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[发明专利]一种冲击电压下介质击穿特性分析方法和相关装置-CN202010299448.3有效
发明人：孙文星;蔡玲珑;杨贤;马志钦;靳宇晖;饶章权;欧阳旭东;林春耀;周丹;江丹宇 -专利权人：广东电网有限责任公司电力科学研究院
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种冲击电压下介质击穿特性分析方法和相关装置，利用冲击电压击穿时的击穿电压、电流和击穿持续时间计算击穿能量损失，并以击穿起始时刻为横轴，击穿能量损失为纵轴绘制曲线，生成冲击电压下击穿能量分布曲线，通过分析击穿能量分布曲线得到绝缘介质击穿特性分析结果，同时考虑了击穿电压、击穿电流和击穿持续时间的因素，从而使得冲击电压下绝缘介质击穿特性的表征更为全面，解决了现有的冲击压下介质击穿特性分析方法不能全面地表征击穿特性的技术问题
一种冲击压下介质击穿特性分析方法相关装置

[发明专利]基于深度学习的真空击穿类型甄别方法-CN202310569343.9在审
发明人：李世民;徐勋晨;张潮海 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G06F18/2415 文献下载
摘要：本发明涉及真空击穿技术，具体公开基于深度学习的真空击穿类型甄别方法，属于计算、推算或计数的技术领域。该方法测量击穿电压数据与击穿电流数据，获取击穿电压‑电流数据；获取击穿电压‑电流数据后分类标记得到真空击穿样本；将真空击穿样本划分为训练集、验证集和测试集；构建包括击穿时刻定位模块、预击穿过程提取模块和图像处理模块、基于卷积神经网络的特征提取与识别模块的真空击穿类型甄别模型；训练并测试真空击穿类型甄别模型；输入击穿电压电流数据至真空击穿类型甄别模型进行真空击穿类型甄别。本发明仅需利用击穿电压电流数据即可完成真空击穿类型甄别，实现简易准确快速甄别真空击穿类型的目的。
基于深度学习真空击穿类型甄别方法

[发明专利]一种阵列式薄膜击穿测试装置-CN201911099864.2有效
发明人：陈彬;刘重阳;吴勇;李云锋 -专利权人：浙江耀阳新材料科技有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G01N3/317 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列式薄膜击穿测试装置，属于薄膜测试技术领域。它包括下击穿座、上击穿头、上感应针，下击穿座上均布设置有承料式下击穿头和下感应针，上击穿移动丝杆和其中一个上击穿移动座丝杠连接，另外一个上击穿移动座和上击穿移动导杆可滑动连接，上击穿横向移动支承座可滑动设置在上击穿升降连接座上，上击穿横向移送丝杆和上击穿横向移动支承座丝杠连接，电磁阀安装在连接座的上端，供气室通过供气软管和电磁阀连接，脉冲发生器和电磁阀连接，混合气室安装在气道连接杆的下端，上击穿头安装在上击穿头安装架上，上感应针安装在上感应针安装架上本发明能实现对薄膜的阵列式击穿测试，大大提高了击穿测试的准确性。
一种阵列薄膜击穿测试装置

[发明专利]一种新型72对棒还原炉高压击穿系统及其方法-CN201911127195.5在审
发明人：邹分红;简凤麟;赵小飞;梁国东;梁瑞锋;张龙刚 -专利权人：新疆东方希望新能源有限公司
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型72对棒还原炉高压击穿系统及方法，该方法为击穿第1相硅芯时，先击穿8对硅芯，由于击穿后的电压只需最高击穿电压的1/4，因此将这8对硅芯由4面高压击穿柜维持，另外4面高压击穿柜再去击穿第一相剩下的4对硅芯，12对硅芯击穿后再统一交由功率控制柜控制。在前3相硅芯击穿后，整个还原炉温度上升，剩下的后3相硅芯的击穿电压是前3相硅芯的一半以下，因此用一面高压击穿柜同时击穿2对硅芯，6面高压击穿柜同时工作，击穿12对硅芯，击穿完成后交由控制柜控制。本发明缩短了硅芯的高压维持时间，在可以快速击穿的同时，减小了长时间维持高压状态对硅芯的损伤，将高压击穿柜由传统的12面减少为8面，节省了设备投资。
硅芯击穿高压击穿击穿电压还原炉高压维持高压状态功率控制时间维持传统的控制柜减小损伤统一

[发明专利]一种固井胶塞击穿装置-CN202010250241.7在审
发明人：于明武;罗宇维;刘明;李炎军;刘和兴;梁晓阳;张伟国;金颢;李波;朱剑锋;罗东辉;廖易波;刘玉杰;钟兴强;陆永伟 -专利权人：中国海洋石油集团有限公司;中海油田服务股份有限公司;德州大陆架石油工程技术有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： E21B33/13 文献下载
摘要：本申请提供了一种固井胶塞击穿装置，固井胶塞击穿装置包括胶碗、塞芯和击穿体，所述塞芯安装在所述胶碗内部，所述击穿体可拆卸地安装在所述塞芯的一端，所述击穿体包括支撑部和击穿部，所述击穿部位于所述支撑部中心，固井胶塞击穿装置可根据实际作业需要更改击穿压力。
一种固井胶塞击穿装置

[发明专利]火花机电缆击穿点的识别方法、装置、设备及可读存储介质-CN202310852929.6在审
发明人：何晓东;贺江;张宏;姜浩;王海龙;张静旖;王黎;马学武;赵燕;刘思远 -专利权人：宁夏计量质量检验检测研究院
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06V10/70 文献下载
摘要：一种火花机电缆击穿点的识别方法、装置、设备及可读存储介质涉及电缆加工检测设备技术领域，所述火花机电缆击穿点的识别装置包括依次设置的电缆击穿装置、传送装置、摄像装置、计数装置，利用设置的电缆击穿装置、传送装置、摄像装置、计数装置，对电缆进行击穿实验，进而检测电缆的质量，与此同时，为检测电缆上击穿点的数量，通过设置电缆击穿实验、采集电缆击穿后的影像图片、获取击穿点的位置信息以及统计击穿点数量的步骤，对电缆上的击穿点进行统计，通过运用控制装置对电缆上的击穿点进行合理统计，且避免了对击穿点的重复计数，避免了因工作量大，容易出现误差的状况，极大程度上解放了生产力。
火花机电缆击穿识别方法装置设备可读存储介质

[发明专利]基于击穿波形甄别诊断真空击穿机制的试验回路及方法-CN202211340538.8在审
发明人：李世民;江希茜;徐勋晨;李镇廷;张潮海 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：基于击穿波形甄别诊断真空击穿机制的试验回路及方法，脉冲电压源、真空灭弧室和电流测量装置相串联组成试验回路，电压测量装置与真空灭弧室两端相并联。测量真空击穿过程中施加电压波形和回路电流波形；获取位移电流波形和场致发射电流波形；根据击穿前是否存在场致发射电流对真空击穿机制进行初步诊断；如果击穿前不存在场致发射电流，再依据发生击穿前是否存在脉冲电流诊断真空击穿机制为脉冲电流诱发真空击穿或微粒诱发真空击穿；如果存在场致发射电流，再对场致发射电流波形进行分析，诊断真空击穿机制为场致发射诱发真空击穿或微粒诱发真空击穿。本方法对优化真空击穿试验研究，提升老炼技术以及提高真空断路器耐压水平有重要意义。
基于击穿波形甄别诊断真空机制试验回路方法

[发明专利]直接光触发晶闸管功率单元的击穿检测装置-CN201310438448.7无效
发明人：吕跃青;刘景祥;刘凤珍;张慧林;张宏 -专利权人：国家电网公司;国网辽宁省电力有限公司朝阳供电公司;荣信电力电子股份有限公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： G01R31/27 文献下载
摘要：本发明涉及本发明涉及一种直接光触发晶闸管功率单元的击穿检测装置，包括电源板、击穿检测从扩展板，击穿检测板AB1、击穿检测板AB2、击穿检测板BC1、击穿检测板BC2、击穿检测板CA1、击穿检测板CA2和击穿检测总线板，电源板、击穿检测从扩展板和六块击穿检测板都插接到击穿检测总线板上，该装置与功率单元之间采用多膜单芯光纤，具有较高的工作稳定性、可靠性和抗干扰性；通过增加击穿检测从扩展板，实现扩展功能，该装置可实时监测光控晶闸管的工作状态，当某个晶闸管损坏时，在控制柜上能及时准确的显示出击穿的位置和击穿的个数，确保SVC补偿系统由于某部分的损坏，造成整个系统的损坏，使系统的每部分都能可靠运行。
直接触发晶闸管功率单元击穿检测装置

[实用新型]直接光触发晶闸管功率单元的击穿检测装置-CN201320588931.9有效
发明人：吕跃青;刘景祥;刘凤珍;张慧林;张宏 -专利权人：国家电网公司;国网辽宁省电力有限公司朝阳供电公司;荣信电力电子股份有限公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： G01R31/27 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直接光触发晶闸管功率单元的击穿检测装置，包括电源板、击穿检测从扩展板，击穿检测板AB1、击穿检测板AB2、击穿检测板BC1、击穿检测板BC2、击穿检测板CA1、击穿检测板CA2和击穿检测总线板，电源板、击穿检测从扩展板和六块击穿检测板都插接到击穿检测总线板上，该装置与功率单元之间采用多膜单芯光纤，具有较高的工作稳定性、可靠性和抗干扰性；通过增加击穿检测从扩展板，实现扩展功能，该装置可实时监测光控晶闸管的工作状态，当某个晶闸管损坏时，在控制柜上能及时准确的显示出击穿的位置和击穿的个数，确保SVC补偿系统由于某部分的损坏，造成整个系统的损坏，使系统的每部分都能可靠运行。
直接触发晶闸管功率单元击穿检测装置

[发明专利]振荡型冲击电压下绝缘介质击穿特性分析方法和装置-CN201410802595.2有效
发明人：陆国俊;熊俊;王斯斯;李智宁;敖昌民;李军浩;谢剑翔;钟少泉;吴晓桂;曾植榆;李晓 -专利权人：广州供电局有限公司;西安交通大学
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：一种振荡型冲击电压下绝缘介质击穿特性分析方法及装置，该方法包括步骤：采用具有相同特性的振荡型冲击电压信号进行预设次数的击穿试验；记录各次击穿试验中绝缘介质在振荡型冲击电压的波形下击穿时的击穿信号；根据振荡型冲击电压信号的振荡频率确定振荡型冲击电压信号的振荡周期，确定各振荡周期的持续时间；根据记录的各击穿信号，统计确定各次击穿试验中总的击穿次数，根据各振荡周期的持续时间计算各振荡周期内的击穿次数；根据各振荡周期的击穿次数、总的击穿次数，确定各振荡周期的击穿概率；根据振荡周期数、各振荡周期的击穿概率，形成振荡周期放电概率曲线。
振荡冲击压下绝缘介质击穿特性分析方法装置

[发明专利]检测半导体器件介质层可靠性的方法和装置-CN201010154824.6有效
发明人：简维廷;赵永;韩坤 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-04-14 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种检测半导体器件介质层可靠性的方法和装置，其中，所述方法包括：基于斜坡电压测试和时间相关介质击穿测试的介质层击穿过程，确定介质层的斜坡击穿电压和时间相关介质击穿时间之间的转换关系；利用斜坡电压测试，测试一组样品的介质层的斜坡击穿电压Vbd1，Vbd2......Vbdn；利用韦伯分布对所述斜坡击穿电压Vbd1，Vbd2......Vbdn进行拟合；基于所述拟合结果，确定与预定斜坡电压击穿累积失效率对应的斜坡击穿电压；利用所述介质层的斜坡击穿电压和时间相关介质击穿时间之间的转换关系，将所述确定的斜坡击穿电压转换为时间相关介质击穿时间。
检测半导体器件介质可靠性方法装置

[发明专利]绝缘胶、绝缘胶带及绝缘胶的制备方法-CN202310396199.3在审
发明人：张桐恺;高静;孟胤;雷奋星 -专利权人：荣耀终端有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C09J11/08 文献下载
摘要：其中，绝缘颗粒的击穿场强大于绝缘胶体的击穿场强。由于绝缘颗粒的击穿场强大于绝缘胶体的击穿场强，因此，绝缘胶体比绝缘颗粒更容易击穿。当静电放电电流作用于该绝缘胶时，静电放电电流将击穿绝缘性能更差、更容易击穿的绝缘胶体，而绕过绝缘性能更好、更难击穿的绝缘颗粒，使得静电放电电流的击穿路径变长，击穿绝缘胶所需的击穿电压将增加，从而提升了绝缘胶的绝缘性能
绝缘绝缘胶带制备方法

[发明专利]绝缘胶、绝缘胶带及绝缘胶的制备方法-CN202111310407.0有效
发明人：张桐恺;高静;孟胤;雷奋星 -专利权人：荣耀终端有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C09J11/08 文献下载
摘要：其中，绝缘颗粒的击穿场强大于绝缘胶体的击穿场强。由于绝缘颗粒的击穿场强大于绝缘胶体的击穿场强，因此，绝缘胶体比绝缘颗粒更容易击穿。当静电放电电流作用于该绝缘胶时，静电放电电流将击穿绝缘性能更差、更容易击穿的绝缘胶体，而绕过绝缘性能更好、更难击穿的绝缘颗粒，使得静电放电电流的击穿路径变长，击穿绝缘胶所需的击穿电压将增加，从而提升了绝缘胶的绝缘性能
绝缘绝缘胶带制备方法

[发明专利]近自然击穿器件-CN200780029171.5有效
发明人：盖伊·西尔弗;吴俊龙 -专利权人：盖伊·西尔弗;吴俊龙
申请日： 2007-06-04 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L29/68 文献下载
摘要：近自然击穿器件，包括半导体区，其中该半导体区是强制或非强制近自然击穿区，其在横过器件施加大小小于或等于非自然击穿(例如齐纳击穿和雪崩击穿)的击穿电压的预定电压时完全耗尽。
自然击穿器件

[发明专利]一种薄膜击穿测试设备-CN201911099860.4有效
发明人：陈后良;吴勇;苏强强;胡罗江 -专利权人：浙江耀阳新材料科技有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜击穿测试设备，属于薄膜测试技术领域。它包括薄膜收放卷装置、移动式上击穿机构、下击穿座横移机构，下击穿座安装在下击穿座横移帘上，下击穿座上均布设置有承料式下击穿头和下感应针，薄膜收放卷装置包括薄膜放卷机构、薄膜收卷机构、双摆动薄膜张紧机构，移动式上击穿机构的气道连接杆安装在上击穿横向移动支承座上，连接座安装在气道连接杆的上端，电磁阀安装在连接座的上端，供气室通过供气软管和电磁阀连接，脉冲发生器和电磁阀连接，混合气室安装在气道连接杆的下端，上击穿头安装在上击穿头安装架上，上感应针安装在上感应针安装架上。本发明能快速实现对薄膜多个位置的击穿测试，击穿性能测试准确性高。
一种薄膜击穿测试设备

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