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[发明专利]一种单晶棒自动拆卸的单晶炉及其拆卸方法-CN202110299269.4有效
发明人：陈文 -专利权人：昆明汇泉高纯半导材料有限公司
申请日： 2021-03-21 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开的一种单晶棒自动拆卸的单晶炉及其拆卸方法，包括单晶炉底座，所述单晶炉底座上设有单晶炉主体，所述单晶炉主体用于生产单晶棒，所述单晶炉底座左侧设有机架，所述机架前侧端面上设有单晶棒拆卸机构，所述单晶棒拆卸机构用于提供拆卸单晶棒所需的横移运动以及储存单晶棒所需的旋转运动，所述单晶棒拆卸机构上设有单晶棒夹持机构，所述机架上设有位于所述单晶棒夹持机构下侧的单晶棒储存机构，所述单晶棒储存机构用于储存单晶棒，本发明能实现自动化拆卸单晶棒，有效避免人员在拆卸转运过程中被烫伤，且无需在转运单晶棒时二次装夹单晶棒，减少工序并降低单晶棒拆卸转运过程中受损概率。
一种单晶棒自动拆卸单晶炉及其方法

[发明专利]单晶炉加料方法及单晶炉加料系统-CN202110660680.X在审
发明人：刘杰;黄剑雄 -专利权人：无锡松瓷机电有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶炉加料方法及单晶炉加料系统。单晶炉加料方法包括：确定下一台待加料的单晶炉；将单晶炉加料机驱动至待加料的单晶炉位置处；将单晶炉加料机的出料口与待加料的单晶炉的进料口密封对接；控制单晶炉加料机向待加料的单晶炉加料；在向待加料的单晶炉加料完毕后，继续执行确定下一台待加料的单晶炉的步骤。单晶炉加料系统包括控制模块、单晶炉加料机和至少一台单晶炉，控制模块通过有线网络或无线网络分别与单晶炉加料机和至少一台单晶炉通信连接，控制模块用于执行单晶炉加料方法。单晶炉加料方法通过一台单晶炉加料机对应多台单晶炉进行加料，可降低成本，提高单晶炉加料机的生产效率。
单晶炉加料方法系统

[发明专利]铸造单晶的籽晶铺设方法、铸造单晶硅锭及其制备方法-CN202010615807.1有效
发明人：陈红荣;胡动力;孙庚昕;宋亚飞;张华利 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种铸造单晶的籽晶铺设方法、铸造单晶硅锭及其制备方法。铸造单晶的籽晶铺设方法，包括如下步骤：在坩埚的底部铺设若干个相互拼接的单晶籽晶，形成单晶籽晶层；单晶籽晶层包括至少一个单晶籽晶单元，单晶籽晶单元包括长方形单晶籽晶和至少两个正方形单晶籽晶，至少两个正方形单晶籽晶沿长方形单晶籽晶的长度方向排列且与长方形单晶籽晶拼接；长方形单晶籽晶的长度是正方形单晶籽晶的长度的n倍，n为整数且大于1；相邻单晶籽晶之间相互接触的侧面晶向均不相同。上述籽晶铺设方法，采用长方形单晶籽晶与正方形单晶籽晶相互拼接的方式，能够在形成晶界的同时，减少了单晶籽晶之间的拼接缝隙，减少铸造单晶的位错，使得缺陷较少。
铸造籽晶铺设方法单晶硅及其制备

[发明专利]铸造单晶硅锭及其制备方法-CN202010615816.0在审
发明人：陈红荣;胡动力;张华利;宋亚飞 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种铸造单晶硅锭及其制备方法。铸造单晶硅锭的制备方法包括如下步骤：在坩埚的底部铺设单晶籽晶，形成单晶籽晶层；在单晶籽晶层的四周铺设至少一根单晶条，单晶条与相邻的单晶籽晶相互拼接，其中，单晶条的缺陷比值大于相邻单晶籽晶的缺陷比值；在单晶籽晶层与至少一根单晶条上装硅料，加热使硅料完全熔化、单晶籽晶层部分熔化，长晶之后得到铸造单晶硅锭。上述铸造单晶硅锭的制备方法，在单晶的生长过程中，单晶条内的缺陷处易吸附杂质，从而降低边角硅块的杂质含量和边角硅块缺陷的产生几率。缺陷比值较大的区域可释放硅锭边部的生长应力，减少了缺陷的产生和增值。此外，本发明还涉及一种由上述制备方法制备得到的铸造单晶硅锭。
铸造单晶硅及其制备方法

[实用新型]一种稳定单晶硅棒的装置-CN202222801438.2有效
发明人：李鑫;许堃;李安君;朱厚军;高贻刚 -专利权人：宇泽半导体（云南）有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种稳定单晶硅棒的装置，属于单晶硅棒取棒辅助装置技术领域。所述的稳定单晶硅棒的装置包括单晶棒防晃动支撑架、支撑软毡、单晶棒下落支撑装置；所述的单晶棒防晃动支撑架设置在单晶炉副室下口处，支撑软毡环绕设置在单晶炉副室下口内壁上，支撑软毡的厚度适应单晶棒和单晶炉副室下口内壁之间的距离，单晶棒下落支撑装置设置在单晶炉副室下口下侧，并通过单晶棒防晃动支撑架支撑安装。本实用新型通过在单晶炉副室下口内部增加单晶棒防晃动装置，解决了取棒时晶棒不稳晃动碰到炉壁的现状，使得单晶棒在副室旋转时，副室内单晶棒不会发生晃动，防止了单晶棒和副室内壁发生磕碰，降低了单晶棒掉棒等重大异常事故的发生
一种稳定单晶硅装置

[实用新型]一种直拉法单晶炉取单晶保护装置-CN201821875455.8有效
发明人：李鹏飞 -专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种直拉法单晶炉取单晶保护装置，单晶炉取单晶保护装置设于单晶炉的副炉室上，包括单晶棒承托部、连接杆部和驱动旋转部，连接杆部的一端通过驱动旋转部与副炉室连接，连接杆部的另一端与单晶棒承托部连接，驱动旋转部可驱动连接杆部旋转将单晶棒承托部旋转至副炉室的底部出口的下方。该取单晶保护装置可在单晶炉的副炉室旋转取出单晶棒时对单晶棒产生一定的承托力，防止取单晶过程中单晶棒坠落，且结构稳定，操作简便、安全。
单晶棒单晶炉单晶保护副炉室连接杆部驱动旋转承托部直拉法本实用新型驱动连接杆底部出口结构稳定承托力单晶坠落取出安全

[发明专利]单晶硅片的制备方法和应用-CN201910159650.3有效
发明人：孟祥熙;曹育红;陈涛;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅片的制备方法，其能将单晶硅棒切割出条状直角单晶硅片和单晶硅准方片，或将单晶硅棒切割出条状直角单晶硅片和单晶硅方片，可提高单晶硅棒的利用率。
单晶硅制备方法应用

[发明专利]层积基板及其制造方法和金刚石膜及其制造方法-CN200910253987.7无效
发明人：野口仁 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2009-12-11 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明以低成本提供：金刚石和单晶基板不会破损，且具有面积大、结晶性高的单晶金刚石膜作为连续膜的层积基板及其制造方法。该层积基板是至少具有单晶基板和在该单晶基板上化学气相沉积的金刚石膜的层积基板，其特征在于，上述单晶基板是Ir单晶或Rh单晶。该层积基板的制造方法的特征在于，至少具有在单晶基板上化学气相沉积金刚石膜的工序，并且上述单晶基板使用Ir单晶或Rh单晶。
层积及其制造方法金刚石

[发明专利]单晶炉及单晶硅的制备方法-CN202211420346.8在审
发明人：许建枫;祝林飞;郝振庆;曹林;曹刚 -专利权人：浙江昱力机电科技有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了单晶炉及单晶硅的制备方法，单晶炉，包括单晶炉磁场装置、顶推控制杆，所述单晶炉磁场装置通过顶推控制杆进行升降控制，且单晶炉磁场装置通过设置的微调辅助机构进行位置微调；本发明设计单晶炉及相应的单晶硅制备方法，对于单晶炉磁场装置通过设置的承载环、微调辅助机构和锁定机构之间的配合使用，对于单晶炉磁场装置能够进行微调工作，进行微调修正，避免造成位置调控产生偏差，给单晶炉的使用提供便捷，提升单晶硅加工的工作质量，
单晶炉单晶硅制备方法

[发明专利]将从单晶锭切割的单晶段再循环的方法-CN201680067118.3在审
发明人： S·L·金贝尔 -专利权人：各星有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：提供了将从半导体或太阳能级材料的单晶锭切割的单晶段再循环的方法。该方法包括从单晶锭移除第一单晶段，将第一单晶段与第二单晶段连接以形成单晶段链，并将单晶段链引入半导体或太阳能级材料的熔体中。
单晶单晶锭太阳能级再循环段链半导体切割段连接熔体移除引入

[发明专利]具有隔离层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器-CN201910187181.6有效
发明人：吴传贵;罗文博;帅垚 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明涉及单晶薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种具有隔离层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器；制备方法包括在单晶晶圆下表面注入高能量离子，使得单晶晶圆内部形成损伤层，损伤层将单晶晶圆分隔成压电层和单晶薄膜层；在单晶薄膜层的表面制备隔离层；在隔离层表面旋涂键合层；将键合层与衬底叠放，进行退火处理，冷却，得到具有隔离层的单晶薄膜；通过具有隔离层的单晶薄膜的制备方法制备得到的单晶薄膜，单晶薄膜表面无气泡，无裂纹，无隆起结构，单晶薄膜性能显著提高。
具有隔离薄膜制备方法谐振器

[发明专利]单晶硅片的制备方法和应用-CN202080010693.6有效
发明人：孟祥熙;曹育红;陈涛;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：一种单晶硅片的制备方法，其能将单晶硅棒切割出条状直角单晶硅片和单晶硅准方片，或将单晶硅棒切割出条状直角单晶硅片和单晶硅方片，可提高单晶硅棒的利用率。以及一种太阳能电池组件，其采用该制备方法制得的条状直角单晶硅片。
单晶硅制备方法应用

[发明专利]晶种的铺设方法及类单晶晶锭的制作方法-CN201710324758.4在审
发明人：蓝崇文;翁敬闳;杨承叡;张元啸;杨瑜民;余文怀;施英汝;许松林 -专利权人：中美矽晶制品股份有限公司;蓝崇文
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：上述拼接晶种层包括单晶块及单晶挡片，单晶块经配置位于长晶容器的底部且彼此不接触，单晶挡片分别夹设于相邻单晶块之间的间隙并分别与相邻单晶块接触，且单晶挡片的宽度小于单晶块的宽度。单晶块的晶向相同且朝向同一方向，单晶挡片的主要晶向与单晶块的主要晶向相同，且各单晶挡片的次要晶向与单晶块的次要晶向分别具有不为0度的夹角。本发明提供一种类单晶晶锭制作方法，包括形成熔汤于拼接晶种层上，以及冷却熔汤以使晶粒由拼接晶种层上成长以形成类单晶晶锭。
铺设方法类单晶晶锭制作方法

[发明专利]一种直拉法硅单晶新型扩肩方法-CN202111152823.2在审
发明人：景吉祥;李雪峰;高润飞 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提供一种直拉法硅单晶新型扩肩方法，包括：实时检测单晶长度和单晶直径，计算所述单晶实际斜率；将所述单晶实际斜率与所述单晶最优斜率范围进行对比，若所述单晶实际斜率在所述单晶最优斜率范围内，则所述单晶的实际拉速为设定拉速；若所述单晶实际斜率不在所述单晶最优斜率范围内，则所述单晶的实际拉速发生变化，为拉速系数z×所述设定拉速，直至所述单晶扩肩完成。本发明的有益效果是在现有逻辑基础上增加扩肩斜率判断，将设定斜率与实时斜率进行范围的比对，能够快速准确的显示出炉内单晶扩肩的真实情况，并且根据实际情况进行拉速的调整，提高整体单晶的成活率，解决目前进行扩肩工艺时存在滞后性，导致单晶扩肩成活率低的问题。
一种直拉法硅单晶新型方法

[发明专利]铸造单晶硅锭及其制备方法、铸造单晶硅片及其制备方法-CN202010758499.8有效
发明人：周声浪;张华利;胡动力;原帅;游达;周洁 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种铸造单晶硅锭及其制备方法、铸造单晶硅片及其制备方法。铸造单晶硅锭的制备方法包括如下步骤：在容器的底部铺设回收单晶籽晶，形成单晶籽晶层；回收单晶籽晶自远离容器底部向靠近容器底部的方向为第一方向，第一方向与回收单晶籽晶的原晶体生长方向相同；在单晶籽晶层上装硅料，加热使硅料完全熔化、单晶籽晶层部分熔化，长晶之后得到铸造单晶硅锭。上述铸造单晶硅锭的制备方法，在长晶过程中改变了回收单晶籽晶中缺陷的生长方向，利用回收单晶籽晶中已有缺陷引导后续缺陷向与之前相反的方向扩展，实现了使用回收单晶籽晶生长的铸锭单晶硅锭的缺陷不再继续沿原方向扩展增殖，反而逐渐收窄甚至消失，提高了铸造单晶硅锭的良率。
铸造单晶硅及其制备方法

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