杂区、桥接区、第一沟道区、第二沟道区、第一轻掺杂区以及第二轻掺杂区。第一轻掺杂区连接桥接区与第一沟道区。第二轻掺杂区连接桥接区与第二沟道区。桥接区的掺杂浓度大于第一轻掺杂区以及第二轻掺杂区的掺杂浓度。栅极重叠于桥接区、第一沟道区、第二沟道区、第一轻掺杂区以及第二轻掺杂区。源极以及漏极分别电连接至第一重掺杂区以及第二重掺杂区。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]低导通电阻的横向扩散MOS半导体器件-CN201210014741.6无效
发明人：陈伟元 -专利权人：苏州市职业大学
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种低导通电阻的横向扩散MOS半导体器件，包括：位于P型的衬底层内的P型阱层和N型轻掺杂层；源极区和N型轻掺杂层之间区域的P型阱层上方设有栅氧层；源极区与N型轻掺杂层之间且位于P型阱层上部开有至少两个凹槽，此凹槽的刻蚀深度为源极区结深的1/4～1/5之间；N型轻掺杂层由第一N型轻掺杂区、第二N型轻掺杂区和P型轻掺杂区组成；所述第一N型轻掺杂区的掺杂浓度高于所述P型轻掺杂区的掺杂浓度，所述P型轻掺杂区的掺杂浓度高于所述第二N型轻掺杂区的掺杂浓度；所述第一N型轻掺杂区与第二N型轻掺杂区的掺杂浓度比例范围为：1.2∶1～1.3∶1。
通电横向扩散 mos 半导体器件

[实用新型]一种新型的槽栅型MOS器件-CN202120653161.6有效
发明人：陈利 -专利权人：厦门芯一代集成电路有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型的槽栅型MOS器件，包括：N型衬底，N型轻掺杂缓冲区，P型阱区，P型重掺杂源极区，N型轻掺杂区，P型掺杂区，N型重掺杂源极区，绝缘层，栅极多晶硅区，栅极电极，源极电极和漏极电极；N型衬底的下面做漏极电极，N型衬底上有N型轻掺杂缓冲区，N型轻掺杂缓冲区上有P型阱区和N型轻掺杂区，N型轻掺杂区在P型阱区之间，N型轻掺杂区上有P型掺杂区，P型掺杂区上有N型重掺杂源极区，N型重掺杂源极区中间有槽型栅结构区，槽型栅结构区贯穿N型重掺杂源极区和P型掺杂区，并延伸到N型轻掺杂区，P型阱区上有P型重掺杂源极区，在源极区做源极电极，栅极多晶硅区做栅极电极。
一种新型槽栅型 mos 器件

[发明专利]硅基光调制器-CN201410621547.3有效
发明人：汪敬;甘甫烷;盛振;武爱民;仇超;王曦;邹世昌 -专利权人：中科院南通光电工程中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基光调制器，至少包括：脊型波导，包括平板部和位于所述平板部中间，且高于所述平板部的凸条；所述脊型波导中包括第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，第一轻掺杂区包括形成在凸条中间，且沿着所述凸条的延伸方向的纵向第一轻掺杂区和至少一个形成在所述凸条和所述平板部上，且与所述凸条相交的横向第一轻掺杂区；第二轻掺杂区和第一轻掺杂区的掺杂类型相反，且形成于第一轻掺杂区外侧的凸条和平板部中，以与第一轻掺杂区构成横向和纵向的PN结。本发明的技术方案中提供的硅基光调制器利用多个横向第一轻掺杂区与第二轻掺杂区、纵向第一轻掺杂区与第二轻掺杂区形成PN结，可以增加模场中耗尽区的面积，从而提高硅基光调制器的调制效率。
轻掺杂区凸条光调制器平板部硅基脊型波导掺杂类型调制效率耗尽区板部相交延伸

[发明专利]瞬时电压抑制装置-CN202210907230.0在审
发明人：陈致维;林冠宇;林昆贤 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种瞬时电压抑制装置，其包括至少一个P型轻掺杂结构与至少一个静电放电结构。静电放电结构包括一N型轻掺杂阱区、一N型阱区、一第一P型重掺杂区与一第一N型重掺杂区。N型轻掺杂阱区位于P型轻掺杂结构中，N型阱区位于N型轻掺杂阱区中，N型轻掺杂阱区的掺杂浓度小于N型阱区的掺杂浓度。第一P型重掺杂区位于N型阱区中，第一N型重掺杂区位于P型轻掺杂结构中。
瞬时电压抑制装置

[发明专利]一种PN结-CN201510130676.7在审
发明人：周治平;李田甜;钟舫;华锋;王会涛 -专利权人：中兴通讯股份有限公司;北京大学
申请日： 2015-03-23 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种PN结，至少包括：轻掺杂P区、与轻掺杂P区相连的轻掺杂N区；其中，轻掺杂P区和轻掺杂N区在波导脊形区长度方向交替分布，且轻掺杂P区和轻掺杂N区在波导脊形区上的区域的交界面在与交界面垂直的平面上的投影为一条折线
一种 pn

[发明专利]具有用于负电压操作的隔离式SCR的ESD保护电路-CN201380053201.1有效
发明人：阿克拉姆·A·萨勒曼;法尔赞·法尔比斯;阿米塔瓦·查特吉;吴小菊 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2013-11-04 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：所述半导体控制整流器包括：第一经轻掺杂区(100)，其具有第一导电性类型(N)；及第一经重掺杂区(108)，其具有第二导电性类型(P)，形成于所述第一经轻掺杂区内。具有所述第二导电性类型的第二经轻掺杂区(104)是接近所述第一经轻掺杂区而形成。具有所述第一导电性类型的第二经重掺杂区(114)形成于所述第二经轻掺杂区内。具有所述第一导电性类型的掩埋层(101)形成于所述第二经轻掺杂区下方且电连接到所述第一经轻掺杂区。具有所述第二导电性类型的第三经轻掺杂区(102)形成于所述第二经轻掺杂区与所述第三经重掺杂区之间。具有所述第二导电性类型的第四经轻掺杂区(400)形成于所述第二经轻掺杂区与所述第三经重掺杂区之间且电连接到所述第二及第三经轻掺杂区。
轻掺杂区导电性类型重掺杂区半导体控制整流器电连接轻掺杂负电压隔离式掩埋层集成电路

[发明专利]半导体结构的制造方法及半导体结构-CN202310450453.3在审
发明人：梁康宁;冯艳玲;刘克 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，半导体结构的制造方法包括：提供基底，基底包括栅极区以及位于栅极区相对两侧的轻掺杂区；在基底中形成初始轻掺杂部，初始轻掺杂部位于栅极区以及轻掺杂区，初始轻掺杂部内具有第一掺杂离子，第一掺杂离子的掺杂类型为N型或者P型；在基底上形成具有第一开口的第一掩膜层，第一开口露出位于栅极区的初始轻掺杂部；以第一掩膜层为掩膜，去除栅极区中的初始轻掺杂部，保留轻掺杂区中的初始轻掺杂部作为轻掺杂部；去除第一掩膜层；形成栅极，栅极位于相邻的轻掺杂部之间，且栅极与轻掺杂部的侧壁相接触。
半导体结构制造方法

[发明专利]一种阵列基板的掺杂方法和掺杂设备-CN201410770410.4在审
发明人：薛景峰;陈归;郝思坤;张鑫 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板的掺杂方法及掺杂设备，其方法包括提供定义有待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区的基板；通过光刻工艺在基板上形成光阻层，该光阻层对应待重掺杂区形成第一光阻部，对应待轻掺杂区形成第二光阻部，对应待掺杂沟道区形成第三光阻部，第一光阻部比第二光阻部薄，第二光阻部比第三光阻部薄；经光阻层对待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区进行一次掺杂，以一次形成分别与待重掺杂区、待轻掺杂区以及待掺杂沟道区对应的重掺杂区、轻掺杂区和沟道区。通过上述方式，本发明能够实现对基板的沟道区、重掺杂区以及轻掺杂区的一次掺杂，简化工艺，降低成本。
一种阵列掺杂方法设备

[实用新型]一种新型的高压槽栅MOS器件-CN202121123899.8有效
发明人：陈利;陈彬;陈译 -专利权人：厦门芯一代集成电路有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型的高压槽栅MOS器件，其包括：N型重掺杂衬底，N型轻掺杂缓冲区，P型阱区，P型多晶硅源极区，N型轻掺杂区，P型掺杂区，N型重掺杂源极区，氧化层，栅极多晶硅区；漏极电极设在N型重掺杂衬底下表面，N型重掺杂衬底上有N型轻掺杂缓冲区，N型轻掺杂缓冲区上有P型阱区、N型轻掺杂区和槽栅结构区，N型轻掺杂区和槽栅结构区设在P型阱区之间，N型轻掺杂区上设P型掺杂区，P型掺杂区上设N型重掺杂源极区；另一个P型阱区上设N型重掺杂源极区，在P型阱区上设P型多晶硅源极区；槽栅结构区包括氧化层和栅极多晶硅区，栅极多晶硅区上设栅极电极，P型多晶硅源极区和N型重掺杂源极区上设源极电极。
一种新型高压 mos 器件

[实用新型]一种超结IGBT的半导体功率器件-CN202022095317.1有效
发明人：陈利;陈译;陈彬 -专利权人：厦门芯一代集成电路有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超结IGBT的半导体功率器件，该器件包括：P型重掺杂衬底，P型重掺杂衬底上的N型重掺杂缓冲区，N型重掺杂缓冲区上的N型轻掺杂漂移区，N型轻掺杂漂移区上的N型重掺杂区和P型阱区，N型重掺杂区上的N型轻掺杂沟道区，该区设置在P型阱区中间，在P型阱区且靠近N型重掺杂区的N型轻掺杂区，N型轻掺杂区上的N型重掺杂源区，N型重掺杂源区相邻接的P型重掺杂源区，P型阱区和N型轻掺杂沟道区上的栅结构区，该栅结构区采用多晶硅和高K绝缘材料，N型/P型重掺杂源区引出发射极，栅结构引出栅极，P型重掺杂衬底下表面引出集电极。该器件通过N型轻掺杂区可以减小栅沟道的比导通电阻，通过超结可以提高该器件的开关速度。
一种 igbt 半导体功率器件

[实用新型]硅基光调制器-CN201420660354.4有效
发明人：汪敬;甘甫烷;盛振;武爱民;仇超;王曦;邹世昌 -专利权人：江苏尚飞光电科技有限公司;中科院南通光电工程中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅基光调制器，至少包括：脊型波导，包括平板部和位于所述平板部中间，且高于所述平板部的凸条；所述脊型波导中包括第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，第一轻掺杂区包括形成在凸条中间，且沿着所述凸条的延伸方向的纵向第一轻掺杂区和至少一个形成在所述凸条和所述平板部上，且与所述凸条相交的横向第一轻掺杂区；第二轻掺杂区和第一轻掺杂区的掺杂类型相反，且形成于第一轻掺杂区外侧的凸条和平板部中，以与第一轻掺杂区构成横向和纵向的PN结。本实用新型的技术方案中提供的硅基光调制器利用多个横向第一轻掺杂区与第二轻掺杂区、纵向第一轻掺杂区与第二轻掺杂区形成PN结，可以增加模场中耗尽区的面积，从而提高硅基光调制器的调制效率。
硅基光调制器

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