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[实用新型]用于单晶炉的快捷化料机构-CN201721533543.5有效
发明人：傅林坚;曹建伟;沈文杰;李林;胡建荣;倪军夫;叶钢飞;沈兴潮;王小飞 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及直拉硅单晶炉生长设备的辅助设备，旨在提供一种用于单晶炉的快捷化料机构。该种用于单晶炉的快捷化料机构包括加热电源、提升装置和辅助加热器；提升装置包括电动驱动装置、手动旋钮和提升杆，辅助加热器安装在提升装置的提升杆下端上，并通过连接电缆与炉体外部的加热电源连接，实现对石英坩埚内的多晶料进行辅助熔化本实用新型通过在石英坩埚的上部设置一个辅助加热器，来有效减少晶体生长过程中的化料时间，从而大幅减少整个单晶生长周期，达到增产降本的目的。 1
辅助加热器化料机构提升装置单晶炉本实用新型加热电源石英坩埚提升杆熔化电动驱动装置晶体生长过程直拉硅单晶炉单晶生长辅助设备连接电缆炉体外部生长设备手动旋钮有效减少多晶料化料下端增产

[实用新型]一种新型双副室单晶炉-CN202020037070.5有效
发明人：卢阳华;马向东 -专利权人：深圳晶鑫智造科技有限公司
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种新型双副室单晶炉，包括一机架、设置在机架上的一主炉室、一第一驱动机构与一第二驱动机构、以及与第一驱动机构、第二驱动机构输出端对应连接的第一副炉室与第二副炉室。本实用新型的是设计一种全新的双副室单晶炉，一个上部配置高精度提拉头的副室用于拉硅单晶棒，另一个上部配置低成本提升机的副室用于二次加料；从而节约停炉等待时间，大幅提高单炉的产出量和单晶炉主炉室的使用效率，减少电能和Ar气消耗，降低单晶硅生产成本。
一种新型双副室单晶炉

[发明专利]直拉法生产单晶硅用连续加料方法及单晶炉-CN202310200714.6在审
发明人：王中弟 -专利权人：宁夏旭樱新能源科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明公开一种直拉法生产单晶硅用连续加料方法，将硅原料加入输料装置内，并对输料装置和加料装置抽真空；将输料装置和加料装置组装将硅原料加入长晶炉腔中的坩埚内，加料完成后加热使硅原料熔融，将加料管升起退出单晶炉的内腔加料管再次伸入石英坩埚内，输料装置和加料装置向所述长晶炉腔内添加硅原料准备第二次拉制晶棒；抽真空后的输料装置能够使硅原料处于无尘及无氧的状态，极大的提高了硅原料的纯度，加之上述加料方法无需人工加料，缩短了加料时长，缩短拉制单晶的生产周期，提高单晶生产效率的同时降低了能耗。本发明还公开一种直拉法生产单晶硅用连续加料单晶炉。
直拉法生产单晶硅连续加料方法单晶炉

[实用新型]一种直拉单晶炉-CN201921220102.9有效
发明人：刘冬雯 -专利权人：刘冬雯
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直拉单晶炉，属于单晶硅生产领域，直拉单晶炉包括坩埚和加热器，加热器的外围设有保温层，坩埚包括用于承装熔体的石英坩埚和套设在石英坩埚外的外围支撑坩埚；加热器包括包围在坩埚周围的主加热器和设置在坩埚的底部的辅加热器通过间接地检测和控制石英坩埚内熔体的温度分布达到对拉晶过程的科学精准的控制，拉晶过程中控制坩埚底熔体温度尽可能低，以获得更低氧含量单晶，控制坩埚中熔体的最高温度尽可能低，以获得更低缺陷密度的单晶，不仅使拉速更快，拉晶成本更低，而且单晶的品质也得到大幅提升。
一种直拉单晶炉

[发明专利]一种提高单晶有效工时利用率的退料处理方法-CN202111653915.9在审
发明人：杨瑞峰;刘学;高磊;王林;樊国庆;武皓洋 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种提高单晶有效工时利用率的退料处理方法，包括：见埚底单晶等径断苞，向单晶炉内通入氩气，进行原材料预处理；所述原材料预处理的同时控制主加热器功率下降，底加热器功率先上升后下降，进行所述原材料的冷却；拆清所述单晶炉，将热场件进行清洁，并同时取出所述单晶炉内的所述原材料，退料完成。本发明的有益效果是采用停炉工艺来改变传统单晶硅断苞拉料工艺，停炉工艺包括原料预处理及原料冷却工艺流程，整个流程的时间一般为12‑18h，而现有技术中总体时间大概为30‑40h，拉料工艺不仅关系到生产过程的稳定性
一种提高有效工时利用率处理方法

[发明专利]用于直拉硅单晶炉热场拆清辅助机-CN202011395051.0有效
发明人：宋克冉;杨西虎;孙须良 -专利权人：曲靖晶龙电子材料有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B23P19/04 文献下载
摘要：本发明提供用于直拉硅单晶炉热场拆清辅助机，该辅助机包括支撑架、第一驱动组件、支撑立柱、夹取组件和托盘组件，若干支撑立柱固定安装于支撑架上，在第一驱动组件的驱动力下，可伸缩的支撑立柱在竖直方向上进行升降运动；夹取组件可旋转固定于支撑立柱上，若干托盘组件可旋转安装于支撑立柱上；夹取组件将单晶炉内的器件夹取并放置于托盘组件上；该辅助机用于将处于高温状态时的单晶炉进行拆卸，节省了冷却需要的时间，且避免造成人员烫伤的问题出现；可旋转的夹取组件与托盘组件在进行拆卸单晶炉的过程中，占地面积较小，降低了对周围环境造成的污染程度，保证了车间的清洁度，提高单晶炉的拆卸效率，降低车间安全风险隐患。
用于直拉硅单晶炉热场拆清辅助

[实用新型]一种可实时检测温度的单晶炉底座-CN202021359355.7有效
发明人：倪建刚 -专利权人：浙江浩祥精密机械制造有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可实时检测温度的单晶炉底座，包括箱体、调节杆、外调节轮和坩埚安装板，所述箱体的下端固定有水泥底座，所述箱体的左侧安装有气管，所述箱体内侧下端固定有安装环的上端安装有外调节轮，所述内调节轮的内侧设置有调节杆，所述调节杆的上端安装有安装块，所述安装块的内侧设置有第一电机箱，且第一电机箱的上端安装有安装杆，所述安装杆的上端固定有支撑杆，所述炉底板的外侧安装有密封环，且炉底板的内侧安装有隔热板。该可实时检测温度的单晶炉底座，能够实时检测单晶体生产过程中的温度，实时把握炉内温度，减少单晶体生产过程的发生的错误，且能够调节坩埚所在高度，便于直拉法生产中，调控单晶体生长。
一种实时检测温度单晶炉底座

[发明专利]单晶炉热交换设备及其应用方法-CN202210462840.4在审
发明人：陈养俊 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种单晶炉热交换设备及其应用方法，涉及单晶炉冷却技术领域，包括：冷却水管、冷却气管、箱体和水箱，水箱用于与循环水排连通；冷却水管包括至少一个U型水管，用于循环水流通，U型水管的进水端与水箱连通，出水端与循环水排连通；在第一状态下，至少部分U型水管位于箱体外部用于插入与热交换设备连接的单晶炉的进料口中；在第二状态下，U型水管位于箱体中；冷却气管中的进气管用于插入单晶炉的第一预留口，出气管用于连接与单晶炉的主路管道采用水冷和气冷相结合的方式对单晶炉的腔体进行冷却，有效降低了单晶炉的停炉冷却时间，有利于提高单晶炉的单位时间产能。
单晶炉热交换设备及其应用方法

[实用新型]一种直拉单晶炉热场系统用的下反射板-CN201921618594.7有效
发明人：宋生宏;罗乾;陈立民;高俊伟;陈健 -专利权人：阳光能源（青海）有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶炉技术领域，且公开了一种直拉单晶炉热场系统用的下反射板，包括底板，所述底板的顶部固定安装有围板，所述底板的顶部固定安装有贯穿底板的托杆座，所述托杆座的顶部与底部均嵌设有花键轴承，所述托杆座的内部填充有位于花键轴承相对一侧的第一填料该直拉单晶炉热场系统用的下反射板，可在安装时对电极高度进行微调，提高精度、生产加工环境等因素的影响下存在误差的电极适配性，使其完好的与坩埚进行组合，提高热传导率，与加热效率，避免热量大量散失。
一种直拉单晶炉热场系统反射

[实用新型]一种高效生产直拉式单晶炉用取晶运晶装置-CN202222282163.6有效
发明人：贡梦涛 -专利权人：常州益群新能源科技有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶炉制备技术领域，且公开了一种高效生产直拉式单晶炉用取晶运晶装置，包括运输架，所述运输架的顶部固定连接有电机箱，所述电机箱的内壁固定连接有电机，所述电机的输出轴通过联轴器固定连接有丝杆，该高效生产直拉式单晶炉用取晶运晶装置，能够将晶棒稳定的固定在运晶架上，并且在运晶时提高稳定性，避免固定不牢导致晶棒在移动时出现晃动产生不稳的情况，进一步提高了取晶运晶装置的使用效果，且满足了使用需求。
一种高效生产直拉式单晶炉用取晶运晶装置

[发明专利]一种降低单晶棒假性高电阻的方法-CN201711056855.6在审
发明人：付家云;夏志科;夏年丰;吴平;赵军;胡瑾;曾霞 -专利权人：四川永祥硅材料有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开一种降低单晶棒假性高电阻的方法，其特征在于，包括以下步骤(1)挑选出假性高电阻单晶棒进行登记信息；(2)用带有酒精的无尘纸将单晶棒表面擦拭干净；(3)将单晶棒放置在石墨底板上，然后送入铸锭炉内，关闭铸锭炉将炉内抽真空至0.008MPa以下；(4)先预热，然后快速加热至600～700℃；(5)炉内温度在660℃下稳定1～2小时后停炉，开启冷却系统冷却至温度为500℃；(6)取出单晶棒对其进行快速冷却至常温；(7)检测单晶棒的电阻率。该方法通过对单晶棒进行回火处理，可以使单晶棒的电阻恢复到正常范围值。
一种降低单晶棒假性电阻方法

[发明专利]一种连续直拉单晶硅的制备方法及其产品-CN202210242601.8在审
发明人：刘海;彭亦奇;周子义 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种连续直拉单晶硅的制备方法及其产品，属于光伏与半导体硅片生产技术领域。本发明通过将坩埚内的硅原料加热熔融，再利用直拉单晶法进行单晶硅的生长；在单晶硅生长过程中，控制加料装置通过下料管向坩埚内持续添加硅原料，并利用高纯氩气辅助吹扫所述硅原料，使得硅原料落入坩埚内；在生长结束后，停止添加硅原料，将生长完成的单晶硅冷却后拆炉取出，得到单晶硅。本发明利用连续直拉法制备单晶硅，在进行单晶硅晶体生长的同时，持续向反应炉腔中添加硅原料，并利用高纯氩气持续吹扫下料管道，促使所述硅原料从下料管道落入反应坩埚内，避免了硅原料在管道中融化堵塞，提升了加料系统的稳定性
一种连续单晶硅制备方法及其产品

[发明专利]区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶的生产方法-CN200610013534.3有效
发明人：沈浩平;高树良;刘为钢;王聚安;昝兴立;高福林;张焕新;宁燕;赵宏波;李颖辉;牛建军 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2006-04-26 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： C30B13/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅单晶的生产方法，特别涉及一种用于生产太阳能电池的区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶的生产方法。该方法包括设置掺杂气体设定值、拉细颈、开掺杂气体、扩肩、充入氮气、转肩、保持、收尾、停炉、停掺杂气体工艺，其特征在于：还包括清炉、装炉、抽空、充气、预热、化料、引晶工艺。采用该方法生产的硅单晶彻底解决了高压电离问题，提高了硅单晶质量的稳定性及可靠性，从而满足了国内外市场对低成本、高效率太阳能电池硅单晶的需求。
区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶生产方法

[发明专利]一种磁控直拉单晶超导磁体系统-CN202010176750.X在审
发明人：程军胜;王秋良;戴银明;王磊;王耀辉;刘辉;孙金水;陈顺中;王晖;孙万硕 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01F6/06 文献下载
摘要：本发明公开一种磁控直拉单晶超导磁体系统，包括：超导线圈、冷屏、真空容器、低温制冷机、磁屏蔽外壳、超导电源等；超导线圈是由两个斜螺管线圈交叉绕制而成的二极磁体线圈，为直拉单晶炉提供外加横向磁场。同时，本发明磁控直拉单晶超导磁体系统具有磁场效率高、体积小、重量轻、能耗低、成本低、无液氦维护操作简单的特点。
一种磁控直拉单晶超导磁体系统

[实用新型]一种降低直拉单晶复投碳含量的装置-CN202222633646.6有效
发明人：孔凯斌;刘伟;韩飞宇;郝小龙;周宏邦;王淼;张强;贾海洋;娄中士;王立刚;王彦君;孙晨光 -专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种降低直拉单晶复投碳含量的装置，可移动式设置在单晶炉内导流筒的内表面，包括内导本体和提升杆，所述内导本体设置在所述内导流筒的内表面，所述提升杆一端与所述内导本体顶部连接，另外一端穿过所述单晶炉的炉盖并设有提升模块本实用新型的有益效果是有效的避免了复投过程多晶原料磕碰内导流筒引入石墨元素导致的单晶碳高问题，提升了单晶品质，提高了石墨内导流筒的使用寿命，有效提高了生产效率，节约了生产成本。
一种降低直拉单晶复投碳含量装置