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[发明专利]直拉法生长单晶硅用籽晶的制备方法、籽晶和生长方法-CN202310962205.7有效
发明人：李林东;陈伟;许堃;李安君;陈志军 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明属于单晶硅生产技术领域，具体涉及直拉法生长单晶硅用籽晶的制备方法、籽晶和生长方法。籽晶的制备方法包括使籽晶母棒进行画线处理，得到画线的籽晶母棒，所述籽晶母棒为等径断线的单晶棒，所述籽晶母棒的等径断线端具有位错，在所述位错的边界位置进行所述画线处理，使所述画线的籽晶母棒进行截断处理和掏磨处理，得到直拉法生长单晶硅用的籽晶，所述掏磨处理包括：在所述画线的位置掏磨标记；所述籽晶的一端具有位错部，所述位错部具有所述位错，基于所述籽晶的长度，所述位错部的长度占比为5%~10%。用本发明的制备方法制备籽晶，能够增加生长单晶硅时的产率，同时由于采用等径断线的单晶棒作为籽晶母棒，能够节约用料成本。
直拉法生长单晶硅籽晶制备方法

[发明专利]一种碳化硅籽晶的粘接方法及应用-CN202310943228.3在审
发明人：黄秀松;史悦;余剑云;郭超;母凤文 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅籽晶的粘接方法及应用，所述粘接方法包括如下步骤：采用胶水将碳化硅籽晶粘接在石墨托上，然后进行碳化，得到包括C粘接层的石墨托；其中，所述胶水中包括含硅粉末；将所述包括C粘接层的石墨托依次进行升温和保温，然后经过冷却后，完成碳化硅籽晶的粘接；所述粘接方法利用Si元素易蒸发、SiC在过饱和状态下析出以及SiC晶体升华量小的特点，大幅加强了碳化硅籽晶的粘接强度，有效防止了溶液法生长大尺寸SiC晶体，且在使用加减速旋转条件时，SiC籽晶和晶体掉落的情况。
一种碳化硅籽晶方法应用

[发明专利]一种制造磷掺杂单晶硅棒的籽晶、装置及方法-CN202310601721.7在审
发明人：杨文武;梁万亮 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种制造磷掺杂单晶硅棒的籽晶、装置及方法；所述籽晶包括：上端部，所述上端部与籽晶重锤相配合连接；中端部；末端部，所述末端部的内部设置有存储腔室，所述存储腔室用于盛放掺杂剂；其中，所述上端部、所述中端部以及所述末端部同轴地设置。
一种制造掺杂单晶硅籽晶装置方法

[发明专利]重掺磷杂质管道的改善方法-CN202310463411.3在审
发明人：蔡瑞;芮阳;王忠保;闫龙;徐慶晧;王黎光;曹启刚 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：一种重掺磷杂质管道的改善方法，在111晶向的晶棒拉制时，使用籽晶偏转角为2°的偏晶向籽晶进行拉晶，将凸状和凹状的生长界面控制为水平状，以降低杂质管道的生成，提高硅片的合格率。
重掺磷杂质管道改善方法

[发明专利]一种激光加热基座法生长Al2-CN202310124557.5在审
发明人：戴云;武安华;张博;寇华敏;张振;苏良碧;张中晗 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光加热基座法生长Al2O3‑YAG共晶光纤的方法，包括：(1)将Al2O3晶体和YAG晶体分别切割成长条状Al2O3和长条状YAG后合并成一体作为源棒，固定于激光加热基座馈送装置；(2)将Al2O3籽晶或YAG籽晶固定于激光加热基座提拉装置；(3)利用激光加热基座法进行Al2O3‑YAG共晶光纤的生长。
一种激光加热基座生长 al base sub

[发明专利]一种具有掺杂离子连续梯度分布的单晶光纤的生长方法-CN202310124558.X在审
发明人：戴云;武安华;张博;寇华敏;张振;苏良碧;张中晗 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有掺杂离子连续梯度分布的单晶光纤的生长方法，包括：将至少两种具有不同掺杂离子浓度的同质晶体或者陶瓷和无掺杂离子的同质晶体或者陶瓷切割成方棒；选择无掺杂离子的方棒为第一籽晶，选择掺杂第一离子浓度的方棒为第一源棒，利用激光加热基座法进行单晶光纤的一次正向生长；当掺杂第一离子浓度的单晶光纤生长至所需长度后，添加掺杂第二离子浓度的方棒作为源棒进行熔接继续单晶光纤的一次正向生长，重复N次直至每种掺杂离子的单晶光纤生长至所需长度；将所得熔接好的具有不同掺杂离子浓度的单晶光纤依次进行一次逆向生长、二次正向生长和二次逆向生长，得到具有掺杂离子连续梯度分布的单晶光纤。
一种具有掺杂离子连续梯度分布光纤生长方法

[发明专利]用于晶体硅铸锭的籽晶层结构与晶体硅锭的制备方法-CN201911253665.2有效
发明人：王全志;陈伟;李林东;唐珊珊;陈志军 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本申请提供了一种用于晶体硅铸锭的籽晶层结构与晶体硅锭的制备方法，所述籽晶层结构包括第一籽晶层、设置在所述第一籽晶层外侧的第二籽晶层，所述第一籽晶层包括若干紧密排布的方块籽晶，所述第二籽晶层包括若干贴近所述方块籽晶设置的条状籽晶。本申请通过在第一籽晶层的外周设置第二籽晶层，所述条状籽晶与方块籽晶的接缝在后续长晶过程中所生成的晶界能够阻挡自坩埚侧壁成核生长的多晶朝中间区域延伸生长，提高所述第一籽晶层所对应区域的单晶占比与硅锭质量，且该籽晶层结构设计简洁，易于实施。
用于晶体铸锭籽晶结构制备方法

[发明专利]用于铸造单晶硅的籽晶铺设方法、单晶硅锭及其铸造方法-CN202010354039.9有效
发明人：雷琦;何亮;李建敏;程小娟;邹贵付;甘胜泉;陈仙辉 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司;赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种铸造单晶硅的籽晶铺设方法，包括：提供坩埚，在所述坩埚底部间隔铺设上下表面平整的垫片，形成垫片层；在所述垫片层上铺设至少一个支撑片，以形成覆盖所述垫片及其之间空隙的支撑片层；依次交替设置所述垫片层和支撑片层，以形成(AB)n排布形式的架空结构，其中，A为垫片层，B为支撑片层，n为大于或等于1的整数；在所述架空结构上铺设单晶硅籽晶，形成籽晶层。通过在籽晶层上设置价格便宜的架空结构，可以减少所用籽晶的数量、降低单晶硅的铸造成本，并降低所得单晶硅锭的尾部红区。本发明还提供了一种单晶硅锭及其铸造方法。
用于铸造单晶硅籽晶铺设方法及其

[实用新型]一种籽晶-CN202221807894.1有效
发明人：王新强;秦现东;周涛;刘凯 -专利权人：双良硅材料(包头)有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种籽晶，其包括：籽晶头和小径段，所述籽晶头的直径大于所述小径段的直径；连接锥面，所述连接锥面用于连接所述籽晶头和所述小径段，且所述连接锥面与所述籽晶头圆滑连接，所述连接锥面与所述小径段圆滑连接。通过将籽晶头与小径段采用连接锥面圆滑连接，可有效减少尖角的出现，降低了连接锥面分别与籽晶头和小径段连接时的残余机械加工应力的问题，从而使得该籽晶不易产生隐裂，降低了籽晶断裂的风险，提高了籽晶的使用安全性。
一种籽晶

[发明专利]籽晶及拉晶方法、装置-CN202210769732.1在审
发明人：杨文武 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种籽晶及拉晶方法、装置，属于半导体技术领域。籽晶，包括：柱状的籽晶本体，所述籽晶本体中掺杂有氢，所述籽晶本体包括第一端部和第二端部；其中，所述第一端部设置有用于与籽晶夹头固定的凸缘结构；所述第二端部为锥形，在远离所述第一端部的方向上，所述第二端部的直径逐渐减小。本发明能够实现生成大直径、大重量的晶棒。
籽晶方法装置

[发明专利]一种用直拉法生长单晶硅的籽晶结构及引晶工艺方法-CN202210776771.4在审
发明人：李涛勇;许堃;吴超慧;邓华 -专利权人：宇泽半导体（云南）有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅制备技术领域，具体涉及一种用直拉法生长单晶硅的籽晶结构及引晶工艺方法，包括步骤：1)烤晶，将截面形状已改变的籽晶以一定速度降低高度，接近融硅表面，使籽晶端部的温度接近融硅的温度；2)熔接：下降籽晶，接触融硅，形成良好的固液界面；3)引晶，在上述回熔的基础上以一定速度向上提拉生长籽晶达一定长度；4)放肩，在上述引晶的基础上降低拉速，使晶体径向扩展至所需形状和尺寸。本发明能够有效消除单晶硅制备过程中的籽晶中位错缺陷的情况，大幅度增强籽晶所能承受的单晶硅重量极限，从而达到拉制更大重量的无位错单晶硅的目的。
一种用直拉法生长单晶硅籽晶结构工艺方法

[发明专利]一种籽晶的铺设方法、单晶硅锭的铸造方法和单晶硅片-CN202010027396.4有效
发明人：雷琦;何亮;邹贵付;程小娟;陈仙辉;甘胜泉 -专利权人：新余赛维铸晶技术有限公司;江西新余新材料科技研究院
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本申请提供了一种籽晶的铺设方法，包括：提供坩埚、多个第一籽晶和多个第二籽晶，所述第一籽晶和所述第二籽晶的生长面为同一晶向族，均为100；在所述坩埚底部交替拼接铺设所述第一籽晶和所述第二籽晶，形成籽晶层，其中，所述籽晶层包括至少一个2×2矩阵单元，在同一矩阵单元的对角线方向上的两个第一籽晶的生长面晶向相反，在同一矩阵单元的对角线方向上的两个第二籽晶的生长面的晶向相反，所述第一籽晶和所述第二籽晶的侧面晶向具有夹角。通过本申请提供的籽晶铺设方法，使得籽晶与其周围籽晶之间侧面晶向均存在夹角，在制备单晶硅过程中可以形成晶界，减少缺陷的发生和引晶时的位错源，降低位错密度，提高硅锭的质量。
一种籽晶铺设方法单晶硅铸造

[发明专利]碳化硅单晶的制造方法-CN202210348418.6在审
发明人：熊谷和人;梅崎智典 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：在基于TSSG法的4H‑SiC单晶的培育中，无论有无掺杂均得到防止异种多型的混入、且具有良好形态学的4H‑SiC单晶。本发明人等在TSSG法的SiC单晶制造法中对离角给培育晶体产生的影响进行了深入研究，结果发现：使离角为60～68°的情况下，在进行4H‑SiC单晶培育时不易混入异种多型，此时，通过利用回熔法进行晶种表面的平滑化后进行晶体培育，从而可以得到具有良好形态学的培育晶体。
碳化硅制造方法

[发明专利]一种大尺寸X轴KTP晶体及其生长方法-CN202011244405.1有效
发明人：谭云东;张婷婷;杜曰强;方治文 -专利权人：山东重山光电材料股份有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明涉及非线性晶体材料技术领域，具体涉及一种大尺寸X轴KTP晶体及其生长方法，所述大尺寸X轴KTP晶体采用如下生长方法制得，以X面作为籽晶生长面，将籽晶浸入熔液中下种籽晶并生长，所述籽晶的X面、Y面和Z面相互垂直，且浸入熔液的X面与Z面相交的两条边为倒角边。本发明方法对籽晶形状和浸入熔剂的方向进行了创造性选择，能够提升X轴的生长速度，使获得的KTP晶体具备良好的光学均匀性、大的尺寸和更高的利用率。
一种尺寸 ktp 晶体及其生长方法

[发明专利]一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法-CN202010400032.6有效
发明人：孙德辉;陈玉客;王东周;王孚雷;刘齐鲁;桑元华;刘宏 -专利权人：济南大学;济南量子技术研究院;山东大学
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法，本发明利用带有超晶格畴结构的掺镁同成分铌酸锂晶体或者掺镁近化学计量比铌酸锂晶体作为籽晶，将籽晶沿着Z向为提拉方向固定，通过温场设计和功率控制，逐渐提拉出截面尺寸接近籽晶XY截面尺寸、Z向高度和籽晶提拉高度相同的带有超晶格畴结构的近化学计量比铌酸锂单晶，该种制备方式相较于传统的制备方式，不仅更加简单，同时，制备的局限性小，可使用的范围也更加大。
一种生长晶格铌酸锂晶体方法

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