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[发明专利]半导体发光元件-CN201110128938.8无效
发明人：黄嘉宏;黄世晟;凃博闵;杨顺贵 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体发光元件，其包括沿水平方向设置的基底、以及沿竖直方向由下而上依次叠设在基底上的第一型半导体层、发光层及第二型半导体层，该发光层局部覆盖第一型半导体层，该第一型半导体层未被发光层覆盖的区域设置有第一电极，该第一型半导体层包括位于第一电极下方的第一掺杂区、与第一掺杂区相邻设置的第二掺杂区、及与第二掺杂区相邻设置的第三掺杂区，该第二掺杂区、第三掺杂区沿远离第一电极的水平方向依次排列，该第二掺杂区将第一掺杂区与第三掺杂区隔离开，该第一掺杂区的掺杂浓度低于第二掺杂区，且第二掺杂区的掺杂浓度低于第三掺杂区。该种半导体发光元件具有电流密度分布均匀、发光效率佳的特点。
半导体发光元件

[实用新型]一种静电保护器件与电子设备-CN202221037653.3有效
发明人：庄翔;张超;鲍灵凤 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：该低容静电保护器件包括第一掺杂类型的半导体衬底；位于衬底一侧且具有第二掺杂类型的埋层；位于衬底与埋层一侧且具有第二掺杂类型的外延层；其中，埋层的掺杂浓度大于外延层的掺杂浓度；位于外延层内且具有第二掺杂类型的第一掺杂区；位于外延层内且具有第二掺杂类型的第二掺杂区；其中，第二掺杂区与第一掺杂区隔离；位于第一掺杂区内且具有第一掺杂类型的第三掺杂区；其中，第三掺杂区、第一掺杂区、外延层、埋层以及衬底组成三极管结构。本申请提供的静电保护器件与电子设备具有器件电容低、残压低的优点。
一种静电保护器件电子设备

[发明专利]形成导电插塞的方法-CN201810635997.6在审
发明人：王欢 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成导电插塞的方法，包括：提供一衬底，在所述衬底上形成具有第一掺杂类型的第一掺杂区和第二掺杂类型的第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区被介质层覆盖；刻蚀所述介质层以形成具有部分裸露所述第一掺杂区的第一接触孔和部分裸露所述第二掺杂区的第二接触孔；向所述第一接触孔和第二接触孔中注入第一掺杂类型的掺杂剂，增加所述第一掺杂区表面的掺杂浓度。在注入所述掺杂剂后，在所述第一接触孔和所述第二接触孔中填充导电材料以形成导电插塞。本发明降低了接触电阻，且在无需增加掩膜的情况下，通过控制所述第一掺杂剂的掺杂浓度减小其对所述第二掺杂区离子的影响。
掺杂区接触孔掺杂类型导电插塞掺杂剂介质层衬底掺杂裸露填充导电材料接触电阻浓度减小刻蚀掩膜离子覆盖

[发明专利]太阳能电池及光伏组件-CN202111501018.6在审
发明人：金井升;张昕宇;杨楠楠;张彼克;张临安;廖光明 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本申请实施例涉及太阳能电池领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底；位于基底表面上的隧穿介质层以及掺杂导电层，隧穿介质层位于掺杂导电层与基底之间，掺杂导电层内具有掺杂元素，掺杂元素的类型为N型或者P型，掺杂导电层具有多个间隔排布的第一重掺杂区，第一重掺杂区沿第一方向延伸，第一重掺杂区内的掺杂浓度大于掺杂导电层中除第一重掺杂区以外的掺杂浓度；钝化层，钝化层位于掺杂导电层远离基底的表面；多个间隔设置的电极，电极沿第二方向延伸，电极贯穿钝化层与掺杂导电层接触，且至少两个第一重掺杂区与同一电极接触。本申请实施例有利于提升钝化接触太阳能电池的光电转换效率。
太阳能电池组件

[发明专利]半导体元件-CN201710324910.9有效
发明人：简郁芩;詹景琳;林正基 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：半导体元件包括具有第一导电型的第一掺杂区与第二掺杂区以及具有第二导电型的第三掺杂区位于基底中。第三掺杂区位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。第二掺杂区位于第一掺杂区的一侧。第二掺杂区的俯视图案具有至少一凹部。第三掺杂区的俯视图案具有对应至少一凹部的至少一凸部。
半导体元件

[发明专利]二极管器件-CN202211655601.7在审
发明人：李伟聪;伍济 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本申请公开一种二极管器件，包括阴极、漂移层、P型掺杂部、多晶硅部、第一N型掺杂部、第二N型掺杂部以及阳极，漂移层设置于阴极上，P型掺杂部设置于漂移层远离阴极的一侧，P型掺杂部具有至少两个间隔设置的沟槽，沟槽还延伸入部分漂移层中，多晶硅部填充于沟槽中，第一N型掺杂部和第二N型掺杂部设置于P型掺杂部中且位于每两相邻的沟槽之间，第一N型掺杂部与第二N型掺杂部间隔设置，阳极设置于P型掺杂部远离阴极的一侧。在本申请中，通过在P型掺杂部中设置有第一N型掺杂部和第二N型掺杂部，以中和掉部分P型掺杂部的掺杂浓度，从而降低正向导通时空穴的注入效率。
二极管器件

[发明专利]二极管器件-CN202211652417.7在审
发明人：李伟聪;伍济 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本申请公开一种二极管器件，包括阴极、漂移层、P型掺杂部、多晶硅部、第一N型掺杂部、第二N型掺杂部以及阳极，漂移层设置于阴极上，P型掺杂部设置于漂移层远离阴极的一侧，P型掺杂部具有至少两个间隔设置的沟槽，沟槽还延伸入部分漂移层中，多晶硅部填充于沟槽中，第一N型掺杂部和第二N型掺杂部设置于P型掺杂部中且位于每两相邻的沟槽之间，第一N型掺杂部与第二N型掺杂部接触，阳极设置于P型掺杂部远离阴极的一侧。在本申请中，通过在P型掺杂部中设置有第一N型掺杂部和第二N型掺杂部，以中和掉部分P型掺杂部的掺杂浓度，从而降低正向导通时空穴的注入效率。
二极管器件

[实用新型]一种激光钻孔三维球形电极探测器-CN202121717974.3有效
发明人：谭泽文;李正;李鑫卿;蔡新毅;王洪斐;刘曼文;熊波 -专利权人：鲁东大学
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体探测器技术领域，公开了一种激光钻孔三维球形电极探测器，N型轻掺杂硅基体上端中间掺杂有N型重掺杂阳极，N型重掺杂阳极外侧掺杂有多个等距间隔排列的P型重掺杂上表面环；N型轻掺杂硅基体底部设置有P型重掺杂阴极，P型重掺杂阴极设置有P型重掺杂环和P型重掺杂面，所述P型重掺杂环设置有等距间隔排列的多个，P型重掺杂面位于P型重掺杂环底部。本实用新型中的探测器为球形设计，阳极到阴极间距离相同，使探测器内电势分布非常均匀，提高了新型探测器单元的电荷收集率；上表面重掺杂环的设计使探测器单元内表面电场分布更加均匀；根据现有工艺，通过激光器均匀钻孔，离子扩散掺杂的方法，可以实现球形电极。
一种激光钻孔三维球形电极探测器

[实用新型]二极管器件-CN202223489328.3有效
发明人：李伟聪;伍济 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本申请公开一种二极管器件，包括阴极、漂移层、P型掺杂部、多晶硅部、第一N型掺杂部、第二N型掺杂部以及阳极，漂移层设置于阴极上，P型掺杂部设置于漂移层远离阴极的一侧，P型掺杂部具有至少两个间隔设置的沟槽，多晶硅部填充于沟槽中，第一N型掺杂部和第二N型掺杂部设置于P型掺杂部中且位于每两相邻的沟槽之间，第一N型掺杂部与第二N型掺杂部间隔设置，阳极设置于P型掺杂部远离阴极的一侧。在本申请中，通过在P型掺杂部中设置有第一N型掺杂部和第二N型掺杂部，以中和掉部分P型掺杂部的掺杂浓度，从而降低正向导通时空穴的注入效率。
二极管器件

[实用新型]二极管器件-CN202223524744.2有效
发明人：李伟聪;伍济 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本申请公开一种二极管器件，包括阴极、漂移层、P型掺杂部、多晶硅部、第一N型掺杂部、第二N型掺杂部以及阳极，漂移层设置于阴极上，P型掺杂部设置于漂移层远离阴极的一侧，P型掺杂部具有至少两个间隔设置的沟槽，沟槽还延伸入部分漂移层中，多晶硅部填充于沟槽中，第一N型掺杂部和第二N型掺杂部设置于P型掺杂部中且位于每两相邻的沟槽之间，第一N型掺杂部与第二N型掺杂部接触，阳极设置于P型掺杂部远离阴极的一侧。在本申请中，通过在P型掺杂部中设置有第一N型掺杂部和第二N型掺杂部，以中和掉部分P型掺杂部的掺杂浓度，从而降低正向导通时空穴的注入效率。
二极管器件

[发明专利]用于荧光供体辅助OLED装置的量子点构造-CN201980038269.X在审
发明人：奈杰尔·皮克特;詹姆斯·哈里斯;纳瑟莉·格雷斯蒂;斯图尔特·斯塔布斯 -专利权人：纳米技术有限公司
申请日： 2019-04-05 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：电致发光装置比如电致发光显示装置的发射层包括主体基质和分散于主体基质中的双掺杂剂体系。双掺杂剂体系具有荧光发射体掺杂剂和发射供体辅助掺杂剂。发射供体辅助掺杂剂可以是荧光供体辅助掺杂剂或磷光供体辅助掺杂剂。荧光发射体掺杂剂与发射供体辅助掺杂剂之间的物理距离可以通过与荧光发射体掺杂剂的表面结合的多种封端配体来控制。
用于荧光供体辅助 oled 装置量子构造

[发明专利]雪崩光电二极管结构-CN201880004525.9有效
发明人：余国民 -专利权人：洛克利光子有限公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：一种基于锗的雪崩光电二极管装置以及其制造方法。所述装置包括：硅衬底；下部掺杂硅区，所述下部掺杂硅区定位在所述衬底上方；硅倍增区，所述硅倍增区定位在所述下部掺杂硅区上方；中间掺杂硅区，所述中间掺杂硅区定位在所述硅倍增区上方；未掺杂锗吸收区，所述未掺杂锗吸收区定位在所述中间掺杂硅区上方；上部掺杂锗区，所述上部掺杂锗区定位在所述未掺杂锗吸收区上方；以及输入硅波导；其中：所述未掺杂锗吸收区和所述上部掺杂锗区形成耦合到所述输入波导的锗波导，并且所述装置还包括第一电极和第二电极，并且所述第一电极横向地延伸以接触所述下部掺杂硅区，并且所述第二电极横向地延伸以接触所述上部掺杂锗区。
雪崩光电二极管结构

[发明专利]双极结型晶体管、双极CMOS集成电路及制造方法-CN200910194454.6有效
发明人：周建华;高明辉;彭树根 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-08-17 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：所述双极结型晶体管包括：绝缘体上硅衬底中相邻分布的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区周边环绕有第一隔离层；所述第一掺杂区中的第三掺杂区，所述第三掺杂区与所述第二掺杂区电气连接；第一掺杂区及第二掺杂区中、环绕所述第三掺杂区的第二隔离层；所述第三掺杂区及第二隔离层上的掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层、第三掺杂区、第一掺杂区分别作为双极结型晶体管的发射区、基区、集电区。
双极结型晶体管双极 cmos 集成电路制造方法

[发明专利]一种掺杂结构的制作方法、太阳能电池及其组件、系统-CN202210973963.4在审
发明人：林文杰;邱开富;王永谦;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种掺杂结构的制作方法、太阳能电池及其组件、系统。掺杂结构的制作方法包括：在硅衬底上制备掺杂层，作为掺杂源；利用激光进行掺杂，在硅衬底形成掺杂结构。如此，由于将掺杂层作为掺杂源并利用激光进行掺杂以形成掺杂结构，故不需要额外的高温工艺，可以提高硅衬底的少子寿命，大大简化工艺和降低成本。
一种掺杂结构制作方法太阳能电池及其组件系统

[发明专利]一种双向低压平面瞬态电压抑制二极管及其制造方法-CN201810715738.4有效
发明人：李家贵 -专利权人：西安卫光科技有限公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种双向低压平面瞬态电压抑制二极管及其制造方法，包括P型重掺杂硅衬底；在衬底的正面和背面分别形成有第一正面掺杂区和第一背面掺杂区，在衬底的正面和背面通过掺杂窗口扩散掺杂分别形成第二正面掺杂区和第二背面掺杂区，在第二正面掺杂区和第二背面掺杂区上分别形成有第二正面掺杂区氧化层和第二背面掺杂区氧化层，第二正面掺杂区氧化层和第二背面掺杂区氧化层上形成有正面接触孔和背面接触孔；在正面接触孔和背面接触孔上分别形成有正面金属电极和背面金属电极本发明增加与硅衬底掺杂类型相同的正面掺杂区和背面掺杂区，起到调整衬底浓度，形成的PN结两端浓度梯度增大，可动离子减少，TVS漏电流减小。
一种双向低压平面瞬态电压抑制二极管及其制造方法