“汪雨田”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果12个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]数据下载请求的处理方法、装置及系统-CN201310143426.8有效
发明人：吕本伟;杨涛;汪雨田 -专利权人：北京奇虎科技有限公司;奇智软件（北京）有限公司
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： G06F9/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种数据下载请求的处理方法、装置及系统。其中处理方法包括步骤：由主处理设备接收请求方发送的数据下载请求，该数据下载请求包括一个或者多个下载任务；主处理设备将一个或者多个下载任务中的每个任务分发给相应的子处理设备来进行；子处理设备执行相应的下载任务，将下载任务执行结果存储到下载相关信息中的请求处理结果存储位置处，以便由请求方从请求处理结果存储位置处获取下载任务执行结果。本发明提供的方案无需等待一个下载任务完成之后继续接收下一个下载任务，而是并行执行多个下载任务，在所有下载任务执行完成后，请求方设备一并查找下载任务执行结果，大大提高了下载任务执行的效率。
数据下载请求处理方法装置系统

[发明专利]一种低成本直拉硅单晶的生产方法-CN201210061382.X无效
发明人：菅瑞娟;李建宏;李立伟;张雪囡;徐强;宋都明;汪雨田 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-03-10 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种低成本直拉硅单晶的生产方法。其特征在于：.在化料过程中，硅料温度低于1280℃时向炉内通入氮气，硅料温度高于1280℃后将通入炉内的气体由氮气改为通入氩气；在停炉10～20min后，将通入炉内的气体由氩气改为氮气。本发明的技术特点是在化料和停炉两个步骤中将通入的氩气改为通入氮气，降低了直拉硅单晶的生产成本，同时不会产生有害的Si3N4固体，保证了成晶率。
一种低成本直拉硅单晶生产方法

[发明专利]一种制造区熔硅单晶的直拉区熔气掺法-CN201210059755.X无效
发明人：李建宏;菅瑞娟;张雪囡;徐强;王刚;汪雨田;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B13/12 文献下载
摘要：本发明涉及制造区熔硅单晶的直拉区熔气掺法，其特征在于，首先采用直拉法拉制硅多晶，且在拉晶前完成掺杂，然后将硅多晶进行机加工并退火后置于区熔炉内，通过区熔法进行单晶拉制，且在区熔法拉晶过程中通入定量的掺杂气体，掺杂气体通入量逐渐降低或升高；若区熔单晶硅掺杂剂目标浓度为c0，则控制硅多晶的尾部掺杂剂浓度为c0，k为掺杂剂偏析系数；由于本发明的多晶料棒的掺杂剂浓度均匀一致，且保持阶段无需进行气掺，则硅熔体浓度均匀性非常高，综上所述，本发明相比与NTD法，成本较低，且生产周期较短；与区熔气掺法和直拉区熔法相比，有效提高了区熔单晶径向电阻率的均匀性。
一种制造区熔硅单晶直拉区熔气掺法

[发明专利]太阳能电池用硅片的钻石线切割设备及工艺-CN201010585223.0无效
发明人：郭红慧;刘涛;汪雨田;王聚安;范猛;孙红永;危晨;张雪囡;靳立辉;王岩;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2010-12-13 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种加工太阳能电池用硅片的钻石线锯的切割设备及工艺，采用的钻石线锯的切割设备包括一个位于两主槽轮间的导轮，钻石钢线通过的导轮导引过渡，从而达到减小其在切割过程中的抖动性，工艺包括：硅棒在切割过程中的钻石线锯张力为26～28N，硅棒在切割结尾处，即剩余1/8～1/10的切割行程，采用0.5～0.7mm/min的切割速度，本发明的方案不仅大大的提高了硅片加工产品产量，而且在硅片加工质量较好，同时消除传统切割方式即“裸钢线+磨料浆液”所带来的环境污染问题，具有实用和推广价值。
太阳能电池硅片钻石切割设备工艺

[发明专利]一种Ф8英寸<110>直拉硅单晶的制造方法及其热系统-CN201010585215.6有效
发明人：张雪囡;高树良;徐强;李建弘;许海波;李翔;汪雨田;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2010-12-13 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种Ф8"<110>直拉硅单晶的制造方法及其热系统，通过增加热系统的下保温筒和地盘保温层的厚度，同时减少了上保温筒的厚度，控制硅熔体液面下和液面上的温度，从而提高纵向温度梯度，所述方法包括控制Ar气流量、扩肩速度、保持速度的步骤，适合直径8英寸及以上单晶的制备，获得的Ф8"<110>单晶结构良好、位错密度低于100个/cm2，断苞率≤5%；本方法简便，可靠，提高了生产效率和产品质量，具有推广价值。
一种英寸 110 直拉硅单晶制造方法及其系统

[发明专利]一种制备<110>区熔硅单晶的方法-CN201010529132.5有效
发明人：高树良;王彦君;张雪囡;王岩;汪雨田;王聚安;李翔;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2010-11-03 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： C30B13/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备<110>区熔硅单晶的方法，其技术方案的要点是：1、在进行引晶工艺中，通过控制和调整下轴下移速度以及调整功率，将引晶细颈直径控制在2mm～6mm范围内，引晶细颈长度大于等于单晶直径1.5倍；2、在进行放肩工艺中，通过控制和调整下轴下移速度和转速、上轴下移速度和转速以及调整功率，使放肩角度呈50°±5°；3、在进行收尾工艺中，收尾长度大于单晶直径的1.2倍，尾部最小直径小于等于5mm。本方法克服了现有直拉法制备<110>硅单晶杂质含量高而不能满足高效太阳能电池用硅单晶的要求这一问题，利用悬浮区熔法成功制备出一种低杂质含量、高寿命的<110>无位错区熔硅单晶，位错密度≤500个/cm2，少子寿命≥300us，满足了制备高效太阳能电池用硅材料的要求。
一种制备 110 区熔硅单晶方法

[发明专利]掺镓元素太阳能单晶的生产方法-CN200810053398.X有效
发明人：沈浩平;汪雨田;尚伟泽;李翔;高树良;李海静;高润飞 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2008-06-03 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池硅单晶的生产方法，特别涉及一种掺镓元素太阳能单晶的生产方法。该生产方法包括掺杂方法和拉晶工艺，其中掺杂方法包括：1.擦拭掺杂装置，2.冷却掺杂装置，3.镓元素放入掺杂装置，4.隔离置换，5.掺入熔料中。拉晶的工艺步骤如下：1.引晶，2.放肩，3.转肩，4.等径，5.收尾，6.停炉。本发明经过对采用掺镓元素单晶的太阳能电池做进一步试验，试验结果验证，与采用掺硼元素单晶的太阳能电池相比，其特性指标大大提高，从而可满足高端太阳能电池的需要。
元素太阳能生产方法

[发明专利]<110>无位错硅单晶的制造方法-CN200610129891.6有效
发明人：沈浩平;汪雨田;胡元庆;尚伟泽;周建华;李翔;李海静 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2006-12-06 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及硅单晶的拉晶工艺，特别涉及一种适用于半导体和太阳能光电器件的<110>无位错单晶的制造方法以及对在制造方法过程中使用的石墨热系统的改进。该方法包括如下步骤：(1).在引晶工艺中，引晶直径应≥5mm，其收放比例为100％，引晶拉速应≥5mm/min，引晶长度为150－300mm；(2).在放肩工艺中，放肩速度为0.2～1.5mm/min；(3).在等径工艺中，单晶头部拉速应为1.0－3.0mm/min，尾部拉速应为0.5－2.0mm/min；(4).在收尾工艺中，单晶收尾长度应大于晶体的直径，收尾最小直径应≤10mm。制造<110>无位错硅单晶的石墨热系统的上保温筒的保温层厚度为20～30mm，下保温筒的保温层厚度为60～70mm，炉底护盘的保温层厚度为70～80mm。本发明成功实现了生产<110>无位错单晶，从而满足了国内外市场对<110>无位错单晶的需求。
110 无位错硅单晶制造方法

[发明专利]大直径区熔硅单晶生产方法-CN200610013498.0有效
发明人：沈浩平;高树良;刘为钢;高福林;李翔;汪雨田;昝兴立 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2006-04-21 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅单晶的生产方法，特别涉及一种用于生产大功率、高电压、大电流半导体器件及各类电力电子器件的大直径区熔硅单晶生产方法。该方法利用区熔单晶炉进行以下操作：1.清炉、装炉；2.抽空、充气、预热；3.化料、引晶；4.生长细颈；5.扩肩及氮气的充入；6.转肩、保持及夹持器释放；7.收尾、停炉。采用该方法彻底解决了高压电离问题，成功实现了制备大直径区熔硅单晶，经过本发明制备的区熔硅单晶，经国家信息产业部专用材料质量检验中心测试，各项指标均达到SEMI标准，甚至高于SEMI标准要求。从而满足了大型水利火力发电工程用大功率、高电压、大电流的电力电子器件领域以及尖端国防领域对大直径区熔硅单晶的需求。
直径区熔硅单晶生产方法

[发明专利]磁场直拉硅单晶的制备方法-CN200510015279.1无效
发明人：沈浩平;胡元庆;汪雨田;刘为钢;李翔;刘宇;李海静;周建华 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2005-09-29 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅单晶的制备方法，特别涉及一种用于半导体器件的磁场直拉硅单晶的制备方法。该方法包括有打开电磁场及拉细颈工艺流程，其操作步骤如下：当多晶料完全熔化之后，即顺时针旋转手柄，使电磁场机构复位，然后闭合电源开关；按下磁场控制器按钮，启动磁场，首先双手分别同步顺时针旋转加载电流旋钮，缓慢地将电流加至35A；当磁场强度大于1200GS时，将埚转调至1－8转/分，再开动籽晶旋转机构，使晶转为12－16转/分，然后调整坩埚位置；在拉细颈时，先将籽晶行程调至零位，然后旋转晶升电位器，逐步提高拉速至16英寸/小时。采用该方法制备的硅单晶解决了电阻率径向分布不均匀、容易产生漩涡缺陷和氧含量高等技术问题，从而提高了产品质量，满足了市场需求。
磁场直拉硅单晶制备方法

[发明专利]大直径区熔硅单晶制备方法-CN200510013851.0有效
发明人：沈浩平;刘为钢;高福林;高树良;李翔;汪雨田 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2005-06-15 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅单晶制备方法，特别涉及一种用于生产大功率、高电压、大电流半导体器件的大直径区熔硅单晶制备方法。当区熔硅单晶的直径扩肩到Φ110mm～130mm时，发生界面翻转，此时，立即调整区熔单晶炉发生器设定的阳极电压，每隔5～10秒，将阳极电压设定电增加0.1％～0.3％；当区熔硅单晶的直径扩肩到Φ110mm时，将区熔单晶炉编码器控制下轴向下的运动速度设定在2.0～2.4mm/分范围内，其转动速度设定在4～6转/分范围内；在抽空充气过程中，拉晶所需炉膛压力应达3.0bar～3.2bar，当区熔硅单晶的直径扩肩到Φ110mm时开始充入N₂，其比例相当于Ar的0.5％－0.6％，此外还对区熔单晶炉的热场系统进行了改进。经本发明制备的区熔硅单晶，各项指标均达到SEMI标准，从而满足了大型水利火力发电工程用大功率、高电压、大电流的电力电子器件领域以及尖端国防领域对大直径区熔硅单晶的需求。
直径区熔硅单晶制备方法

[发明专利]生产硅单晶的直拉区熔法-CN00105518.6有效
发明人：沈浩平;李翔;汪雨田;昝兴利 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2000-03-30 - 公布日： 2002-12-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种生产硅单晶的直拉区熔法，是由直拉炉和区熔炉完成的，步骤如下(1)将料装入直拉炉抽真空充氩气，(2)加热化料熔接籽晶，(3)拉细颈，(4)放肩收肩，(5)等径生长，(6)收尾，(7)降温出炉，(8)对多晶棒定形加工清洗腐蚀，(9)装入区熔炉抽真空充氩气，(10)预热化料熔接籽晶，(11)引晶拉细颈，(12)放肩等径生长，(13)拉断尾部，(14)降温停炉晶体出炉。本发明克服了直拉硅中的高氧含量，生产的硅单晶氧含量为1016atm/cm3，热稳定性好，又克服了区熔法不能掺入特殊固态元素的不足，可掺入特殊固态元素，提高了区熔炉的产能，降低了生产成本缩短了生产周期。
生产硅单晶直拉区熔法

1
共 12 条