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[发明专利]背面P/N型掺杂区隔离的IBC电池制造方法-CN202311072635.8在审
发明人：张中建;赵桂香;高荣刚 -专利权人：中节能太阳能科技（镇江）有限公司
申请日： 2023-08-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种背面P/N型掺杂区隔离的IBC电池制造方法，P型单晶硅片经碱刻蚀抛光后，在背面依次沉积遂穿氧化层、掺杂薄多晶硅层，再局域激光开膜，接着依次沉积Al2O3层、氮化硅层，然后硅片清洗制绒，在正面沉积氮化硅层，再对背面激光开膜处局域激光刻蚀露出硅基体，最后在硅片背面，激光开膜区域印刷铝浆，负极栅线位置印刷栅线浆料，进行烧结，铝和硅接触形成合金，得到P+区域。本发明对IBC电池背面通过设置相互嵌套的P型掺杂区和N型掺杂区，缩小了重复单元的尺寸，降低了载流子从产生到被吸收的扩散距离，提高了电池转换效率；工艺步骤少，通过局域激光开膜的方式，简单的实现了P型掺杂区和N型掺杂区的有效隔离。
背面掺杂隔离 ibc 电池制造方法

[发明专利]飞行时间传感器和制造飞行时间传感器的方法-CN202310462828.8在审
发明人： H·塔迪肯;D·奥芬贝格;T·R·皮纳帕;S·罗腾豪斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本公开涉及一种飞行时间传感器和制造飞行时间传感器的方法。该飞行时间传感器包括至少一个像素，该至少一个像素包括：硅基的光电流收集结构和在光电流收集结构上外延生长的锗基的光敏结构，其中所述光电流收集结构包括n掺杂区和p掺杂区，其中所述n掺杂区被配置为将光电流的电子传导到至少一个n接触部，并且其中所述p掺杂区被配置为将光电流的空穴传导到至少一个p接触部，并且其中p掺杂区中的导带包括针对光电流的电子的势垒，并且n掺杂区中的价带包括针对光电流的空穴的势垒。
飞行时间传感器制造方法

[发明专利]背接触电池及太阳电池组件-CN202310961338.2有效
发明人：胡匀匀;柳伟;陈达明;杨广涛 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本申请提供了一种背接触电池及太阳电池组件。背接触电池包括半导体衬底，半导体衬底具有相对的正表面和背表面，背表面包括多个相邻且依次排布的区段单元，区段单元与背光面之间形成区段空间；区段单元进一步包括第一区段、第二区段、第三区段和第四区段，区段空间进一步包括第一空间、第二空间、第三空间和第四空间；第一钝化层，仅位于每个第一空间中；第一掺杂半导体层，仅位于每个区段空间中的第一空间中，且紧邻于第一钝化层远离半导体衬底的一侧；第二钝化层，仅位于每个区段空间中的第二空间~第四空间中；以及第二掺杂半导体层，仅位于每个区段空间中的第二空间~第四空间中，且紧邻于第二钝化层远离半导体衬底的一侧。
接触电池太阳电池组件

[发明专利]双极势垒短波红外探测器及制备方法-CN202311016794.6在审
发明人：李农;牛智川;王国伟;徐应强;蒋洞微;吴东海;郝宏玥;倪海桥;苏向斌 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-08-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种双极势垒短波红外探测器及制备方法，该双极势垒短波红外探测器包括：衬底；缓冲层，形成于衬底上；第一接触层，形成于缓冲层上，叠层结构，形成于第一接触层上，且与第一接触层形成台面，叠层结构包括：空穴势垒层，形成于第一接触层上；光吸收层，形成于空穴势垒层上，光吸收层适用于吸收外部的短波红外光，并产生电子和空穴；电子势垒层，形成于光吸收层上；第二接触层，形成于电子势垒层上；第一电极，形成于第一接触层上，且位于叠层结构的两侧，第一电极和第一接触层形成欧姆接触；第二电极，形成于第二接触层上，且位于第二接触层的两端，第二电极和第二接触层形成欧姆接触。
双极势垒短波红外探测器制备方法

[发明专利]光伏电池、光伏电池组件与光伏电池的制造方法-CN202310983658.8在审
发明人：柳伟;胡匀匀;陈达明;季雯娴;王尧;刘志远;王天宇;宗建鹏;王宇航;杨睿 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本申请涉及一种光伏电池、光伏电池组件与光伏电池的制造方法。光伏电池包括：硅基底层，具有背离向光侧的背光面，所述硅基底层内形成有掺杂类型不同的内发射极区与背表面场区，所述内发射极区与所述背表面场区均自所述背光面沿第一方向朝所述硅基底层内部延伸，所述内发射极区与所述背表面场区背离所述背光面的端面平齐，且所述内发射极区与所述背表面场区沿第二方向空间间隔，其中，所述第一方向为所述光伏电池的厚度方向，所述第二方向垂直于所述第一方向。上述光伏电池，能够在不开设沟槽的前提下实现内发射极区和背表面场区的隔离，从而能尽量保证电池的强度，降低电池断裂的风险。
电池组件制造方法

[发明专利]一种顶层掺杂的平面光导型非倒装键合量子点成像芯片-CN202311175348.X在审
发明人：郝群;唐鑫;魏志鹏;陈梦璐;蔡红星 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2023-09-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种顶层掺杂的平面光导型非倒装键合量子点成像芯片。属于光电传感器技术领域，具体涉及胶体量子点探测器成像技术领域。其解决了光导型胶体量子点红外探测器暗电流较大、噪声大且信号灵敏度较低的问题。所述成像芯片包括基底、电极、本征量子点层和空穴掺杂量子点层；所述基底置于最底层，所述本征量子点层附着于基底之上，所述空穴掺杂量子点层附着于本征量子点层之上，所述电极设置在基底之中，位置为基底与本征量子点层交界处。所述芯片及其制备方法可以应用在光电探测技术领域。
一种顶层掺杂平面光导型非倒装量子成像芯片

[发明专利]红外探测器及其制作方法-CN202311180186.9在审
发明人：黄勇 -专利权人：苏州晶歌半导体有限公司
申请日： 2023-09-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：提供了一种红外探测器，其包括P型势垒层（12）、P型吸收层（13）以及P型过渡层（14），其中，所述P型势垒层（12）为P型InGaAsP材料，所述P型吸收层（13）为P型InGaAs/GaAsSb超晶格，所述P型过渡层（14）为P型InGaAsP材料。还提供了一种该红外探测器的制作方法。该红外探测器采用了P型InGaAs/GaAsSb超晶格吸收层结合P型InGaAsP形成的三明治结构，如此可以很好的提高红外探测器的量子效率，抑制红外探测器的暗电流以及帮助少子输运，从而使红外探测器的性能更好。
红外探测器及其制作方法

[发明专利]太阳能电池模块-CN202310398522.0在审
发明人：入川淳平;桥本治寿 -专利权人：松下控股株式会社
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：太阳能电池模块(10、410)包括利用配线件(4)将多个太阳能单电池(3、103、203、303、403)电串联连接而成的太阳能电池串(50)。太阳能单电池3具有位于单电池受光面(80)与单电池背面(81)之间的单电池截面(40)。单电池截面(40)包括均方根粗糙度为第1值以上的第1单电池截面部(40a、440a)、和均方根粗糙度小于第1值的第2单电池截面部(40b、440b)。配线件(4)以从厚度方向的受光面侧平视时在与单电池截面(40)交叉的位置比第1单电池截面部(40a、440a)靠近第2单电池截面部(40b、440b)的方式配置。
太阳能电池模块

[发明专利]窄线宽小周期高吸收率的石墨烯纳米线阵列红外探测器-CN202311116525.7在审
发明人：黄小平;陈若童;王宇成;赵青 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）;电子科技大学
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种窄线宽小周期高吸收率的石墨烯纳米线阵列红外探测器，属于光电技术领域。该器件包括衬底、石墨烯纳米线阵列、金电极，通过改变石墨烯纳米线的宽度、周期和器件费米能级，从而调控探测器的吸收率和吸收波段；该器件的制备方法首先在衬底上制备石墨烯薄膜，然后采用EBL刻蚀工艺、电子束蒸镀机完成电极加工；最后结合EBL刻蚀和ICP刻蚀，制备得到石墨烯纳米线阵列红外探测器。本发明提出的窄线宽小周期高吸收率的石墨烯纳米线阵列红外探测器，具有吸收率高、探测范围广、光谱可调谐等特点，对长波、甚长波红外波段具有较好的探测性能。
窄线宽小周期吸收率石墨纳米阵列红外探测器

[发明专利]光电二极管和光电二极管的制造方法-CN202310337818.1在审
发明人： B·罗德里格斯·冈卡尔维斯;P·福特内奥 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本公开涉及光电二极管和光电二极管的制造方法。在具有第一表面和第二表面的半导体衬底中形成光电二极管。半导体衬底包括通过外延生长形成的第一N型半导体区域和从第一表面延伸到第一N型半导体区域中的第二N型半导体区域(比第一区域更重掺杂)。第一N型半导体区域的掺杂剂浓度在半导体衬底的第二表面和第一表面之间逐渐增加。在第一表面的第二N型半导体区域中形成注入的重P型掺杂区域。
光电二极管制造方法

[发明专利]一种超晶格甚长波红外探测器结构-CN202010529281.5有效
发明人：施毅;岳壮豪;牛智川;王国伟;徐应强;蒋洞微;常发冉;李勇;王军转;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种基于锑化物超晶格的甚长波红外探测器结构，包括从下到上的以下结构：衬底，缓冲层，甚长波波段吸收层，中长波波段势垒层，甚长波波段欧姆接触层，顶盖层；缓冲层外延于所述衬底之上；本发明拥有良好载流子输运性能的锑化物超晶格甚长波红外探测器。本发明引入了同型结和分段掺杂，同时对各个区域超晶格结构，掺杂浓度和厚度进行了调控以得到高综合探测率的红外探测器结构。
一种晶格长波红外探测器结构

[实用新型]一种长波nBn型InAsSb红外探测器材料及红外探测器-CN202223103642.3有效
发明人：陈冬琼;赵鹏;杨文运;宋欣波;李德香;王海澎;李立华;施静梅;戴欣冉;白兰艳;黄晖 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种长波nBn型InAsSb红外探测器材料及红外探测器，属于红外探测器技术领域。所述材料的结构由下向上依次为衬底、GaSb缓冲层、Al1‑xInxSb组分渐变缓冲层、底电极接触层、吸收层、势垒层及顶电极接触层。通过设计红外探测器材料的结构，获得所述红外探测器材料。采用所述红外探测器材料的红外探测器，可实现8μm～10.6μm的长波探测。
一种长波 nbn inassb 红外探测器材料

[发明专利]一种雪崩光电二极管探测装置-CN202110335457.8有效
发明人：雷述宇 -专利权人：宁波飞芯电子科技有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种雪崩光电二极管探测装置，其特征在于，所述雪崩光电二极管探测装置包括至少一个单光子雪崩二极管，所述光子雪崩二极管包括半导体衬底、有源区以及操作电路；所述单光子雪崩二极管还包括辅助区域和电子收集区域；其中所述有源区与所述操作电路电连接。通过本发明的结构，降低被俘获的载流子数，从而有效的降低后脉冲的产生概率，另外可以让被俘获的载流子在雪崩时间被释放，可以避免错误计数的产生，提高探测装置的精度和稳定性。
一种雪崩光电二极管探测装置

[发明专利]一种背面采用双层隧穿层结构的topcon电池及其制备方法-CN202310985217.1在审
发明人：柳冉冉;高芳丽;郭小飞;戴欣欣 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-08-07 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及电池领域，具体涉及一种背面采用双层隧穿层结构的topcon电池及其制备方法，包括以下步骤：(1)制取绒面硅片；(2)硼扩散；(3)形成遂穿氧化层1和非晶硅层1；(4)形成遂穿氧化层2和非晶硅层2；(5)转化为多晶硅层1和多晶硅层2；(6)制取初型电池片；(7)去除初型电池片正面及边缘的绕镀多晶硅；(8)生长氧化铝钝化层以及沉积氮化硅减反层；(9)印刷电极。本发明提供一种新型topcon电池结构，在背面多晶硅低掺杂层与高掺杂层之间增加一层隧穿层2作为湿法阻挡层，对低掺杂多晶硅起保护作用，在清洗硅片正面以及边缘的绕镀多晶硅后，其对应隧穿层2的金属化部分得以保留，且提高钝化效果，从而提升电池的性能。
一种背面采用双层隧穿层结构 topcon 电池及其制备方法

[发明专利]基于PbSe胶体量子点的红外光电探测器及其制备方法-CN202311034795.3在审
发明人：王登魁;杨丹;方铉;项超;张德权;张玉亭;房丹 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本申请提供一种基于PbSe胶体量子点的红外光电探测器及其制备方法，涉及半导体材料领域。基于PbSe胶体量子点的红外光电探测器，包括由上至下依次层叠设置的顶部电极接触层、第一PbSe CQD吸收层、CQD阻挡层、第二PbSe CQD吸收层和底部电极接触层；所述第一PbSe CQD吸收层和所述第二PbSe CQD吸收层的原料包括第一配体组装后的PbSe胶体量子点，所述CQD阻挡层的原料包括ZnO胶体量子点或者第二配体组装后的PbS胶体量子点或Ag2Se CQD胶体量子点。本申请提供的基于PbSe胶体量子点的红外光电探测器，能够实现探测器探测波长的轻松调控。
基于 pbse 胶体量子红外光电探测器及其制备方法

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