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[实用新型]一种高压半导体器件及其终端-CN201220505060.5有效
发明人：褚为利;朱阳军;田晓丽;胡爱斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压半导体器件及其终端，该高压半导体器件终端包括：基底，所述基底包括本体层；场限环，位于所述基底表面内；所述场限环为三层掺杂区结构，其中，第一掺杂区位于本体层表面内，与第一掺杂区掺杂类型相反的第二掺杂区包围第一掺杂区，与所属第一掺杂区掺杂类型相同的第三掺杂区包围第二掺杂区，且第一掺杂区的掺杂浓度大于第二掺杂区的掺杂浓度，第三掺杂区的掺杂浓度介于第二掺杂区和本体层之间。本实用新型实施例的三层掺杂区构成的场限环，提高了高压半导体器件的耐压能力，同时降低了高压半导体器件的终端面积，节省了器件的制作成本。
一种高压半导体器件及其终端

[发明专利]晶闸管元件及其制造方法-CN201210153855.9有效
发明人：张潘德;刘文忠 -专利权人：敦南科技股份有限公司
申请日： 2012-05-17 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶闸管元件，包括一基底区、一对第一掺杂区、至少一第二掺杂区、至少一第三掺杂区以及一对金属层。这对第一掺杂区分别形成于基底区的两侧，并接触基底区。第二掺杂区形成在其中一个第一掺杂区与基底区之间，并接触基底区与第一掺杂区。第三掺杂区形成于其中一个第一掺杂区中，并接触第一掺杂区。第一掺杂区的掺杂类型不同于第二掺杂区、第三掺杂区以及基底区三者的掺杂类型。这对金属层分别接触这些第一掺杂区，而这些第一掺杂区与第三掺杂区皆位在这些金属层之间。本发明的晶闸管元件具有偏低的击穿电压。
晶闸管元件及其制造方法

[发明专利]掺杂气发生装置-CN200910088628.0有效
发明人：张仲夏;李徽;张阳天;林津;刘建华 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01J49/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种为离子迁移谱仪提供反应气的掺杂气发生装置，包括：掺杂罐；进气管，所述进气管的进口端与载气气路的上游侧连接，其出口端与掺杂罐连接；出气管，所述出气管的进口端与掺杂罐连接，其出口端与载气气路的下游侧连接；掺杂气发生单元，其用于释放掺杂剂气体，其中掺杂气发生单元置于所述掺杂罐中。通过将用于释放掺杂气体的掺杂气发生单元置于所述掺杂罐中，本发明的掺杂气不仅可用固态掺杂剂，也可以用于液态掺杂剂。
掺杂发生装置

[实用新型]掺杂气发生装置-CN200920109050.8无效
发明人：张仲夏;李徽;张阳天;林津;刘建华 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01J49/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种为离子迁移谱仪提供反应气的掺杂气发生装置，包括：掺杂罐；进气管，所述进气管的进口端与载气气路的上游侧连接，其出口端与掺杂罐连接；出气管，所述出气管的进口端与掺杂罐连接，其出口端与载气气路的下游侧连接；掺杂气发生单元，其用于释放掺杂剂气体，其中掺杂气发生单元置于所述掺杂罐中。通过将用于释放掺杂气体的掺杂气发生单元置于所述掺杂罐中，本实用新型的掺杂气不仅可用固态掺杂剂，也可以用于液态掺杂剂。
掺杂发生装置

[发明专利]横向扩散金属氧化半导体元件-CN201210064850.9有效
发明人：林安宏;林宏泽;黄柏睿;廖伟善;颜挺洲;周昆宜;陈纯伟;简明勇 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2012-01-13 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种横向扩散金属氧化半导体元件，其包括一第一掺杂区、一第二掺杂区、一第三掺杂区、一栅极结构以及一接触金属。第一掺杂区与第三掺杂区具有一第一导电类型，且第二掺杂区具有一第二导电类型。第二掺杂区设于第一掺杂区中，且具有一操场跑道形轮廓，并具有一长轴。第三掺杂区设于第二掺杂区中。栅极结构设于第三掺杂区一侧的第一掺杂区与第二掺杂区上。接触金属设于第二掺杂区沿着长轴延伸出的一侧的第一掺杂区上，并与第一掺杂区相接触。
横向扩散金属氧化半导体元件

[发明专利]用于ESD保护的双向双极型器件-CN202210723713.5在审
发明人：曾杰;R·库马尔;S·米特拉 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明涉及用于ESD保护的双向双极型器件。一种静电放电(ESD)保护器件，包括：衬底，其包括：第一、第二和第三掺杂区，第二掺杂区设置在第一和第三掺杂区之间，第二掺杂区具有第一导电类型和第一掺杂浓度，并且第一和第三掺杂区具有第二导电类型和第二掺杂浓度；第一和第二掺杂端子区，其分别设置在第一和第二掺杂区内；掺杂岛区，其设置在第二掺杂区内，第一和第二掺杂端子区以及掺杂岛区具有第二导电类型和第三掺杂浓度，第三掺杂浓度高于第一和第二掺杂浓度；以及导电端子，其分别耦接到掺杂端子区；以及绝缘层，其布置在导电端子之间的衬底上，并且至少覆盖第二掺杂区。
用于 esd 保护双向双极型器件

[发明专利]相位调制器及其制作方法、硅基电光调制器-CN201780094544.0有效
发明人：王志仁;周林杰;周砚扬;刘磊 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：一种相位调制器及其制作方法以及一种硅基电光调制器，该相位调制器通过将P型掺杂区(2)划分成第一P型掺杂区(21)和第二P型掺杂区(22)两部分，将N型掺杂区(3)划分成第一N型掺杂区(31)和第二N型掺杂区(32)两部分，其中，第二P型掺杂区(22)的掺杂浓度小于第一P型掺杂区(21)的掺杂浓度，第二N型掺杂区(32)的掺杂浓度小于第一N型掺杂区(31)的掺杂浓度，从而利用第一P型掺杂区(21)和第一N型掺杂区(31)的重掺杂浓度实现相位调制器与驱动电路的良好电接触，并利用第二P型掺杂区(22)来降低P型掺杂区(2)靠近PN结结构(1)一侧的掺杂浓度，利用第二N型掺杂区(32)来降低N型掺杂区(3)靠近PN结结构(1)一侧的掺杂浓度，降低相位调制器的光传输损耗，进而降低硅基电光调制器的光传输损耗。
相位调制器及其制作方法电光

[发明专利]图像传感器像素结构及其制备方法-CN202211394999.3有效
发明人：孙国元;林豫立 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种图像传感器像素结构及其制备方法，包括：衬底；光电二极管，位于衬底中，相邻的光电二极管之间形成有沟槽隔离结构；U型掺杂区，位于衬底中且包裹光电二极管的底面和侧面，U型掺杂区包括第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，其中，第一掺杂区和第二掺杂区沿衬底的厚度方向自上而下的排列以包裹光电二极管的侧面，第三掺杂区包裹光电二极管的底面且与第二掺杂区相接，并且第一掺杂区和第三掺杂区的掺杂浓度均大于第二掺杂区的掺杂浓度，第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区的掺杂浓度均大于衬底的掺杂浓度，以形成U型电场；本发明能够提高像素的信噪比，以提高像素质量。
图像传感器像素结构及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202111242965.8在审
发明人：吴公一;吴小飞;徐亚超 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开一种半导体结构及其制造方法，半导体结构的制造方法包括：在一基底上形成接触孔；在接触孔的表面形成第一掺杂层，并对第一掺杂层进行退火处理；在第一掺杂层上形成至少一层第二掺杂层，并对每一第二掺杂层进行退火处理；在第二掺杂层上形成第三掺杂层，以填满接触孔；其中，第二掺杂层的厚度大于第三掺杂层的厚度，第三掺杂层的厚度大于第一掺杂层的厚度。退火处理不仅能够修复第一掺杂层/第二掺杂层内部的晶格失配和晶格缺陷问题，还能够改善第一掺杂层/第二掺杂层的表面粗糙度，使第一掺杂层/第二掺杂层的晶粒生长更加均匀，由此改善在形成第一掺杂层/第二掺杂层后就出现封口问题，形成良好的填充效果。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构-CN201910138049.6在审
发明人：蔡小五;罗家俊;刘海南;曾传滨;赵海涛;卜建辉;陆江 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明尤其涉及双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构：在深N型掺杂区内设置有第一N型掺杂区、第二P型掺杂区和第二N型掺杂区；在第一P型掺杂区内设置有第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区；在第二P型掺杂区内设置有第二N型重掺杂区、第二P型重掺杂区和第三N型重掺杂区；在第三P型掺杂区内设置有第四N型重掺杂区和第三P型重掺杂区；在第一N型掺杂区和第二N型掺杂区的上方均设置有浅槽隔离区；第一引出电极的一端分别与第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区连接，第二引出电极的一端分别与第二N型重掺杂区、第二P型重掺杂区和第三N型重掺杂区连接，第三引出电极的一端分别与第四N型重掺杂区和第三P型重掺杂区连接。
引出电极静电放电保护结构双向可控硅浅槽隔离区

[发明专利]一种硅基调制器和调制装置-CN201811599111.3有效
发明人：张森林;邵永波;李蒙 -专利权人：中兴光电子技术有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G02F1/21 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种硅基调制器和调制装置，包括：波导，所述波导包括：正掺杂区域、负掺杂区域、重正掺杂区域、重负掺杂区域、阴极和阳极；其中，正掺杂区域通过重正掺杂区域连接阴极，负掺杂区域通过重负掺杂区域连接阳极，正掺杂区域和负掺杂区域形成正‑负结设置在波导的中间，重正掺杂区域和重负掺杂区域设置在波导的两端，正掺杂区域和负掺杂区域之间的分界面的横截面为折线，所述折线包括n条线段，n大于或等于3。本发明实施例正掺杂区域和负掺杂区域之间的分界线为Z字型，使得正掺杂区域和负掺杂区域构成的正‑负结的耗尽区与光场的交叠区域面积更大，提高了调制效率，并且不需要对正‑负结的耗尽区进行重掺杂，减小了光学损耗。
一种基调调制装置

[发明专利]一种快恢复二极管-CN202110704234.4在审
发明人：朱辉;肖秀光;吕磊;潘恒 -专利权人：安徽瑞迪微电子有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明公开了一种快恢复二极管，包括N型掺杂漂移区、重掺杂N型衬底区域以及位于N型掺杂漂移区与重掺杂N型衬底区域之间的N型掺杂缓冲层。N型掺杂缓冲层包括低掺杂电场缓冲层、电场终止层和反向恢复载流子存储层，低掺杂电场缓冲层与N型掺杂漂移区接触且低掺杂电场缓冲层的厚度较厚，低掺杂电场缓冲层的掺杂浓度高于N型掺杂漂移区的掺杂浓度；电场终止层位于低掺杂电场缓冲层和反向恢复载流子存储层之间，电场终止层的掺杂浓度高厚度薄，其掺杂浓度高于低掺杂电场缓冲层和反向恢复载流子存储层；反向恢复载流子存储层与所述重掺杂N型衬底区域接触，其浓度较低。本发明的快恢复二极管，可以降低器件在反向恢复时的过冲电压和软度影响。
一种恢复二极管

[发明专利]改进可调节的ESD保护器件-CN201210292465.X有效
发明人：郭锡瑜;陈纪光 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：集电极包括第一掺杂元件和在第一掺杂元件上设置的更重掺杂的第二掺杂元件。第一掺杂元件和第二掺杂元件分别具有第一掺杂极性。基极被设置为与集电极相邻，并且包括具有不同于第一掺杂极性的第二掺杂极性的第三掺杂元件。p-n结形成在第三掺杂元件与第一掺杂元件和第二掺杂元件中的一个之间。发射极形成在基极上方。发射极包括具有第一掺杂极性并与第三掺杂元件形成p-n结的第四掺杂元件。与第三掺杂元件相比更重地掺杂第四掺杂元件。本发明还提供了改进可调节的ESD保护器件。
改进调节 esd 保护器件

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910097564.4有效
发明人：李茂;郑大燮;陈德艳 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构的形成方法包括：提供基底，基底内具有邻接的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区内具有第一掺杂离子，第二掺杂区内具有第二掺杂离子，第二掺杂离子与第一掺杂离子导电类型相反；在第二掺杂区内形成若干个相互分立的第一隔离结构；在相邻第一隔离结构之间以及第一隔离结构底部的第二掺杂区内形成第三掺杂区，第三掺杂区内具有第三掺杂离子，第三掺杂离子与第二掺杂离子导电类型相反；在部分第一掺杂区、第二掺杂区和第一隔离结构表面形成栅极结构；在栅极结构一侧的第一掺杂区内形成源区；在栅极结构另一侧的第二掺杂区内形成漏区，部分所第一隔离结构位于栅极结构与漏区之间。所形成的器件性能较好。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]图像传感器及其制备方法-CN202211664876.7在审
发明人：孙德明 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请提供一种图像传感器及其制备方法，图像传感器沿衬底厚度方向依次设置有第一掺杂部、第二掺杂部和第三掺杂部。第三掺杂部中设置有沿第一方向间隔设置的多个第四掺杂部。第一掺杂部和第二掺杂部为第一掺杂类型，第三掺杂部和第四掺杂部为第二掺杂类型，第一掺杂类型和第二掺杂类型相反。各第四掺杂部的掺杂浓度均大于第三掺杂部的掺杂浓度，沿第一方向，多个第四掺杂部的掺杂浓度从远离传输晶体管的栅极的一侧向靠近该栅极的一侧依次增加，使得第三掺杂部内形成平行于衬底的电场，以加快光生电子向该栅极方向运动因此，本申请提供的图像传感器及其制备方法，能够减轻图像传感器的信号延迟或者拖尾现象，进而提高图像传感器的性能。
图像传感器及其制备方法