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[发明专利]硅基电光调制器掺杂结构-CN202010573470.2在审
发明人：唐伟杰;曹伟杰;储涛 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G02F1/017 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基电光调制器掺杂结构，涉及半导体领域，包括：第一掺杂区域、第二掺杂区域、第三掺杂区域和第四掺杂区域；第一掺杂区域与第二掺杂区域掺杂类型相同，第二掺杂区域与第三掺杂区域掺杂类型相反，第三掺杂区域与第四掺杂区域掺杂类型相同；第二掺杂区域与第三掺杂区域的接触面交错形成周期性结构，通过微波信号的幅度调整周期性结构。
电光调制器掺杂结构

[发明专利]具有改进的击穿电压的高电压MOSFET器件-CN202310251692.6在审
发明人： A·杜塔;V·S·乔帕利;R·克里希纳萨米 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：MOSFET器件可以包括衬底；第一掺杂区域，设置于衬底中；第二掺杂区域，设置于衬底中，其中，第一掺杂区域与第二掺杂区域彼此横向相邻；第三掺杂区域，设置于第一掺杂区域中；第四掺杂区域，设置于第二掺杂区域中；栅极，设置于衬底上、在第一掺杂区域与第二掺杂区域上方以及在第三掺杂区域与第四掺杂区域间；以及至少一个高电阻区域，嵌入至少第二掺杂区域中，其中，第一掺杂区域具有第一导电类型，其中，第二掺杂区域、第三掺杂区域和第四掺杂区域具有第二导电类型
具有改进击穿电压 mosfet 器件

[发明专利]具有电荷转移和电荷存储能力的竖直传输门-CN201910034935.4在审
发明人： F·罗伊 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在实施例中，一种图像传感器包括半导体区域；第一掺杂区域，设置在半导体区域之上；环形阱，设置在第一掺杂区域之上并且包围第一掺杂区域的部分；第二掺杂区域，形成在环形阱内并且设置在第一掺杂区域之上；以及第三掺杂区域，设置在第二掺杂区域之上。第三掺杂区域比第二掺杂区域更重地被掺杂，第二掺杂区域比第一区域更重地被掺杂，并且都是相同的掺杂类型。环形阱内的第一掺杂区域和第二掺杂区域形成势垒，该势垒用于控制电荷载流子从第一掺杂区域到第三掺杂区域的转移。
掺杂区域环形阱半导体区域势垒绝缘体掺杂电荷存储能力电荷载流子图像传感器包围导体掺杂类型导体连接第一区域电荷转移电压端子传输门界定竖直

[实用新型]图像传感器-CN201920061139.5有效
发明人： F·罗伊 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在实施例中，一种图像传感器包括半导体区域；第一掺杂区域，设置在半导体区域之上；环形阱，设置在第一掺杂区域之上并且包围第一掺杂区域的部分；第二掺杂区域，形成在环形阱内并且设置在第一掺杂区域之上；以及第三掺杂区域，设置在第二掺杂区域之上。第三掺杂区域比第二掺杂区域更重地被掺杂，第二掺杂区域比第一区域更重地被掺杂，并且都是相同的掺杂类型。环形阱内的第一掺杂区域和第二掺杂区域形成势垒，该势垒用于控制电荷载流子从第一掺杂区域到第三掺杂区域的转移。
掺杂区域环形阱半导体区域图像传感器势垒绝缘体掺杂电荷载流子包围导体掺杂类型导体连接第一区域电压端子界定

[发明专利]一种硅基调制器和调制装置-CN201811599111.3有效
发明人：张森林;邵永波;李蒙 -专利权人：中兴光电子技术有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G02F1/21 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种硅基调制器和调制装置，包括：波导，所述波导包括：正掺杂区域、负掺杂区域、重正掺杂区域、重负掺杂区域、阴极和阳极；其中，正掺杂区域通过重正掺杂区域连接阴极，负掺杂区域通过重负掺杂区域连接阳极，正掺杂区域和负掺杂区域形成正‑负结设置在波导的中间，重正掺杂区域和重负掺杂区域设置在波导的两端，正掺杂区域和负掺杂区域之间的分界面的横截面为折线，所述折线包括n条线段，n大于或等于3。本发明实施例正掺杂区域和负掺杂区域之间的分界线为Z字型，使得正掺杂区域和负掺杂区域构成的正‑负结的耗尽区与光场的交叠区域面积更大，提高了调制效率，并且不需要对正‑负结的耗尽区进行重掺杂，减小了光学损耗。
一种基调调制装置

[发明专利]一种发射效率可控的半导体器件及其制作方法-CN202210375628.4在审
发明人：吴锦鹏;曾嵘;任春频;刘佳鹏;余占清;赵彪;屈鲁 -专利权人：清华大学;国网湖北省电力有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种发射效率可控的半导体器件及其制作方法，半导体器件包括：第一掺杂剂区域、第二掺杂剂区域和第三掺杂剂区域，第一掺杂剂区域与阴极和第二掺杂剂区相连，第三掺杂剂区域与阳极和第二掺杂剂区域相连，其中，第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域的掺杂类型不同，第三掺杂剂区域和第二掺杂剂区域的掺杂类型不同，第三掺杂剂区域包括高掺杂层和低掺杂层；低掺杂层与第二掺杂剂区域相连，高掺杂层与阳极相连；高掺杂层采用非整面均匀掺杂，形成局部的隔离区域。本发明的发射效率可控的半导体器件及其制作方法，可以通过改变局部掺杂的结构，灵活调整IGCT等器件的阳极发射效率。
一种发射效率可控半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种单光子雪崩二极管图像传感器像素器件、制备方法-CN202111125522.0在审
发明人：王哲;刘力源;尹韬;田娜;杨旭;祁楠;于双铭;刘剑;吴南健 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种单光子雪崩二极管图像传感器像素器件、制备方法，上述像素器件，包括：衬底；衬底内部设置第一P型硅掺杂区域；衬底上设置N型外延层；N型外延区域内部设置第二P型硅掺杂区域、第三P型硅掺杂区域、第四P型硅掺杂区域、N型硅掺杂区域；第一P型硅掺杂区域的上表面自左向右依次设置第二P型硅掺杂区域、第四P型硅掺杂区域、第三P型硅掺杂区域；第四P型硅掺杂区域上设置N型硅掺杂区域，用于形成PN结；第二P型硅掺杂区域和N型硅掺杂区域之间、第三P型硅掺杂区域和N型硅掺杂区域之间均设置第一隔离区域；在第二P型硅掺杂区域远离第一隔离区域的一侧、第三P型硅掺杂区域远离第一隔离区域的一侧均设置第二隔离区域。
一种光子雪崩二极管图像传感器像素器件制备方法

[发明专利]具有梯度掺杂分布的半导体器件-CN201110317909.6有效
发明人：黄志翔;杨丰诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-10-18 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该方法包括实施第一注入工艺，从而在衬底中形成第一掺杂区域，第一掺杂区域邻近栅极。该方法包括实施第二注入工艺，从而在衬底中形成第二掺杂区域，第二掺杂区域形成得比第一掺杂区域距离栅极更远，第二掺杂区域的掺杂浓度级比第一掺杂区域的掺杂浓度级更高。该方法包括去除第一掺杂区域的部分和第二掺杂区域的部分，从而在衬底中形成凹槽。该方法包括在凹槽中外延生长第三掺杂区域，第三掺杂区域的掺杂浓度级比第二掺杂区域的掺杂浓度级更高。本发明还提供一种具有梯度掺杂分布的半导体器件。
具有梯度掺杂分布半导体器件

[发明专利]一种具有缓冲层结构的半导体器件-CN202011443412.4有效
发明人：曾嵘;任春频;刘佳鹏;周文鹏;陈政宇;赵彪;余占清 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体器件测试领域，特别涉及一种具有缓冲层结构的半导体器件，包括依次设置的第一掺杂剂区域、第二掺杂剂区域、第三掺杂剂区域，还包括择一或多个组合设置的上掺杂剂区域、下掺杂剂区域、中部掺杂剂区域；所述上掺杂剂区域位于第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域之间；所述下掺杂剂区域位于第二掺杂剂区域和第三掺杂剂区域之间；所述中部掺杂剂区域位于第二掺杂剂区域中间，本发明的优点在于，能够实现较小的漏电流，从而提高器件的耐压能力
一种具有缓冲结构半导体器件

[实用新型]一种具有缓冲层结构的半导体器件-CN202022977184.0有效
发明人：曾嵘;任春频;刘佳鹏;周文鹏;陈政宇;赵彪;余占清 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型属于功率半导体器件测试领域，特别涉及一种具有缓冲层结构的半导体器件，包括依次设置的第一掺杂剂区域、第二掺杂剂区域、第三掺杂剂区域，还包括择一或多个组合设置的上掺杂剂区域、下掺杂剂区域、中部掺杂剂区域；所述上掺杂剂区域位于第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域之间；所述下掺杂剂区域位于第二掺杂剂区域和第三掺杂剂区域之间；所述中部掺杂剂区域位于第二掺杂剂区域中间，本实用新型的优点在于，能够实现较小的漏电流，从而提高器件的耐压能力
一种具有缓冲结构半导体器件

[发明专利]掺杂单元、掺杂晶片、掺杂方法、太阳能电池及制作方法-CN201110095579.0有效
发明人：钱锋;陈炯 -专利权人：上海凯世通半导体有限公司
申请日： 2011-04-15 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂单元，包括：一N型基底；形成于该N型基底背面中的P型重掺杂区域以及N型重掺杂区域；形成于该P型重掺杂区域周围的P型轻掺杂区域；形成于该N型重掺杂区域周围的N型轻掺杂区域；该P型重掺杂区域与该N型重掺杂区域以及该P型重掺杂区域该N型轻掺杂区域互不接触，该N型重掺杂区域与该P型轻掺杂区域互不接触，其中所述P型替换为N型时，N型同时替换为P型。本发明中P型重掺杂区域与N型重掺杂区域之间具有N型基底材料、P型轻掺杂区域和N型轻掺杂区域作为缓冲层，使得PN结之间不会因为耗尽层太薄而导致被击穿，由此形成的P+/P-/N/N-/N+结构的PN结使得载流子的迁移更均匀，速率更稳定，由此提高了该掺杂晶片的使用寿命。
掺杂单元晶片方法太阳能电池制作方法

[发明专利]一种图像传感器的光电二极管和图像传感器-CN201810095410.7有效
发明人：王欣洋;周泉;李扬;马成;武大猷 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器的光电二极管，所述光电二极管包括硅衬底和生长在硅衬底上的硅外延层，其中，硅外延层包括自上向下设置的第一掺杂区域、第二掺杂区域、第三掺杂区域和第四掺杂区域，第四掺杂区域与所述硅衬底接触，所述第一掺杂区域、第二掺杂区域、第三掺杂区域和第四掺杂区域中任意两个相邻且掺杂类型不同的掺杂区域形成耗尽区，且所述第一掺杂区域和所述硅衬底分别连接高电位。
一种图像传感器光电二极管

[发明专利]一种太阳电池结构-CN201910137341.6在审
发明人：李华;靳玉鹏 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳电池结构，包括：硅基底、自硅基底向外依次设置的掺杂层、钝化膜层和电极器件；掺杂层包括第一掺杂区域和若干第二掺杂区域，并且，第一掺杂区域和第二掺杂区域导电类型相同；第二掺杂区域的掺杂浓度高于第一掺杂区域的掺杂浓度；电极器件与第一掺杂区域及第二掺杂区域均接触。本发明提供的太阳电池结构，通过在掺杂层设置掺杂浓度较高的第二掺杂区域，使得载流子的浓度大为提高，也使得第二掺杂区域的电阻率下降，因此增加了电流的收集能力。同时，可以增加电极器件中金属电极的间距，进而降低了金属电极和半导体接触区域的载流子复合速率，最终提高了电池的效率。
一种太阳电池结构

[发明专利]一种基于硼浆印刷的TOPCon电池及其制备工艺-CN202310246016.X在审
发明人：朱瑞刚;梁博淳;赵家林;侯锟 -专利权人：新疆中部合盛硅业有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：所述电池包括硅基层，在所述硅基层的一侧形成硼掺杂层，所述硼掺杂层包括第一掺杂区域和第二掺杂区域，所述第一掺杂区域和第二掺杂区域在硅基层的表面上呈图形化排布；所述第一掺杂区域为硼轻掺杂区域，所述第二掺杂区域为硼重掺杂区域；其中，所述第二掺杂区域为掺杂不同浓度硼的区域。
一种基于印刷 topcon 电池及其制备工艺

[发明专利]一种半导体器件-CN201010263751.4有效
发明人：邢正人;莫耶·C·詹姆斯 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2010-08-26 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：衬底；阱，所述阱毗邻衬底并包括N型埋层和N型掺杂区域；具有掺杂梯度的N型掺杂区域，所述具有掺杂梯度的N型掺杂区域毗邻所述衬底和所述阱的N型掺杂区域；P型掺杂区域，所述P型掺杂区域毗邻所述衬底和所述具有掺杂梯度的N掺杂区域；以及电阻，所述电阻耦接至所述阱的N型掺杂区域和所述P型掺杂区域。所述半导体器件可以将集成在其内部的器件与其他高电压区域电隔离，使这些器件只承受几十伏的电压差。
一种半导体器件

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