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[发明专利]一种半导体器件及其形成方法-CN201710957389.2在审
发明人：王连红;夏绍曾;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-10-16 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，所述形成方法包括提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一掺杂层和堆叠于所述第一掺杂层的第二掺杂层，所述第一掺杂层与所述第二掺杂层的掺杂类型相反；对所述半导体衬底进行刻蚀以形成沟槽，所述沟槽的底部暴露出所述第二掺杂层；对所述沟槽底部的第二掺杂层进行离子注入，以使其掺杂类型与所述第一掺杂层的掺杂类型相同；其中，相邻沟槽之间的第一掺杂层和第二掺杂层形成光电二极管。通过本发明的方案能够有效延长隔离深度，同时提高光电二极管的长度，从而在提高满井容量的同时有效避免电子串扰。
一种半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种板条激光增益介质及其制备方法-CN201611114112.5在审
发明人：刘磊;唐晓军;陈露;刘洋;赵鸿;王文涛;梁兴波 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01S3/16 文献下载
摘要：本发明的板条激光增益介质包括复合区，及分别位于复合区左右两端的两个非掺杂区；复合区包括三层，由上到下依次为上掺杂层、非掺杂层及下掺杂层；非掺杂区及非掺杂层均由未掺杂激活离子的基质材料构成；上掺杂层和下掺杂层均由掺杂激活离子的基质材料构成，在上掺杂层和下掺杂层中激活离子具有多种掺杂浓度。借助于本发明的技术方案，可以实现板条激光增益介质工作时产生的废热通过最短的路径排出，从而保证了整个板条激光增益介质具有较高热负荷特性，同时维持了板条足够的刚性，利于光学精密加工。
一种板条激光增益介质及其制备方法

[发明专利]一种多掺杂口袋结构的隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN201210101859.2有效
发明人：黄如;邱颖鑫;詹瞻 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明公布了一种多掺杂口袋结构的隧穿场效应晶体管及其制备方法。本发明提出的隧穿场晶体管具有三个掺杂口袋，其中第一掺杂口袋(204)和第二掺杂口袋(205)与源区(203)掺杂类型相同，第三掺杂口袋(202)则与源区(203)掺杂杂质类型相反并位于所述的两个掺杂口袋与源区之间这三个掺杂口袋的目的在于夹在第一、第二掺杂口袋与源区之间的第三掺杂口袋将被耗尽，这会使得源端隧穿结处的电场增加，隧穿宽度减少，从而该晶体管的驱动电流提升且亚阈斜率减少，性能得到提升。通过控制这三个掺杂口袋的掺杂特性可以继续优化器件性能。
一种掺杂口袋结构场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种水平分层的脊形光波导器件的有源区结构及制造方法-CN201911275436.0有效
发明人：李淼峰;张宇光;王磊;肖希 -专利权人：武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明公开了一种水平分层的脊形光波导器件的有源区结构及制造方法，涉及光通信器件技术领域，所述有源区结构包括两个左右分布的掺杂区，其中一个掺杂区注有P型杂质，另一掺杂区注有N型杂质，两个掺杂区的交界处为有源区结构的脊形波导中心线；每个掺杂区包括至少两个水平分布的掺杂单元，同一掺杂区内的不同掺杂单元的掺杂浓度不同，且两个掺杂区内的掺杂单元对应设置，对应设置的两个掺杂单元中掺杂浓度越高的掺杂单元的厚度越小。本发明提供的水平分层的硅基电光调制器的有源区结构，不仅具有较低的光学损耗，而且结构简单，成本较低，易于批量制造。
一种水平分层脊形光波导器件有源结构制造方法

[发明专利]一种垂直分层的脊形光波导器件的有源区结构及制造方法-CN201911276795.8有效
发明人：李淼峰;张宇光;王磊;肖希 -专利权人：武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直分层的脊形光波导器件的有源区结构及制造方法，涉及光通信器件技术领域，所述有源区结构包括两个左右分布的掺杂区，其中一个掺杂区注有P型杂质，另一掺杂区注有N型杂质，两个掺杂区的交界处为有源区结构的脊形波导中心线；每个掺杂区均包括至少两个垂直分布的掺杂单元，同一掺杂区内的不同掺杂单元的掺杂浓度不同，且两个掺杂区内的掺杂单元沿所述脊形波导中心线对应设置，对应设置的两个掺杂单元中掺杂浓度越高的掺杂单元的宽度越小。本发明提供的垂直分层的硅基电光调制器的有源区结构，不仅具有较低的光学损耗，而且结构简单，成本较低，易于批量制造。
一种垂直分层脊形光波导器件有源结构制造方法

[发明专利]绝缘栅双极晶体管及其制作方法-CN201910708579.X在审
发明人：刘利书;冯宇翔 -专利权人：广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，该绝缘栅双极型晶体管包括：集电极区，所述集电极区包括第一类掺杂区和第二类掺杂区；其中，所述第一类掺杂区的掺杂浓度大于所述第二类掺杂区的掺杂浓度；缓冲区，所述缓冲区位于所述第一类掺杂区上方；其中，所述缓冲区的掺杂类型与所述第一类掺杂区的掺杂类型不同；漂移区，所述漂移区位于所述缓冲区与所述第二类掺杂区的上方；其中，所述漂移区的掺杂浓度小于所述缓冲区的掺杂浓度
绝缘双极晶体管及其制作方法

[发明专利]一种掺杂光纤编码、识别系统及方法-CN202211366527.7在审
发明人：朱惠君;薛鹏;毛志松;邬耀华 -专利权人：中山水木光华电子信息科技有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H04B10/25 文献下载
摘要：一种掺杂光纤编码、识别系统及方法，通过利用掺杂光纤的性质将掺杂光纤作为一种掺杂光纤码元，以组成掺杂光纤编码，当掺杂光纤编码接收识别光波后将进行背向散射，并传回发送侧进行解析处理，从而实现对掺杂光纤编码的识别本发明实施例区分识别的原理可基于多种识别条件，具体利用了多个掺杂光纤码元之间的设置间距不同、多个掺杂光纤码元所掺杂的元素不同、多个掺杂光纤码元所掺杂的元素相同但比例不同、多个掺杂光纤码元的长度不同的设置方式，相较于由光栅组成的光纤编码仅利用不同的波长或不同的设置间距的设置方式，本发明实施例的掺杂光纤编码因此具备更丰富的场景适用能力，识别效果较好，可广泛应用于光纤通信网络中。
一种掺杂光纤编码识别系统方法

[发明专利]一种半导体硅片局部掺杂装置-CN202310863210.2在审
发明人：邱少灵;李丹;尹慧 -专利权人：武汉誉辰电子科技有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体硅片局部掺杂装置，包括掺杂装置本体，所述掺杂装置本体包括传送带、掺杂箱、高温分解机构和离子注入机构，所述传送带的表面开设有多个定位孔，每个所述掺杂箱的底部均设置有定位柱，且掺杂箱通过定位柱嵌入到定位孔上，所述掺杂箱的内部安装有独立的半导体硅片，且半导体硅片以垂直的形式插入到掺杂箱的中间位置上，该半导体硅片局部掺杂装置将每个半导体硅片放置到独立的掺杂箱内部，随着传送带移动到高温分解机构的内部后进行掺杂处理，通过垂直放置能够同时对半导体硅片的两面进行掺杂加工，通过封闭组件能够将掺杂箱的内部空间进行遮挡封闭，使内部形成近似密封的空间，提高了掺杂融合的效率。
一种半导体硅片局部掺杂装置

[发明专利]多晶硅掺杂受控3D NAND蚀刻-CN201810997733.5在审
发明人： J·霍普金斯;Y·金;J·李;Y·宇文;R·阿布德尔拉赫曼;K·施罗特里 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：一种3D NAND储存设备包括多个层，所述多个层包含与多个介电材料层交错的掺杂半导体材料。多个掺杂半导体材料层的第一部分可以掺杂有具有第一掺杂剂参数的第一掺杂剂。多个掺杂半导体材料层的第二部分可以掺杂有具有第二掺杂剂参数的第二掺杂剂。在实施例中，多个掺杂半导体层的第一部分可以包括浓度小于限定阈值的掺杂剂。在实施例中，多个掺杂半导体层的第二部分可以包括浓度小于限定阈值的掺杂剂。已经发现，当在半导体层中形成控制栅极凹槽时，不同的掺杂剂浓度有益并且有利地影响相应半导体层中的蚀刻速率。
掺杂剂掺杂半导体材料层掺杂半导体层蚀刻半导体层掺杂掺杂半导体材料多晶硅掺杂介电材料层储存设备控制栅极受控交错发现

[发明专利]一种MOS管的制造方法-CN202110525828.9在审
发明人：徐晓辉;杨伟勋 -专利权人：深圳市吉利通电子有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOS管的制造方法，包括步骤S1：在衬底的表面形成外延层；步骤S2：在外延层的表面依次形成沟槽、栅氧化层以及多晶硅层；步骤S3：淀积多晶硅层，去除沟槽之外的多晶硅层，在外延层的依次表面形成第一掺杂区和第二掺杂区，第二掺杂区设置在沟槽的外表面，第一掺杂区与栅氧化层的间隔距离等于第二掺杂区的宽度，所述第二掺杂区的掺杂浓度小于所述第一掺杂区的掺杂浓度；步骤S4：在第一掺杂区的表层形成第三掺杂区，第三掺杂区的深度小于所述第一掺杂区的深度，第三掺杂区的深度小于所述第二掺杂区的深度。本发明提供的MOS管的制造方法具有更小的单位面积导通电阻、成本更低等优点。
一种 mos 制造方法

[发明专利]太阳能电池、光伏组件及太阳能电池的制备方法-CN202310317523.8在审
发明人：金井升;张彼克;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池、光伏组件及太阳能电池的制备方法，太阳能电池包括：基底，基底具有相对的正面以及背面，背面包括绒面区以及与绒面区相邻接的平坦区，绒面区的基底内具有掺杂表面场，且掺杂表面场内具有掺杂元素，掺杂元素为N型或者P型；隧穿介质层，隧穿介质层位于基底背面的平坦区；掺杂导电层，掺杂导电层位于隧穿介质层远离基底背面的表面，掺杂导电层具有掺杂元素，掺杂导电层内的掺杂元素类型与掺杂表面场内的掺杂元素类型相同；背电极，背电极的部分底面位于掺杂导电层内且背电极的部分底面与掺杂表面场相接触，至少可以降低太阳能电池的接触电阻。
太阳能电池组件制备方法

[发明专利]太阳能电池、光伏组件及太阳能电池的制备方法-CN202210377277.0有效
发明人：金井升;张彼克;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池、光伏组件及太阳能电池的制备方法，太阳能电池包括：基底，基底具有相对的正面以及背面，背面包括绒面区以及与绒面区相邻接的平坦区，绒面区的基底内具有掺杂表面场，且掺杂表面场内具有掺杂元素，掺杂元素为N型或者P型；隧穿介质层，隧穿介质层位于基底背面的平坦区；掺杂导电层，掺杂导电层位于隧穿介质层远离基底背面的表面，掺杂导电层具有掺杂元素，掺杂导电层内的掺杂元素类型与掺杂表面场内的掺杂元素类型相同；背电极，背电极的部分底面位于掺杂导电层内且背电极的部分底面与掺杂表面场相接触，至少可以降低太阳能电池的接触电阻。
太阳能电池组件制备方法

[实用新型]一体型气相掺杂装置-CN201320275201.3有效
发明人：令狐铁兵;张明亮;高林育;仝泉 -专利权人：洛阳单晶硅有限责任公司
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本实用新型所述的一种一体型气相掺杂装置，是用于直拉法生产易挥发掺杂元素单晶硅生产过程中砷、磷等元素的掺杂，该掺杂装置主要由上部挂件（1）、中部空腔（2）、掺杂导管（5）、石英罩（7）构成；中部空腔（2）内设有一个掺杂导管（5），通过掺杂导管（5）将掺杂元素（4）装入中部空腔（2）内，中部空腔（2）的下端设有与掺杂导管（5）连在一起的石英罩（7）可起到保护硅熔体溅起破坏或污染热屏的作用，同时也可起到阻止掺杂元素（4）的蒸气被真空泵抽走的作用。使用本实用新型，增加了掺杂元素（4）与熔硅的接触时间，提高了掺杂效率，操作方便，安全性能好，克服了现有技术中气相掺杂效率低、掺杂装置易损坏的问题。
体型掺杂装置

[发明专利]半导体结构及其操作方法-CN201110147116.4有效
发明人：吴锡垣;陈永初;连士进;林正基 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体结构包括衬底、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第一沟道结构与第二栅结构；第一掺杂区位于衬底中；第一掺杂区具有第一导电型；第二掺杂区位于第一掺杂区中；第二掺杂区具有相反于第一导电型的第二导电型；第三掺杂区位于第二掺杂区中且具有第一导电型；第一沟道结构具有第一栅结构；第一栅结构与第二栅结构分别位于第二掺杂区的不同侧上。
半导体结构及其操作方法

[发明专利]半导体功率元件-CN201710999914.7有效
发明人：颜诚廷;洪建中;李传英 -专利权人：上海瀚薪科技有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体功率元件，包括一n型漂移层、复数个第一p型掺杂区域、复数个n型掺杂区域、复数个第二p型掺杂区域、一栅极介电层、一栅电极、一层间介电层以及复数个源极接触，该第一p型掺杂区域包括一第一p型掺杂部以及复数个自该第一p型掺杂部向外延伸的第一p型掺杂支臂，且该n型掺杂区域包括一n型掺杂部以及复数个自该n型掺杂部向外延伸的n型掺杂支臂。
半导体功率元件