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- [发明专利]一种分体式直拉单晶炉泄压方法-CN202210577422.X在审
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刘海;彭亦奇;王人松;周子义
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连城凯克斯科技有限公司
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2022-05-25
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2022-09-23
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C30B15/00
- 本发明公开了一种分体式直拉单晶炉泄压方法，属于光伏技术领域。本发明提出的方法为：首先，利用连接件将泄压门与主炉腔体扣合锁紧；泄压门安装在分体式直拉单晶炉的主炉腔体上，通过连接件与主炉腔体扣合锁紧后形成完整且密封的分体式直拉单晶炉；然后，通过分体式直拉单晶炉进行直拉法制备单晶；之后，当分体式直拉单晶炉中发生爆炸时，主炉腔体中的压力增高，泄压门受压力作用向外打开，高温气体流出，使得主炉腔体中的压力迅速降低。本发明通过将完整的一体式直拉单晶炉腔更改为由泄压门和主炉腔体构成的分体式直拉单晶炉腔，当炉体发生爆炸，泄压门可以迅速打开泄压，从而避免了炉盖脱离炉体，炉中高温气流逸散，造成人员伤亡的问题。
- 一种体式直拉单晶炉泄压方法
- [发明专利]一种降低单晶头氧含量的方法-CN202210740650.4在审
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段俊飞
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乌海市京运通新材料科技有限公司
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2022-06-28
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2022-09-20
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C30B27/02
- 本发明具体涉及一种降低单晶头氧含量的方法，属于直拉单晶硅技术领域，所要解决的技术问题是直拉法单晶硅的生长过程中头部的氧含量高的问题，采用的技术方案包括如下步骤：安装热场，装有原料的石英坩埚使用吊料车吊入炉内，进行合炉拆炉后调整干泵频率进行抽真空；熔料，将坩埚中的硅晶体原料加热熔化，形成稳定流动的熔体；将籽晶将至液面使用余热熔接并开始引晶；晶体呈纵向生长等径生长，生长完成后进行收尾；将晶体冷却后取出，进行二次加料，完成后再次熔料；循环上述步骤拉直多段晶体，最后一段将坩埚内晶体熔料消耗剩余5‑7kg停炉。本发明用于直拉法单晶硅生长，可以降低单晶硅头氧含量0.8‑1.5ppma。
- 一种降低单晶头氧含量方法
- [实用新型]一种分体式直拉单晶炉装置-CN202221273246.2有效
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刘海;彭亦奇;王人松;周子义
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连城凯克斯科技有限公司
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2022-05-25
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2022-12-02
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C30B15/00
- 本实用新型公开了一种分体式直拉单晶炉装置，属于光伏技术领域。本实用新型提出的装置包括：炉盖、炉体底座、坩埚、主炉腔体、泄压门以及连接件；其中，主炉腔体与炉盖和炉体底座连接，泄压门安装在主炉腔体上，可以活动打开，通过连接件，泄压门与主炉腔体扣合后形成完整且密封的分体式直拉单晶炉，坩埚安装在分体式直拉单晶炉内。本实用新型通过将完整的一体式直拉单晶炉腔更改为由泄压门和主炉腔体构成的分体式直拉单晶炉腔，当分体式直拉单晶炉中发生爆炸时，炉内压力会迅速升高，泄压门受到压力作用向外打开，高温气流从泄压门处流出，使得炉内压力迅速降低，从而避免了炉盖受压力作用脱离炉体，炉中高温气流逸散，造成人员伤亡的问题。
- 一种体式直拉单晶炉装置
- [实用新型]直拉硅单晶炉用节能装置-CN201120247004.1有效
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周建华
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西安华晶电子技术股份有限公司
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2011-07-13
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2012-02-01
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C30B15/00
- 本实用新型公开了一种直拉硅单晶炉用节能装置，包括连接在单晶炉功率柜与单晶炉炉体之间的铜排结构，铜排结构包括两个结构相同的组合式铜排；单晶炉炉体安装在水泥基础上，单晶炉功率柜位于水泥基础一侧的地面上；组合式铜排包括与单晶炉功率柜上的接线端相接且呈水平向布设的铜排一、与铜排一相接且呈竖直向布设的铜排二和与铜排二相接且呈水平向布设的铜排三，铜排三通过铜排软连接与单晶炉炉体上的接线端相接；铜排二的高度与铜排软连接和单晶炉功率柜上接线端之间的间距相同。本实用新型结构简单、设计合理、安装布设方便且使用效果好，在提高直拉单晶炉工作稳定性、延长直拉单晶炉使用寿命的同时，也能进一步提高直拉单晶炉的节能效果。
- 直拉硅单晶炉用节能装置
- [发明专利]生产硅单晶的直拉区熔法-CN00105518.6有效
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沈浩平;李翔;汪雨田;昝兴利
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天津市环欧半导体材料技术有限公司
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2000-03-30
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2002-12-04
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C30B15/00
- 一种生产硅单晶的直拉区熔法，是由直拉炉和区熔炉完成的，步骤如下(1)将料装入直拉炉抽真空充氩气，(2)加热化料熔接籽晶，(3)拉细颈，(4)放肩收肩，(5)等径生长，(6)收尾，(7)降温出炉，(8)对多晶棒定形加工清洗腐蚀，(9)装入区熔炉抽真空充氩气，(10)预热化料熔接籽晶，(11)引晶拉细颈，(12)放肩等径生长，(13)拉断尾部，(14)降温停炉晶体出炉。本发明克服了直拉硅中的高氧含量，生产的硅单晶氧含量为1016atm/cm3，热稳定性好，又克服了区熔法不能掺入特殊固态元素的不足，可掺入特殊固态元素，提高了区熔炉的产能，降低了生产成本缩短了生产周期。
- 生产硅单晶直拉区熔法
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