专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果34365个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]硅单晶棒回收装置及方法、液氮供应装置-CN201510661933.X有效
  • 张汝京;林志鑫;肖德元 - 上海新昇半导体科技有限公司
  • 2015-10-14 - 2018-03-06 - C30B33/02
  • 本发明提供了一种硅单晶棒回收装置及方法、液氮供应装置,其中,所述硅单晶棒回收装置包括用于盛装待回收的硅单晶棒的硅单晶棒容器;用于盖住并密封所述硅单晶棒容器的盖体;穿过所述盖体与所述硅单晶棒容器连通的第一管路;一端与所述硅单晶棒容器的侧壁连通的第二管路;一端与所述硅单晶棒容器的侧壁连通的第三管路;与所述硅单晶棒容器的侧壁连通的第四管路。液氮从第二管路流入硅单晶棒容器后,热去离子水通过第一管路流入硅单晶棒容器对其中的硅单晶棒淬火,淬火完成后的水通过第四管路排出,即可收集无污染的硅单晶碎块。在整个过程中,不会引入其他杂质,实现了无污染且快速的回收硅单晶棒,方便后续使用,降低了成本,提高了效益。
  • 硅单晶棒回收装置方法液氮供应
  • [发明专利]一种高纯碳化硅单晶衬底-CN201811204666.3有效
  • 高超;柏文文;张红岩 - 山东天岳先进材料科技有限公司
  • 2018-10-16 - 2020-08-11 - C30B23/02
  • 本申请公开了一种高纯碳化硅单晶衬底,属于半导体材料领域。该高纯碳化硅单晶衬底至少包括碳化硅单晶衬底表层和碳化硅单晶衬底主体层,该碳化硅单晶衬底表层的本征点缺陷浓度小于该碳化硅单晶衬底本体层的本征点缺陷浓度,所述碳化硅单晶衬底具有半绝缘性。该高纯碳化硅单晶衬底表层的本征点缺陷的低浓度,使得高纯碳化硅单晶作为GaN外延的基底时,GaN和碳化硅单晶的晶格适配度更高,使得制备的GaN外延层的质量更佳;且高纯碳化硅单晶的主体层具有一定浓度的内部点缺陷,可以保持高纯碳化硅单晶衬底的半绝缘特性。
  • 一种高纯碳化硅衬底
  • [实用新型]硅单晶棒运输冷却车装置-CN200920186922.0无效
  • 刘天贵;马青;李春雷;高熙礼 - 合肥景坤新能源有限公司
  • 2009-08-13 - 2010-05-26 - C30B15/00
  • 本实用新型涉及硅单晶棒运输冷却车装置,包括有箱体形式的硅单晶护套,硅单晶护套上连接有车架,车架顶端设有车扶手,硅单晶护套底部安装有车轮,硅单晶护套顶面开有开孔,硅单晶棒可沿着车架通过开孔放入硅单晶护套中本实用新型可以根据硅单晶棒的长度调节硅单晶棒固定套的高度;本实用新型在操作全过程避免了硅单晶棒与金属车直接接触,因此避免了由于局部冷速过快而导致位错增加以及硅单晶的隐裂的问题;同时本实用新型设计了平衡滑轮
  • 硅单晶棒运输冷却装置
  • [发明专利]一种用于硅单晶生长的水冷套-CN202311136599.7在审
  • 王鹏;周倩;杨佐东 - 重庆臻宝科技股份有限公司
  • 2023-09-05 - 2023-10-24 - C30B29/06
  • 本发明公开了一种用于硅单晶生长的水冷套,属于硅单晶生产设备技术领域,通过设置两层水冷层,给硅单晶生长提供高效率的导热环境,内水冷层通过设置若干水冷板作围绕所述外水冷层的轴线远离和靠近运动,保持硅单晶圆柱体的表面和水冷板保持较近的距离,随着硅单晶的转动,硅单晶圆柱体在水冷板之间的导热均匀;较大程度的将水冷结构靠近生长的硅单晶圆柱体,使硅单晶圆柱体的温度快速传递,外水冷层能对坩埚上方的整体环境温度进行传导,保证了水冷套侧方位整体的密闭性,避免温度的外扩,此装置提升硅单晶生产环境的导热效率,提高硅单晶硅单晶的冷却速度;使液态硅熔液向固态硅单晶的相转换速度提升,生产效率也随之提高。
  • 一种用于硅单晶生长水冷
  • [发明专利]硅单晶基板的制造方法及硅单晶基板-CN202180051548.7在审
  • 曲伟峰;井川静男;砂川健 - 信越半导体株式会社
  • 2021-07-23 - 2023-06-02 - C30B33/02
  • 本发明提供一种硅单晶基板的制造方法,其为在表面具有碳扩散层的硅单晶基板的制造方法,其包含:通过在含碳气体气氛中对硅单晶基板进行RTA处理,使碳附着于所述硅单晶基板的表面的工序;使所述碳与所述硅单晶基板反应,从而在所述硅单晶基板的表面形成3C‑SiC单晶膜的工序;通过在氧化性气氛中对形成有所述3C‑SiC单晶膜的硅单晶基板进行RTA处理,将所述3C‑SiC单晶膜氧化而制成氧化膜并同时使碳在所述硅单晶基板中向内扩散的工序由此,提供具有近邻吸杂能力且表面附近的强度高、不易发生位错或位错不易扩展的硅单晶基板及其制造方法。
  • 硅单晶基板制造方法
  • [发明专利]碳化硅单晶的制造方法及制造装置-CN201980019491.5在审
  • 池田均;高桥亨;青山徹郎 - 信越半导体株式会社
  • 2019-02-18 - 2020-11-10 - C30B29/36
  • 本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法,其中,使碳化硅原材料在碳化硅单晶生长装置内升华而使碳化硅单晶在晶种基板上生长,所述碳化硅单晶生长装置至少具备生长容器与在该生长容器的周围具有温度测量用的孔的隔热容器,所述制造方法的特征在于,在所述碳化硅单晶进行生长时,通过所述温度测量用的孔而测量所述生长容器的温度,在所述碳化硅单晶的生长结束并将该碳化硅单晶冷却时,用遮蔽构件塞住所述温度测量用的孔。由此,提供一种减少碳化硅单晶锭及晶圆的破裂或裂缝的碳化硅单晶的制造方法及制造装置。
  • 碳化硅制造方法装置
  • [发明专利]复合寿命的控制方法-CN201880084042.4有效
  • 竹野博 - 信越半导体株式会社
  • 2018-12-10 - 2023-08-29 - H01L21/322
  • 本发明提供一种复合寿命的控制方法,其通过进行由利用FZ法培养的掺氮硅单晶准备硅单晶基板的工序;实施热处理的热处理工序A;对硅单晶基板照射粒子束的粒子束照射工序;及对硅单晶基板进行热处理的热处理工序B,从而控制硅单晶基板的载流子的复合寿命,该方法的特征在于,在热处理工序A中,根据在准备工序中准备的硅单晶基板的氧浓度Co,使硅单晶基板中的氮向外扩散,从而调节硅单晶基板的氮浓度Cn,然后,进行粒子束照射工序。由此,能够确实地减小起因于掺氮FZ硅单晶基板的复合寿命的偏差,能够以高精度控制复合寿命。
  • 复合寿命控制方法
  • [发明专利]硅单晶生产方法-CN201110220823.1有效
  • 久府真一 - 硅电子股份公司
  • 2011-07-28 - 2012-03-14 - C30B15/20
  • 根据本发明的硅单晶生产方法将允许抑制变形和位错,还成功省略了尾部区域。硅单晶生产方法包括以下步骤,在水平磁场影响下生长硅单晶2的直体区域4,该水平磁场在其磁中心L2处的磁通量密度等于或大于1000高斯且等于或小于2000高斯,接着将硅单晶相对于熔体32的表面的相对提升速度降低至0毫米/分钟,接着维持静态直至硅单晶视重量降低为止,接着进一步维持静态,以使得硅单晶的整个生长正面将形成在与硅单晶提升方向相反的方向上突出的凸起形状,且最终将硅单晶从熔体分离。
  • 硅单晶生产方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top