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[发明专利]一种提高直拉单晶法成晶率的拉晶方法-CN201610841507.9在审
发明人：涂准;白忠学;白喜军;王文华;魏国锋;杨正华;刘平虎 -专利权人：宁夏隆基硅材料有限公司
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开的一种提高直拉单晶法成晶率的拉晶方法，包括步骤拉制并提出一段多晶；将加热功率提高到引晶功率以上，降低氩气流量，并将石英坩埚位置下降至引晶埚位以下以挥发杂质；调整氩气流量、设定节流阀开度后进行吹拂；重新调整石英坩埚位置并更换籽晶和重锤，调整石英坩埚转速和氩气流量；然后利用直拉单晶法执行引晶、放肩、等径、收尾、停炉工序，得到单晶棒材。本发明的一种提高直拉单晶法成晶率的拉晶方法解决了现有的直拉单晶法拉晶过程中由于单晶炉台异常导致晶体成晶困难的问题，其通过对拉晶过程中步骤及参数的改变，降低晶体成晶难度，降低人员劳动强度，减少了生产成本，提高了单晶炉单晶成晶率和成品率。
一种提高直拉单晶法成晶率方法

[发明专利]直拉硅单晶炉炉盖-CN200910175319.7无效
发明人：刘彬国;张呈沛;何京辉 -专利权人：晶龙实业集团有限公司;宁晋晶兴电子材料有限公司
申请日： 2009-12-14 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进的直拉硅单晶炉炉盖，包括设置在炉盖顶部的进气口，该炉盖下方、进气口的边缘处连接有挡流装置。挡流装置以合理角度插入或采用活动铰链连接于炉盖上。生长单晶硅过程用利用该改进的直拉硅单晶炉炉盖可以达到保护单晶表面免于污染，促进硅单晶生长，提高热场元件寿命的目的。
直拉硅单晶炉炉盖

[实用新型]一种直拉单晶炉在线式热场再生系统-CN202222141087.7有效
发明人：张军彦;冯文彪;王晓峰;白枭;李媛 -专利权人：山西中电科新能源技术有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直拉单晶炉在线式热场再生系统，属于半导体技术领域；包括载气提供装置和工艺气体提供装置；载气提供装置和工艺气体提供装置通过进气管路与直拉单晶炉副室相连接，直拉单晶炉连接有抽气管路；抽气管路与直拉单晶炉的连接处位于保温筒底部以下；载气提供装置提供的载气为惰性气体，工艺气体提供装置提供的工艺气体为卤素气体；本实用新型通过载气和工艺气体的有序流动，在高温状态下与炉内杂质反应将其有效去除，延长了单晶炉内部炭素材料的寿命；提升了单晶棒的寿命
一种直拉单晶炉在线式热场再生系统

[实用新型]用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置-CN202020478077.0有效
发明人：王利伟;尹嘉琦;李万朋;滕野;陈召彬 -专利权人：大连连城数控机器股份有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C30B15/16 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置，包括设置在直拉单晶炉的炉盖内侧的反射装置，所述反射装置具有至少一个用于反射热辐射的反射面。本实用新型提供的用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置，通过在炉盖处增加反射环，实现将原本经由炉盖内壁反射至单晶棒的热辐射、以及经由炉盖反射至热屏与单晶棒之间的空间区域的热辐射，反射至炉盖的低温区，从而降低单晶棒温度，并提高单晶棒纵向温度梯度，实现加快单晶棒散热的目的，从而提高单晶生长速度。
用于提高直拉单晶生长速度热辐射反射装置

[实用新型]一种直拉单晶硅炉的炉底排气罩装置-CN201820598791.6有效
发明人：周小东;汪奇;乔乐;罗永伟;邹静;牛荣庆;刘鑫;常彦东;马晓梅 -专利权人：新疆晶科能源有限公司
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶硅直拉技术领域，具体涉及一种直拉单晶硅炉的炉底排气罩装置。主要技术方案为：一种直拉单晶硅炉的炉底排气罩装置，包括:本体、连接部和引流部；所述本体为圆柱管状；所述本体的侧壁上设置有排气通孔；所述连接部固定地设置在所述本体的一端，用于与单晶硅炉的排气口连接；所述引流部固定地设置在所述本体的另一端采用本实用新型能够减少直拉单晶硅炉在排气时的热量损耗。
直拉单晶硅炉排气罩装置排气本实用新型引流排气口通孔单晶硅单晶硅炉热量损耗圆柱管状侧壁排出喷出直拉阻挡

[实用新型]一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒-CN201721802617.0有效
发明人：杨东;梁永生;冉瑞应;李博一;金雪 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒，包括设置于单晶炉内排气孔位置的导气筒体，导气筒体上设置有用于向单晶炉内反射热量的反射片。本实用新型一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒安装于单晶炉的排气孔处，利用导气筒体上的钼片将热量反射回单晶炉炉膛内再次利用，有效避免了热量散失，从而降低了直拉法生产单晶硅的有效运行功率。
导气筒单晶硅单晶炉直拉法拉晶本实用新型炉膛生产内排气孔排气孔处热量反射热量散失有效运行再次利用反射片内反射钼片

[发明专利]用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置-CN201210189952.3有效
发明人：曾泽斌 -专利权人：曾泽斌
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置。通过使用挡料球作为多晶硅的隔离装置，使用导料管作为注入多晶硅的通过闸板阀或翻板阀的导料装置，使用闸板阀或翻板阀作为隔离直拉硅单晶炉真空的装置，这些装置的尺度远大于块状多晶硅的粒度，使本发明的一种用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置能够向直拉硅单晶炉内加注粒度小于50mm的块状多晶硅和粒度小于5mm的颗粒多晶硅，解决了现有的多晶硅加料仓只能向直拉硅单晶炉内加注粒度小于5mm的颗粒多晶硅，不能加注块状多晶硅的难题。
用于直拉硅单晶炉块状多晶加料装置

[实用新型]设有掺杂器的直拉硅单晶炉-CN200820154630.4有效
发明人：施美生 -专利权人：上海九晶电子材料股份有限公司
申请日： 2008-10-30 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种设有掺杂器的直拉硅单晶炉，包括直拉单晶炉本体，单晶炉本体包括坩埚、炉膛保温盖，所述直拉单晶炉本体设置掺杂器，所述掺杂器包括：用于盛装掺杂元素的圆柱型的料斗；所述料斗通过棒连接手柄。
设有掺杂直拉硅单晶炉

[实用新型]一种直拉硅单晶炉防漏硅的排气管道装置-CN201822187657.X有效
发明人：高建芳;梁宇飞;张红霞;郝勇;樊国庆;李娜 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉硅单晶炉防漏硅的排气管道装置，设置在直拉单晶炉底部，包括防漏容器和排气管，所示防漏容器为环绕直拉单晶炉大轴护套设置的槽状物，所示排气管包括相互连接的排气进口管道和排气出口管道，排气出口管道末端贯穿直拉单晶炉底，排气进口管道顶端排气入口连通直拉单晶炉内腔，排气进口管道倾斜向下。本实用新型的有益效果是：将炉内挥发物的混合气体排出，减少挥发物在炉膛排气管口的聚集与沉积；排气进口管道倾斜向下，排气入口处避免形成气体对流，涡流，能够快速顺畅的将气体排出；底部设有防漏容器，当发生漏硅现象时
直拉单晶炉防漏容器排气进口挥发物排气管道装置直拉硅单晶炉本实用新型排气出口倾斜向下排气管防漏排出炉膛涡流排气入口连通管道顶端管道末端混合气体排气管道排气管口气体对流槽状物入口处大轴硅液护套炉内内腔沉积排气溢出流出环绕贯穿

[实用新型]一种CZ直拉法单晶炉冷却装置-CN202123192177.0有效
发明人：杨昊;杨剑;孙自阳 -专利权人：弘元新材料（包头）有限公司
申请日： 2021-12-19 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种CZ直拉法单晶炉冷却装置，涉及单晶炉冷却技术领域。本实用新型包括单晶炉主体，单晶炉主体的顶部安装有处晶体管，单晶炉主体的一侧固定有第一气泵，第一气泵的输入端固定有第一气体管道，第一气泵的输出端固定有输气管，且输气管的底部贯穿单晶炉主体并延伸至单晶炉主体的内部，单晶炉主体的另一侧固定有第二气泵，第二气泵的输出端固定有第二气体管道。本实用新型通过时间继电器、控制器和第一气泵之间的相互配合，使得装置可有效降低单晶炉主体内部部件的温度，进而缩短了停炉时间并提升了工作效率，且通过隔温密封胶、第二密封胶条和第一密封胶条之间的相互配合，使得单晶炉主体避免漏气
一种 cz 直拉法单晶炉冷却装置

[实用新型]一种高效生产直拉式单晶炉用硅料复投装置-CN202221956958.4有效
发明人：贡梦涛 -专利权人：常州益群新能源科技有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效生产直拉式单晶炉用硅料复投装置，涉及直拉式单晶炉用具技术领域。该高效生产直拉式单晶炉用硅料复投装置，包括单晶炉炉体、复投仓，所述复投仓通过绕线电机内的线绳放置于单晶炉炉体的内部，所述单晶炉炉体的内壁底部固定有电动伸缩底座，所述电动伸缩底座的顶端固定有坩埚，所述单晶炉炉体的内壁底部右侧固定有高度警报器，所述单晶炉炉体的内壁左侧固定有连动组件。
一种高效生产直拉式单晶炉用硅料复投装置

[实用新型]下开平动式直拉单晶炉-CN99205457.5无效
发明人：钟兴儒;田金法;吴金良;林兰英;陈诺夫 -专利权人：中国科学院半导体研究所;中国科学院力学研究所
申请日： 1999-03-16 - 公布日： 2000-03-29 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种下开平动式直拉单晶炉,包括一炉桶、一炉底,其特征在于,一炉体支架,在该炉体支架的上面固接有一炉桶,一炉底用法兰盘与炉桶的下部连接,一液压系统与炉底连接,该液压系统通过一滚轮坐于炉体支架下面的平动滑道上;本实用新型与现有技术相比可减少炉桶的工作高度,节省单晶炉占用的场地空间;同时可使单晶炉的操作更方便灵活;其可减轻起重负载;其可减少制造直拉单晶炉的成本。
开平动式直拉单晶炉

[实用新型]一种直拉单晶炉底部用保温装置及直拉单晶炉-CN201922387139.7有效
发明人：王宇;冯德伸;于洪国;雷同光;李燕;马英俊;林泉 -专利权人：北京国晶辉红外光学科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉单晶炉底部用保温装置及直拉单晶炉。一种直拉单晶炉底部用保温装置包括：坩埚杆，以及套设于所述坩埚杆上的一个或多个保温板，所述多个保温板间隔设置。本实用新型提供的保温装置可随坩埚的升降而移动，保持了坩埚底部与保温装置的距离稳定，有效的增强了单晶炉中坩埚底部的保温效果，减少温度梯度的变化，并且实用方便，效果显著，适用于低位错锗等一些对温度梯度要求较高晶体的直拉法生长工艺
一种直拉单晶炉底部保温装置

[实用新型]一种用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置-CN201220272138.3有效
发明人：曾泽斌 -专利权人：曾泽斌
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置。通过使用挡料球作为多晶硅的隔离装置，使用导料管作为注入多晶硅的通过闸板阀或翻板阀的导料装置，使用闸板阀或翻板阀作为隔离直拉硅单晶炉真空的装置，这些装置的尺度远大于块状多晶硅的粒度，使本实用新型的一种用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置能够向直拉硅单晶炉内加注粒度小于50mm的块状多晶硅和粒度小于5mm的颗粒多晶硅，解决了现有的多晶硅加料仓只能向直拉硅单晶炉内加注粒度小于5mm的颗粒多晶硅，不能加注块状多晶硅的难题。
一种用于直拉硅单晶炉块状多晶加料装置

[实用新型]一种降低直拉单晶氧、碳含量的排气装置-CN202022410624.4有效
发明人：孔凯斌;郝朝旭;侯明超;王淼;张强;郝小龙 -专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种降低直拉单晶氧、碳含量的排气装置，包括：排气孔和排气管，所述排气孔设置在单晶炉上，与所述单晶炉成一定角度，用于连接所述排气管；所述排气管通过所述排气孔连通所述单晶炉内部，与所述单晶炉成一定角度设置，用于排出所述单晶炉内的气体。本实用新型的有益效果是有效的解决直拉单晶炉内气体流动时上炉盖拱形位置容易形成局部涡流，负压较低，导致排气效率降低，可能引起杂质聚集，导致碳高或氧高的问题。
一种降低直拉单晶氧含量排气装置