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- [实用新型]硅圆酸洗工装-CN202223295245.0有效
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张晓明;吴彦飞;李玲玲;丁亚国;王彦娟;童宇涛;顾燕滨
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宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
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2022-12-08
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2023-06-02
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H01L21/67
- 本实用新型涉及一种硅圆酸洗工装,包括框体和至少一组支撑组件,框体包括前侧壁、左侧壁、后侧壁和右侧壁,每一组支撑组件包括四个支撑件,每一个支撑件的一端设置在前侧壁上,每一个支撑件的另一端设置在后侧壁上,每两个支撑件位于同一高度,下层的两个支撑件之间的距离小于相邻上层的两个支撑件的距离,相邻两层的四个支撑件的端面中心点连线形成等腰梯形,每个支撑件上设置多个夹持槽。对不同规格的硅圆同时清洗时,尺寸较小的硅圆放置在下层的两个支撑件上;尺寸较大的硅圆放置在上层的两个支撑件上;尺寸适中的硅圆由四个夹持槽同时夹持固定,使不同规格的硅圆放置在硅圆酸洗工装内同时进行清洗,提高硅圆酸洗工装对不同规格硅圆的兼容性。
- 酸洗工装
- [发明专利]硅环表面打孔方法-CN202211726192.5在审
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马建仁;刘建新;李玲玲;丁亚国;顾燕滨;王浩
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宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
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2022-12-29
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2023-04-25
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B28D5/02
- 本发明涉及一种硅环表面打孔方法,采用第一钻头对硅环的打孔位置加工预设深度及宽度的凹坑,完成全部的凹坑加工后,利用第二钻头在每一个凹坑上进行打孔,并在第二钻头打孔的过程中间歇性打孔,即每次完成预设的打孔深度后将第二钻头抬起进行冷却和冲洗后再次进行打孔,直至打穿该位置后接着对下一个凹坑进行打孔加工,由于第一钻头的直径略宽于第二钻头,所以加工的凹坑的宽度大于第二钻头的直径,以使第二钻头便于进入凹坑再次加工后能够起到定位的目的,同时也便于第二钻头在加工过程中将加工所产生的碎屑和硅泥从上述凹坑排出,防止第二钻头加工过程中出现撞刀的现象,再确保硅环正常加工的同时,延长第二钻头的使用寿命,进而节约加工成本。
- 表面打孔方法
- [发明专利]多晶硅环的化学机械抛光方法-CN202210515485.2在审
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吴彦飞;李玲玲;张晓明;丁亚国;马全森;顾燕滨
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宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
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2022-05-11
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2022-09-02
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B24B37/10
- 本发明涉及一种多晶硅环的化学机械抛光方法,依次包括将硅环和无纺布抛光垫安装在抛光机上、粗抛、精抛步骤;粗抛中的粗抛液的成分为氧化铝(0.23‑0.26μm)10%‑40%,金刚石(0.32‑0.34μm)0.2%‑5%,水60%‑90%;精抛中的精抛液成分为胶体SiO2(90‑120nm)0.8%‑1%,SiO2(40‑45nm)0.3%‑0.5%,哌嗪0.08%‑0.12%,氢氧化四甲基铵0.01%‑0.05%,纯水>98%;在粗抛过程中将含有纳米金刚石的抛抛液分散在无纺布抛光垫上,粗抛液中氧化铝微粉能够降低硅环表面粗糙度,减小亚表面损伤层深度,提高抛光效率,在精抛过程中,精抛液能够实现化学作用与机械作用的良好匹配,保证抛光硅晶片高去除速率的同时,避免抛光雾等缺陷的形成,提高抛光后表面质量,抛光方法后硅环平面度<20μm,破损层DOD=0um,经检测抛光合格。
- 多晶化学机械抛光方法
- [实用新型]测量硅片碳、氧含量的辅助工装-CN202123363562.7有效
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王彦娟;苏鹏;丁亚国;于旭东;顾燕滨
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宁夏申和新材料科技有限公司
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2021-12-29
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2022-08-02
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G01N21/01
- 一种测量硅片碳、氧含量的辅助工装,包括测量装置、夹持固定装置,测量装置包括底板、第一侧板、第二侧板,第一侧板、第二侧板对向固定设置在底板的两端,第一侧板上设置有激光发射源,第二侧板上设置有激光接收点,底板上固定设置有立板,立板位于第一侧板、第二侧板之间的中间位置,立板的上部开设有圆孔,使激光发射源产生的光线能够穿过,夹持固定装置设置在立板与第二侧板之间;在使用时,通过将需要测量的硅片固定在夹持固定装置上,根据硅片的大小规格不同,通过移动夹持固定装置的位置,以及调整夹持固定装置的高度,使需要测量的硅片能够处于较佳的测量位置,从而实现对不同规格大小的硅片的快速测量,大大提高了测量效率。
- 测量硅片含量辅助工装
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