专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]硅圆酸洗工装-CN202223295245.0有效
  • 张晓明;吴彦飞;李玲玲;丁亚国;王彦娟;童宇涛;顾燕滨 - 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
  • 2022-12-08 - 2023-06-02 - H01L21/67
  • 本实用新型涉及一种硅圆酸洗工装,包括框体和至少一组支撑组件,框体包括前侧壁、左侧壁、后侧壁和右侧壁,每一组支撑组件包括四个支撑件,每一个支撑件的一端设置在前侧壁上,每一个支撑件的另一端设置在后侧壁上,每两个支撑件位于同一高度,下层的两个支撑件之间的距离小于相邻上层的两个支撑件的距离,相邻两层的四个支撑件的端面中心点连线形成等腰梯形,每个支撑件上设置多个夹持槽。对不同规格的硅圆同时清洗时,尺寸较小的硅圆放置在下层的两个支撑件上;尺寸较大的硅圆放置在上层的两个支撑件上;尺寸适中的硅圆由四个夹持槽同时夹持固定,使不同规格的硅圆放置在硅圆酸洗工装内同时进行清洗,提高硅圆酸洗工装对不同规格硅圆的兼容性。
  • 酸洗工装
  • [发明专利]一种硅质保温桶及加工方法-CN202211701324.9在审
  • 高胜贤;张晓明;马建仁;李玲玲;王彦娟;丁亚国;许小鹏;顾燕滨 - 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
  • 2022-12-28 - 2023-05-23 - F27D5/00
  • 一种硅质保温桶,包括:桶体,呈圆柱状,内腔中空,无底;桶体的上表面中心设置连接台;所述连接台和桶体一体成型;连接台沿轴向开设通孔,所述通孔与桶体的内腔连通;桶体的上表面绕圆周方向对称设置两个横向定位孔;桶体的上表面绕圆周方向对称设置四个纵向定位孔;桶体的侧壁对称设置四个散热孔;桶体的侧壁底端沿内沿圆周开设环状卡槽;桶体的侧壁底端沿外沿对称开设两个V型槽;一种硅质保温桶的加工方法,包括:S1、受入毛坯晶棒,依次进行截断、滚圆和圆磨,获得待加工晶棒;S2、将待加工晶棒的下表面粘接在石英方板上,并装夹至加工机床的工作台面上,获得已装夹晶棒;S3、将已装夹晶棒进行加工,获得成品硅质保温桶。
  • 一种质保加工方法
  • [发明专利]直拉单晶炉热屏装置及提高拉晶速率的方法-CN202111639258.2有效
  • 丁亚国;李玲玲;梁万亮;马国忠;顾燕滨 - 宁夏申和新材料科技有限公司
  • 2021-12-29 - 2023-05-16 - C30B15/00
  • 本发明提供一种直拉单晶炉热屏装置及提高拉晶速率的方法,属于提高拉晶速率工艺的技术领域,包括:导流筒、水冷屏,所述导流筒位于所述水冷屏的下方,所述水冷屏的内侧壁设置有凹坑,单晶炉加热器位于炉体底部,布设于坩埚底部或侧壁上,单晶硅拉制过程中,加热器的温度自加热炉底部向上折射,本发明在所述水冷屏的内侧壁设置凹坑,通过凹坑能够增加水冷屏的热折射方向,使得热折射向上,减少热折射直接折射在晶棒上,利于晶棒的降温,且所述凹坑有利于增大水冷屏散热面积,且增加了水冷屏的吸热效率,提高加热炉腔内散热效率,进而使得单晶棒拉制的过程中拉速提高,进而拉制单晶棒的产率提高。
  • 直拉单晶炉热屏装置提高速率方法
  • [发明专利]硅环表面打孔方法-CN202211726192.5在审
  • 马建仁;刘建新;李玲玲;丁亚国;顾燕滨;王浩 - 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
  • 2022-12-29 - 2023-04-25 - B28D5/02
  • 本发明涉及一种硅环表面打孔方法,采用第一钻头对硅环的打孔位置加工预设深度及宽度的凹坑,完成全部的凹坑加工后,利用第二钻头在每一个凹坑上进行打孔,并在第二钻头打孔的过程中间歇性打孔,即每次完成预设的打孔深度后将第二钻头抬起进行冷却和冲洗后再次进行打孔,直至打穿该位置后接着对下一个凹坑进行打孔加工,由于第一钻头的直径略宽于第二钻头,所以加工的凹坑的宽度大于第二钻头的直径,以使第二钻头便于进入凹坑再次加工后能够起到定位的目的,同时也便于第二钻头在加工过程中将加工所产生的碎屑和硅泥从上述凹坑排出,防止第二钻头加工过程中出现撞刀的现象,再确保硅环正常加工的同时,延长第二钻头的使用寿命,进而节约加工成本。
  • 表面打孔方法
  • [实用新型]硅环单面刻蚀用工装-CN202221124613.2有效
  • 王彦娟;马建仁;马全森;李玲玲;丁亚国;顾燕滨 - 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
  • 2022-05-11 - 2022-12-06 - C30B33/10
  • 本实用新型提供的硅环单面刻蚀用工装,属于硅环固定装置的技术领域,包括承载组件,所述承载组件包括底板、卡接圆台,所述卡接圆台与所述底板连接,所述硅环能够卡接在所述卡接圆台上,所述硅环不需返修的一面与所述底板相对,然后将所述硅环卡接在所述卡接圆台上,一方面使得硅环被固定,且硅环需要返修的一面裸露出来,工作人员不再需要用手将硅环拿住,只需要将硅环安装在硅环单面刻蚀用工装中浸泡在腐蚀液中即可,工作方便,大大降低了工作人员的劳动强度,提升了工作效率;另一方面硅环不需返修的一面与底板紧密接触,避免腐蚀液的腐蚀,降低了硅环因重复腐蚀被损坏的概率。
  • 单面刻蚀用工
  • [实用新型]硅片退火用工装-CN202221184497.3有效
  • 张晓明;李玲玲;许小鹏;丁亚国;顾燕滨;马俊廷;万家洛 - 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
  • 2022-05-17 - 2022-12-06 - H01L21/673
  • 本实用新型提供的硅片退火用工装,属于半导体退火装置技术领域,用于安装硅片,包括架体、调节杆组件,架体包括第一固定板、第二固定板、底板,底板的一侧与第一固定板连接,底板的另一侧与第二固定板连接,第一固定板的一侧开设第一水平调节槽,第二固定板的一侧开设第二水平调节槽,第一水平调节槽与第二水平调节槽位于第一固定板、第二固定板的同一侧,底板开设通槽,调节杆组件包括第一调节杆、第二调节杆,第一调节杆的两端与第一固定板、第二固定板可拆卸连接,第二调节杆的两端能够在所述第一水平调节槽、第一水平调节槽滑动,实现对不同尺寸硅片的安装,使得安装硅片便利。
  • 硅片退火用工
  • [发明专利]多晶硅环的化学机械抛光方法-CN202210515485.2在审
  • 吴彦飞;李玲玲;张晓明;丁亚国;马全森;顾燕滨 - 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
  • 2022-05-11 - 2022-09-02 - B24B37/10
  • 本发明涉及一种多晶硅环的化学机械抛光方法,依次包括将硅环和无纺布抛光垫安装在抛光机上、粗抛、精抛步骤;粗抛中的粗抛液的成分为氧化铝(0.23‑0.26μm)10%‑40%,金刚石(0.32‑0.34μm)0.2%‑5%,水60%‑90%;精抛中的精抛液成分为胶体SiO2(90‑120nm)0.8%‑1%,SiO2(40‑45nm)0.3%‑0.5%,哌嗪0.08%‑0.12%,氢氧化四甲基铵0.01%‑0.05%,纯水>98%;在粗抛过程中将含有纳米金刚石的抛抛液分散在无纺布抛光垫上,粗抛液中氧化铝微粉能够降低硅环表面粗糙度,减小亚表面损伤层深度,提高抛光效率,在精抛过程中,精抛液能够实现化学作用与机械作用的良好匹配,保证抛光硅晶片高去除速率的同时,避免抛光雾等缺陷的形成,提高抛光后表面质量,抛光方法后硅环平面度<20μm,破损层DOD=0um,经检测抛光合格。
  • 多晶化学机械抛光方法
  • [实用新型]测量硅片碳、氧含量的辅助工装-CN202123363562.7有效
  • 王彦娟;苏鹏;丁亚国;于旭东;顾燕滨 - 宁夏申和新材料科技有限公司
  • 2021-12-29 - 2022-08-02 - G01N21/01
  • 一种测量硅片碳、氧含量的辅助工装,包括测量装置、夹持固定装置,测量装置包括底板、第一侧板、第二侧板,第一侧板、第二侧板对向固定设置在底板的两端,第一侧板上设置有激光发射源,第二侧板上设置有激光接收点,底板上固定设置有立板,立板位于第一侧板、第二侧板之间的中间位置,立板的上部开设有圆孔,使激光发射源产生的光线能够穿过,夹持固定装置设置在立板与第二侧板之间;在使用时,通过将需要测量的硅片固定在夹持固定装置上,根据硅片的大小规格不同,通过移动夹持固定装置的位置,以及调整夹持固定装置的高度,使需要测量的硅片能够处于较佳的测量位置,从而实现对不同规格大小的硅片的快速测量,大大提高了测量效率。
  • 测量硅片含量辅助工装

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