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[实用新型]一种直拉法单晶炉中监测并控制氩气温度的装置及单晶炉-CN202121966052.6有效
发明人：齐小方;薛逸文;王艺澄 -专利权人：包头美科硅能源有限公司;江苏美科太阳能科技股份有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉法单晶炉中监测并控制氩气温度的装置，包括氩气加热管，氩气加热管套设在单晶炉的氩气进气管上，氩气加热管表面缠绕有加热丝，加热丝的一端通过导线连接在电源上，加热丝与电源之间还设有过热保护装置，加热丝的另一端通过导线与红外测温装置的输入端连接，红外测温装置的信号输出端连接有温控表，温控表通过导线与电源相连接，还涉及一种含有上述监测并控制氩气温度装置的单晶炉，该装置结构简单、精度高、稳定性好，可实现对氩气进行加热，监测并精确控制加热温度，从而减小温度不确定的氩气对炉内热场的影响。
一种直拉法单晶炉中监测控制温度装置单晶炉

[发明专利]一种直拉单晶隔热装料方法及其装置-CN201010301244.5有效
发明人：周锐 -专利权人：西安隆基硅材料股份有限公司;西安隆基硅技术有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;西安矽美单晶硅有限公司
申请日： 2010-02-04 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉单晶隔热装料方法，该方法按照以下步骤具体实施：1)单晶炉拆炉后，将主室炉筒、主保温筒和石墨加热器等炉体及热场石墨器件上的挥发物打扫干净；2)在主保温筒上端面安放隔热大盖；3)将石墨坩埚及石英坩埚依次放置于石墨托杆上，开始装入单晶原料；4)装料完毕后，在石英坩埚上盖上护料盖；5)再将隔热大盖取出，去掉护料盖，即可合炉抽空加热，开始下一炉次的单晶拉制。
一种直拉单晶隔热装料方法及其装置

[发明专利]直拉单晶炉加料装置-CN201910064168.1在审
发明人：史蒂芬·劳伦斯·金贝尔;孟敬镐;布拉德·乔佩克 -专利权人：江苏协鑫软控设备科技发展有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种直拉单晶炉加料装置。上述直拉单晶炉加料装置，设计γ、α和β分别满足各自条件，能够降低生产成本和提高产出，有利于应用。
硅料第一侧壁下料管底壁直拉单晶炉加料装置夹角为进料管输运第二侧壁相对设置堆积角腔体容纳应用

[发明专利]直拉单晶炉石墨坩埚-CN201010134461.X无效
发明人：周俭 -专利权人：上海杰姆斯电子材料有限公司
申请日： 2010-03-29 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种直拉单晶炉石墨坩埚，包括石墨坩埚本体，在所述石墨坩埚本体的侧壁上设置有至少一个贯穿所述石墨坩埚本体壁厚的第一通孔，在每个所述第一通孔中插入一个石墨环，在所述石墨环的中心再开有贯穿的第二通孔直拉单晶炉内的硅料在加热时产生的气体可以从第二通孔里跑出来，这样，就可以避免一氧化硅对石墨坩埚各瓣接缝处的侵蚀，而使接缝处变形，在石墨环因为长期有气体从中穿过而变形后，只需要将石墨环敲掉，重新换一个即可
直拉单晶炉石墨坩埚

[发明专利]直拉式单晶生长炉-CN200810122724.8无效
发明人：冉茂华 -专利权人：常州中弘光伏有限公司
申请日： 2008-06-26 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：为减少直拉式单晶生长炉的氩气消耗的技术问题，本发明提供了一种直拉式单晶生长炉，其包括：氩气输入管、与氩气输入管相连通的环形气体分布器；其特征在于：经氩气输入管输入的氩气气压为0.8×10³
直拉式单晶生长

[实用新型]直拉单晶炉保温结构-CN201220428055.9有效
发明人：皎晶晶 -专利权人：深圳市石金科技有限公司
申请日： 2012-08-27 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直拉单晶炉保温结构，其包括加热器和设置在所述加热器下方的保温组件，所述保温组件包括保温体、将所述保温体固定在其中的上反射板和下反射板，以及卡设在所述下反射板环形台阶上的挡环。
直拉单晶炉保温结构

[实用新型]直拉单晶炉加料装置-CN201920124494.2有效
发明人：刘海;万跃鹏;张新皓;孔传祥 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉单晶炉加料装置。
硅料下料管进料管直拉单晶炉加料装置夹角为连通本实用新型运行停止堆积角硅溶液石英管掉落单晶堵料管内坩埚堆积流出损害应用

[实用新型]直拉单晶炉加料装置-CN201920119660.X有效
发明人：史蒂芬·劳伦斯·金贝尔;孟敬镐;布拉德·乔佩克 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉单晶炉加料装置。上述直拉单晶炉加料装置，设计γ、α和β分别满足各自条件，能够降低生产成本和提高产出，有利于应用。
硅料第一侧壁下料管底壁夹角为进料管输运直拉单晶炉第二侧壁加料装置本实用新型相对设置堆积角腔体容纳应用

[实用新型]直拉单晶炉石墨坩埚-CN201020142870.X无效
发明人：周俭 -专利权人：上海杰姆斯电子材料有限公司
申请日： 2010-03-29 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉单晶炉石墨坩埚，包括石墨坩埚本体，在所述石墨坩埚本体的侧壁上设置有至少一个贯穿所述石墨坩埚本体壁厚的第一通孔，在每个所述第一通孔中插入一个石墨环，在所述石墨环的中心再开有贯穿的第二通孔直拉单晶炉内的硅料在加热时产生的气体可以从第二通孔里跑出来，这样，就可以避免一氧化硅对石墨坩埚各瓣接缝处的侵蚀，而使接缝处变形，在石墨环因为长期有气体从中穿过而变形后，只需要将石墨环敲掉，重新换一个即可
直拉单晶炉石墨坩埚

[发明专利]直拉硅单晶炉装置及硅单晶拉制方法-CN201010166018.0有效
发明人：周俭 -专利权人：内蒙古晟纳吉光伏材料有限公司;周俭
申请日： 2010-05-07 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高单晶硅纯度的直拉单晶硅炉装置以及单晶硅拉制方法，该单晶炉装置的特征在于，在炉腔(16)中硅熔体(14)的上方设置一个两端开口长筒形的罩体(5)，所述罩体(5)的上端设置于炉腔的上部，在单晶硅拉制过程中，将惰性气体从副室(1)流向罩体(5)，再沿着罩体(5)从其下端流出，最终经排气口(12)排出。利用带有罩体的单晶炉装置以及拉制方法所得的单晶硅的纯度比现有技术的方法所得单晶的纯度提高了10倍以上，并且单晶硅棒各部分的纯度偏差也较小。
直拉硅单晶炉装置硅单晶拉制方法

[实用新型]一种加速热场冷却的提升装置及单晶炉-CN201921548329.6有效
发明人：罗才军;关树军;罗园;李豹;刘要普 -专利权人：乌海市京运通新材料科技有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种加速热场冷却的提升装置及单晶炉。提升装置包括设在单晶炉内部的支撑结构(1)和提升托盘(2)，支撑结构(1)设在炉底(3)上方，提升托盘(2)设在支撑结构(1)上方；提升托盘(2)、支撑结构(1)、炉底(3)和单晶炉的中轴(4)处在同一条轴线上；坩埚托杆(5)依次穿过提升托盘(2)、支撑结构(1)和炉底(3)与中轴(4)连接，中轴(4)的直径大于第二通孔(11)的直径且小于或等于第三通孔(31)的直径并顶升支撑结构(1)；在提升托盘(2)上方设有下保温筒本实用新型能够提升单晶炉停炉后的降温速度、缩短耗时、提高产量。
一种加速冷却提升装置单晶炉

[实用新型]一种适用于通过铸锭方法生产单晶硅锭的铸锭炉-CN201220282936.4有效
发明人：甘大源;陈文杰;刘坤 -专利权人：甘大源
申请日： 2012-06-15 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于通过铸锭方法生产单晶硅锭的铸锭炉，包括炉体、所述炉体内的硅熔融锅，所述炉体上方设置旋转丝杆伸入所述硅熔融锅内，所述旋转丝杆底部安装仔晶，所述旋转丝杆上设置距离传感装置，传感所述旋转丝杆底部到所述硅熔融锅内熔融硅液面的距离本实用新型的优点是在铸锭炉内生产出单晶硅锭和类单晶硅锭，仅需要一块仔晶，无需在铸锭炉底部铺设仔晶，制得的产品主要为单晶硅锭，只有边缘为类单晶硅锭，制作成电池片的转换效率较高，综合成本低于通过直拉法制作的单晶硅锭和通过铸锭的方式生产的多晶硅锭
一种适用于通过铸锭方法生产单晶硅

[发明专利]一种直拉单晶炉及其纵向温度梯度的测定控制方法-CN201910694931.9在审
发明人：刘冬雯 -专利权人：刘冬雯
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉单晶炉及其纵向温度梯度的测定控制方法，属于单晶硅生产领域，直拉单晶炉包括坩埚和加热器，加热器的外围设有保温层，坩埚包括用于承装熔体的石英坩埚和套设在石英坩埚外的外围支撑坩埚；加热器包括包围在坩埚周围的主加热器和设置在坩埚的底部的辅加热器通过检测和控制石英坩埚内熔体的温度分布达到对拉晶过程的科学精准的控制，拉晶过程中控制坩埚底熔体温度尽可能低，以获得更低氧含量单晶，控制坩埚中熔体的最高温度尽可能低，以获得更低缺陷密度的单晶，不仅使拉速更快，拉晶成本更低，而且单晶的品质也得到大幅提升。
坩埚加热器直拉单晶炉石英坩埚保温层单晶熔体纵向温度梯度拉晶外围红外测温仪检测和控制单晶硅测温探头辅加热器温度分布主加热器低缺陷内熔体热电偶测温低氧对拉拉速包围支撑

[实用新型]一种直拉法生长硅单晶的热场装置-CN202221166411.4有效
发明人：王琳;郝小平;叶慧慧;樊世飞 -专利权人：新疆贤安新材料有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型属于单晶硅生产设备技术领域，公开了一种直拉法生长硅单晶的热场装置，包括炉盖和炉体，所述炉盖的外端固定连接有支架，所述炉体的后部转动安装在支架的后部，所述炉体的前部固定连接有支撑轮，所述炉盖和炉体之间固定连接有锁扣，所述支架的下部固定连接有限位弹扣，所述限位弹扣与炉体活动扣接匹配，所述炉体包括炉壳和转套，所述转套与炉壳固定连接，所述炉体还包括把手，所述把手固定连接在炉壳的上部外端，所述炉体还包括支撑座，所述支撑座活动支撑在炉壳的下端本实用新型将锁扣打开，再将炉体向侧部转开，使得炉盖离开炉体的上部，同理反向操作将炉体恢复，方便了打开炉体或闭合炉体的空间，从而方便了检修炉体。
一种直拉法生长硅单晶装置

[实用新型]CZ直拉法单晶炉软轴压线装置-CN201220282000.1有效
发明人：马四海;张笑天;丁磊;马先松;马青;徐大国 -专利权人：马鞍山明鑫光能科技有限公司
申请日： 2012-06-14 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种CZ直拉法单晶炉软轴压线装置，包括有基座，基座上转动安装有转轴，转轴上安装有活动臂，转轴的两端分别安装有卡簧，位于活动臂与基座之间的转轴上安装有轴用弹簧；活动臂上设有轴孔，轴孔内安装有轴承本实用新型在提高单晶炉晶转方面具有比较优异的效果，一般能够维持12~15转的晶转，晶体晃动系数<2mm，相比一般的压线装置一般仅能够达到8~10转的晶转，晃动系数<2mm，能最大的发挥单晶炉的旋转极限，更适应目前的高晶转工艺拉制单晶产品。
cz 直拉法单晶炉软轴压线装