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[发明专利]晶棒的掺杂剂的添加量的确定方法和确定装置-CN202310691714.0在审
发明人： 梁万亮;杨文武 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶棒的掺杂剂的添加量的确定方法，其特征在于，包括以下步骤：确定掺杂剂的掺杂效率；根据所述掺杂效率，确定实际拉晶工艺中掺杂剂的首次添加量a，a＝a′/η0，其中，a′为所需的融入到硅熔液中的掺杂剂的含量，η0为掺杂效率；其中，所述确定掺杂剂的掺杂效率，具体包括：将第一测试用掺杂剂加入至第一测试用硅熔液中，并拉制第一测试晶棒；根据所述第一测试晶棒的电阻率确定所述掺杂效率。本发明还涉及一种晶棒的掺杂剂的添加量的确定装置。根据拉制的晶棒的电阻率确定掺杂剂的掺杂效率，根据该掺杂效率可以确定掺杂剂的掺杂量，改善由于掺杂剂挥发导致的晶棒电阻率超规格报废的问题。
掺杂添加确定方法装置

[发明专利]单晶炉加热结构和单晶炉-CN202310952401.6在审
发明人：杨文武;梁万亮 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶炉加热结构，包括：绝缘底盘；多个加热单元，多个所述加热单元环绕设置于所述绝缘底盘的边缘；供电单元，用于向所述加热单元施加电信号；导电块，活动连接于相邻加热单元之间，使得多个所述加热单元相串联，并与所述供电单元相配合形成回路；绝缘连接组件，绝缘连接组件的一端与导电块连接，绝缘连接组件的另一端用于与坩埚支撑轴连接，绝缘连接组件随着坩埚轴升降，带动导电块进行升降运动，以改变加热单元的加热区在第一方向上的长度，第一方向为坩埚支撑轴的轴向方向。本发明还涉及一种单晶炉。改变加热部件的加热区在坩埚支撑轴的轴向方向上的长度，可以提高晶棒的轴向温度梯度的均匀性。
单晶炉加热结构

[发明专利]晶棒生长方法和晶棒生长装置-CN202310707576.0在审
发明人：杨文武;梁万亮 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C30B30/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶棒生长方法，采用单晶炉进行晶棒生长，单晶炉内包括用于容纳硅熔液的坩埚，包括以下步骤：将籽晶浸入硅熔液中进行引晶形成晶棒，并施加磁场强度为第一预设值的水平磁场，在晶棒的轴向方向上，水平磁场的最强高斯面与硅溶液的液面在晶棒的轴向方向上的第一距离小于第二预设值；对晶棒进行等径生长，并施加磁场强度为第三预设值的尖点磁场，尖点磁场的零磁面位于坩埚的R弧部位。本发明还涉及一种晶棒生长装置。施加水平磁场，抑制硅熔液对流，从而改善由于硅熔液的对流的不确定性，导致熔体中析出氧及浸入晶棒中的氧具有不确定性的问题。施加尖点磁场，促进氧的析出，尖点磁场与水平磁场相互配合，使得氧有效且均匀的浸入晶棒中。
生长方法装置

[发明专利]一种单晶炉热场用的保温装置、单晶炉以及单晶硅棒-CN202310636876.4在审
发明人：杨文武;梁万亮 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种单晶炉热场用的保温装置、单晶炉以及单晶硅棒；所述保温装置被设置在导流筒支撑体外侧，所述保温装置包括固化硬毡、软毡以及空心状的保护管；其中，所述软毡被密封在所述保护管中；所述固化硬毡与所述保护管的内侧相贴合设置。
一种单晶炉热场用保温装置单晶炉以及单晶硅

[发明专利]一种单晶炉用的导流筒装置、单晶炉以及单晶硅棒-CN202310701935.1在审
发明人：杨文武;梁万亮 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种单晶炉用的导流筒装置、单晶炉以及单晶硅棒；所述导流筒装置包括沿径向方向呈波浪状起伏变化的底面，从而以惰性气体的流速增大的方式引导所述惰性气体。
一种单晶炉用导流装置单晶炉以及单晶硅

[发明专利]母合金的制作方法、坩埚组件和单晶炉-CN202310639496.6在审
发明人：杨文武;金珍根;梁万亮 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种母合金的制作方法，采用单晶炉制作，所述制作方法包括以下步骤：对加入掺杂剂的硅料进行加热；在硅料完全熔化为硅熔液后，冷却到预设温度使得所述硅熔液凝固为预制品；取出所述预制品，并将所述预制品放入容纳有常温液体的容纳槽中，使得所述预制品炸裂，以获得小块状的母合金。本发明还涉及一种坩埚组件和单晶炉。获得掺杂元素均匀的母合金，后期只需要测量小块试样标定后可根据重量进行掺杂，无需每次掺杂计算，简化了流程，而且掺杂精度更高，适合大批量生产使用，提高了生产效率。
合金制作方法坩埚组件单晶炉

[发明专利]一种制造磷掺杂单晶硅棒的籽晶、装置及方法-CN202310601721.7在审
发明人：杨文武;梁万亮 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种制造磷掺杂单晶硅棒的籽晶、装置及方法；所述籽晶包括：上端部，所述上端部与籽晶重锤相配合连接；中端部；末端部，所述末端部的内部设置有存储腔室，所述存储腔室用于盛放掺杂剂；其中，所述上端部、所述中端部以及所述末端部同轴地设置。
一种制造掺杂单晶硅籽晶装置方法

[发明专利]一种单晶硅生长方法-CN202310450640.1在审
发明人：杨文武;梁万亮 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶硅生长方法，涉及单晶硅生产技术领域。该单晶硅生长方法包括：根据晶棒头部的电阻率，向硅溶液里掺杂含磷母合金；在检测得到的所述晶棒的电阻率低于预设门限时，或者，在所述晶棒被拉制到预设长度时，向硅溶液里分多次掺杂表面镀有四氮化三硅的含有锗和硼的母合金硅片。通过向硅溶液里分多次掺杂表面镀有四氮化三硅的含有锗和硼的母合金硅片，能够通过硼元素提升晶棒的电阻率，控制单晶硅生长过程中电阻高于预设门限；通过掺杂锗元素能够消除因为掺杂硼和氮引起的硅晶格畸变。本发明方案，解决了晶棒生长过程中头尾电阻率差值较大的问题，且能够改善晶格畸变和缺陷分布，提高晶棒产品的合格率。
一种单晶硅生长方法

[发明专利]拉晶工艺-CN202310483348.X在审
发明人：杨文武;梁万亮 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种拉晶工艺，包括化料和稳定温度，并在稳定温度之后控制用于容纳硅熔液的坩埚以不同的第一转速和第二转速交替旋转。在稳定温度的步骤之后，控制用于容纳硅溶液的坩埚以不同的第一转速和第二转速交替进行旋转，增加硅溶液与坩埚的相对运动，排出硅熔液中的液体，提高晶棒质量。
工艺

[发明专利]滑动式石英加料装置、直拉单晶炉及提高拉速的方法-CN202111642123.1有效
发明人：王彦娟;丁亚国;梁万亮;马国忠;顾燕滨 -专利权人：宁夏申和新材料科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：一种滑动式石英加料装置，包括加料器、高度调节机构，所述加料器包括加料筒、连接法兰，所述连接法兰固设于加料筒的上端，高度调节机构包括固定法兰、调节杆、高度调节环，所述固定法兰套装在加料器的外壁上，所述调节杆的下端与固定法兰连接，在连接法兰上设有调节孔，所述调节杆的上端穿过调节孔，在调节杆的上端旋入调节螺母，所述调节杆为数个，在每一个调节杆上套装数个高度调节环，根据单晶炉的大小规格不同，通过增加或减少高度调节环的数量来调节加料器的作业高度，有利于适用各种炉型，降低成本，还提供了一种直拉单晶炉，还提供了一种提高拉晶速率的方法。
滑动石英加料装置直拉单晶炉提高方法

[发明专利]水冷套和单晶炉-CN202310476521.3在审
发明人：杨文武;梁万亮 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种水冷套，应用于单晶炉内，所述水冷套呈筒状结构，沿着所述水冷套的周向方向，所述水冷套的侧壁上设置有多个通孔，以提供使得惰性气体吹入的气体通道，并阻挡从单晶炉内的硅熔液挥发出的气体上升。本发明还涉及一种单晶炉。沿着所述水冷套的周向方向，所述水冷套的侧壁上设置有多个通孔，以提供使得惰性气体吹入的气体通道，所述水冷套位于坩埚的上方，通过惰性气体的吹扫，可以阻挡从单晶炉内的硅熔液挥发出的气体上升，进而避免该气体与坩埚上方的石墨部件发生反应，进一步的避免一氧化碳气体的产生，从而提升晶棒质量。
水冷单晶炉

[发明专利]能够提高机械测试精确度的100晶向晶棒的取样方法-CN202211707287.2在审
发明人：何玉乐;梁万亮;马国忠;丁亚国;顾燕滨;河野贵之;马建仁;白海玲 -专利权人：宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种能够提高机械测试精确度的100晶向晶棒的取样方法，先根据100晶向晶棒的四条棱线在周侧进行标记直线，对应在晶棒的端面连接相邻的棱线端点形成矩形框，接着切割预设厚度的晶片，在晶片的表面画出一个样本矩形框，该样本矩形框的一条边平行于参考矩形框的一条边，用数控机床沿着标注线切割加工获得样片，该样片的六个面均为100晶向的长方形样品，因样品六个面的晶向均为100晶向，这种同一种晶向的硅原子排列的周期性和疏密程度相同，从而使得样品的物理、化学特性相同，进而在测试时主受力面是100晶向，主受力面的的晶向是一致的，因此测试所得的数值也相近，使得进行测试分析单晶硅片的机械性能所获得的数值更为准确。
能够提高机械测试精确度 100 取样方法

[发明专利]直拉单晶炉热屏装置及提高拉晶速率的方法-CN202111639258.2有效
发明人：丁亚国;李玲玲;梁万亮;马国忠;顾燕滨 -专利权人：宁夏申和新材料科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种直拉单晶炉热屏装置及提高拉晶速率的方法，属于提高拉晶速率工艺的技术领域，包括：导流筒、水冷屏，所述导流筒位于所述水冷屏的下方，所述水冷屏的内侧壁设置有凹坑，单晶炉加热器位于炉体底部，布设于坩埚底部或侧壁上，单晶硅拉制过程中，加热器的温度自加热炉底部向上折射，本发明在所述水冷屏的内侧壁设置凹坑，通过凹坑能够增加水冷屏的热折射方向，使得热折射向上，减少热折射直接折射在晶棒上，利于晶棒的降温，且所述凹坑有利于增大水冷屏散热面积，且增加了水冷屏的吸热效率，提高加热炉腔内散热效率，进而使得单晶棒拉制的过程中拉速提高，进而拉制单晶棒的产率提高。
直拉单晶炉热屏装置提高速率方法

[发明专利]二次加料装置、二级加料系统以及二次加料方法-CN202211562083.4在审
发明人：杨文武;梁万亮 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种二次加料装置，包括加料筒、连接杆和石英锥，所述石英锥包括位于所述加料筒内部的内侧面，所述内侧面上设置有螺旋槽，所述螺旋槽从所述石英锥。本发明还涉及一种二次加料系统和二次加料方法。通过在石英锥的内侧面上设置螺旋槽，在进行二次加料时，使得硅料沿着螺旋槽旋出，减缓硅料的下落速度，从而降低加料时的液体飞溅程度。
二次加料装置二级系统以及方法

[发明专利]伸缩式石英加料装置、直拉单晶炉及提高拉速的方法-CN202111639291.5有效
发明人：王彦娟;丁亚国;梁万亮;马国忠;顾燕滨 -专利权人：宁夏申和新材料科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：一种伸缩式石英加料装置，包括加料器、高度调节机构，所述加料器包括加料筒、连接法兰，所述连接法兰固设于加料筒的上端，高度调节机构包括固定法兰、调节杆、高度调节环、圆形挡块，所述固定法兰套装在加料器的外壁上，所述调节杆的下端与固定法兰连接，在连接法兰上设有调节孔，所述调节杆的上端穿过调节孔，所述调节杆的上端固设圆形挡块，数个调节杆沿固定法兰的周向均布，在每一个调节杆上套装数个高度调节环，高度调节环的截面为“C”形，根据单晶炉的大小规格不同，通过增加或减少高度调节环的数量来调节加料器的作业高度，有利于适用各种炉型，降低成本，还提供了一种直拉单晶炉，还提供了一种提高拉晶速率的方法。
伸缩石英加料装置直拉单晶炉提高方法

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