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[实用新型]一种直拉单晶炉晶棒托架-CN201020666410.7无效
发明人：査建洪;施宇峰;査如德 -专利权人：江阴市华英光伏科技有限公司
申请日： 2010-12-18 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉单晶炉晶棒托架，属于单晶硅的生产制造设备领域。本实用新型一种直拉单晶炉晶棒托架，具有无安全隐患，使用方便的优点。
一种直拉单晶炉晶棒托架

[实用新型]一种制备高纯金属细晶棒的装置-CN202122692885.4有效
发明人：李清宇;何志达;朱刘 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种制备高纯金属细晶棒的装置，包括：单晶炉；设置在所述单晶炉底部的坩埚；设置在所述单晶炉侧壁上的手套真空盲板；设置在所述单晶炉内部侧壁上的原料放置架；设置在所述单晶炉内部侧壁上的晶体放置架本实用新型提供的制备高纯金属细晶棒的装置在单晶炉上安装手套真空盲板和放置架，可以对炉内进行加料和剪晶棒操作，因此可以连续生产，不用每次提拉后停炉装料，这样就可以大幅提高生产效率。
一种制备高纯金属细晶棒装置

[发明专利]氮掺杂P型单晶硅制造方法-CN202111153124.X在审
发明人：徐鹏;兰洵 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种氮掺杂P型单晶硅制造方法，包括：将高掺杂氮单晶与多晶硅投入坩埚并加热拉晶炉，得到第一硅熔体；向所述第一硅熔体加入高掺杂硼单晶，得到第二硅熔体；在所述第二硅熔体中以直拉法拉制氮掺杂P型单晶硅。根据本发明的氮掺杂P型单晶硅制造方法，使得氮和硼在较低的炉室温度下完全融入硅熔体，解决了炉室温度高，加热时间久的技术问题。同时，改变高掺杂硼单晶和高掺杂氮单晶的熔融顺序，以抑制氮化硼(BN)的形成导致拉晶失败的情况发生。
掺杂单晶硅制造方法

[发明专利]一种新型的低沾染,免耗材的直拉炉设计-CN201210099756.7无效
发明人：丁欣 -专利权人：丁欣
申请日： 2012-04-06 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及直拉法(CZ法)晶体生长法。指晶体生长的一种方法，用来获取半导体(如硅、锗、砷化镓)、金属(钯、铂、银、金)、盐，或者是合成宝石的单晶。本发明旨在在炉室内取消或者减少使用的石墨和碳碳复合材料，以减少像对应的各种污染。使用陶瓷非金属材料来加工直拉炉的炉室，炉膛，隔热材料或者其他位于炉室内的内件。
一种新型沾染耗材直拉炉设计

[实用新型]一种直拉单晶炉挥发物清扫装置-CN201520360611.7有效
发明人：刘要普;邓德翼;张明亮;令狐铁兵;李中军 -专利权人：麦斯克电子材料有限公司
申请日： 2015-05-30 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种直拉单晶炉挥发物清扫装置，包括支架和设置在支架上的过滤腔，过滤腔的一侧设有进气口，另一侧设有排气口，过滤腔的底部依次连接锥形导流筒和收尘筒；所述过滤腔的内部水平设置有多个滤芯，滤芯的出气口处设有脉冲反吹管道本实用新型提供的直拉单晶炉挥发物清扫装置有效地解决了清扫单晶炉和更换滤芯对工作人员造成伤害和环境污染的问题，同时提高了清扫效率。
一种直拉单晶炉挥发物清扫装置

[实用新型]一种直拉法单晶炉用分段式接晶框-CN201720051795.8有效
发明人：王琳 -专利权人：陕西西京电子科技有限公司
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型属于单晶炉技术领域，具体公开了一种直拉法单晶炉用分段式接晶框，包括圆柱形固定框架，所述圆柱形固定框架包含多个圆环框架和连接杆，所述连接杆竖向连接所述多个圆环框架；还包括软性框架，所述软性框架包含多条软链本实用新型的直拉法单晶炉用分段式接晶框利用圆柱形固定框架连接软性框架的结构，解决了使用传统一体式接晶框时晶体不便搬运的问题，结构简单，使用方便。
一种直拉法单晶炉用分段式接晶框

[发明专利]一种直拉硅单晶棒内缺陷的调节方法-CN201010278052.7无效
发明人：戴小林;吴志强;邓树军;崔彬;姜舰;王雅楠;肖清华;张果虎;周旗钢;屠海令 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2010-09-08 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：一种直拉硅单晶棒内缺陷的调节方法，它是通过调节位于直拉单晶炉炉室内热场上保温筒座上设置的保温圆桶的数量、每层的厚度、圆桶的壁厚或它们的组合，从而调整晶体生长界面的形状、界面的温度梯度以及晶体生长速度的方法，达到调节直拉硅单晶棒内缺陷。
一种直拉硅单晶棒内缺陷调节方法

[发明专利]一种直拉法单晶炉及其熔体温度梯度控制方法-CN202110414248.2在审
发明人：陈立民;陈丽芳;王泽东;娄勇 -专利权人：曲靖阳光能源硅材料有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉法单晶炉及其熔体温度梯度控制方法，直拉法单晶炉包括：炉体和设置于所述炉体内部的坩埚、加热组件、测温组件和坩埚驱动组件，所述加热组件套设于所述坩埚外侧，所述测温组件连接于坩埚底端，所述坩埚驱动组件连接于所述测温组件一侧本发明结构简单，保温效果好，热量利用率高，在坩埚底端设置测温组件，对坩埚底端温度进行实时监控，通过控制器根据预设温度对加热组件的功率进行调控，实现坩埚内温度的控制，提高了单晶硅的品质，保证了单晶硅产出的一致性
一种直拉法单晶炉及其体温梯度控制方法

[实用新型]一种外部装料结构-CN201420520573.2有效
发明人：朱亮;王巍;倪军夫;孙明;沈兴潮 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2014-09-11 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及直拉硅单晶生长设备的辅助设备，旨在提供一种外部装料结构。该种外部装料结构用于将石英坩埚和真空罩连接密封后，整体吊装放入或取出单晶炉热场；外部装料结构的主体包括单晶炉中的籽晶系统和旋转机构，籽晶系统安装在副炉室上，籽晶系统利用钢丝绳与真空罩上的吊环连接，实现对连接密封后的石英坩埚和真空罩整体进行升降运动；旋转机构用于带动副炉室进行旋转运动，进而带动安装在副炉室上的籽晶系统进行旋转运动，实现吊装在籽晶系统上的连接密封后的石英坩埚和真空罩整体完成旋转运动和升降运动。本实用新型不需增加额外吊装辅助设备，利用了单晶炉固有的籽晶系统和副炉室旋转机构，能有效的实现坩埚炉外装料。
一种外部装料结构

[发明专利]一种用于单晶硅生长炉的掺杂机构-CN201410414496.7在审
发明人：朱亮;王巍;俞安州;孙明;沈兴潮 -专利权人：杭州慧翔电液技术开发有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明涉及直拉单晶炉设备，旨在提供一种用于单晶硅生长炉的掺杂机构。该种用于单晶硅生长炉的掺杂机构包括推动轴组件、真空腔体、磁钢、磁钢安装套、装料勺和操作杆，用于向单晶硅生长炉的石英坩埚内掺杂物质，石英坩埚设置在隔离阀座内，隔离阀座的内部是真空区域，隔离阀座设有一个连通口本发明通过操作杆控制，利用磁力作用实现直线运动和旋转运动，从而将事先储存在装料勺里的掺杂物质投入石英坩埚中，能够在单晶炉拉制过程中达到所需元素掺杂的目的。
一种用于单晶硅生长掺杂机构

[实用新型]一种用于单晶硅生长炉的掺杂机构-CN201420474257.6有效
发明人：朱亮;王巍;俞安州;孙明;沈兴潮 -专利权人：杭州慧翔电液技术开发有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及直拉单晶炉设备，旨在提供一种用于单晶硅生长炉的掺杂机构。该种用于单晶硅生长炉的掺杂机构包括推动轴组件、真空腔体、磁钢、磁钢安装套、装料勺和操作杆，用于向单晶硅生长炉的石英坩埚内掺杂物质，石英坩埚设置在隔离阀座内，隔离阀座的内部是真空区域，隔离阀座设有一个连通口本实用新型通过操作杆控制，利用磁力作用实现直线运动和旋转运动，从而将事先储存在装料勺里的掺杂物质投入石英坩埚中，能够在单晶炉拉制过程中达到所需元素掺杂的目的。
一种用于单晶硅生长掺杂机构

[实用新型]带控温籽晶装置的单晶铸锭炉-CN201020196676.X无效
发明人：张志坚 -专利权人：张志坚;靳梅
申请日： 2010-05-20 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种用于太阳能电池片铸锭的带控温籽晶装置的单晶铸锭炉，通过引入控温籽晶装置，改变熔融硅在一定过冷度下自然成核，可在定向凝固晶体组织的硅锭生长获得单晶硅铸锭。带控温籽晶装置的单晶铸锭炉；包括炉体、炉体内的坩埚、带控温籽晶装置、坩埚四周的隔热材料、隔热材料内的加热器、外部控制设备等组成。带控温籽晶装置的单晶铸锭炉能够方便应用于现有的多晶硅铸锭炉改造，能够在多晶硅铸锭炉获得与直拉单晶光电转换效率相同或者接近的太阳能电池切片用铸锭材料，可减少铸锭应力缺陷、提高铸锭的完整性、改善铸锭太阳能电池切片生产效率和技术指标
带控温籽晶装置铸锭

[发明专利]一种提高大尺寸N型硅片转换效率的方法-CN202111270049.5在审
发明人：刘立中;王艺澄;王军磊 -专利权人：包头美科硅能源有限公司;江苏美科太阳能科技股份有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高大尺寸N型硅片转换效率的方法，具体为：将N型母合金及硅料装入石英坩埚内，全熔稳定，熔化，待硅料完全熔化后将功率降至引晶功率；单晶炉运行过程中采用高炉压；将坩埚转速开至引晶转速，晶体转速11‑14转/分钟；稳定熔体，引晶，高温熔接，采用Dash缩颈排除位错法引晶、放肩、转肩、等径，手动控制晶体等径生长至所需长度，待直径控制均匀、拉速稳定后自动控制晶体生长、收尾以及停炉；通过改变晶体转速，增加磷元素在硅中的溶解均匀性，改变炉压，防止局部温高导致磷元素挥发，硅液中溶解磷均匀性差，同时降低等径时拉速，使生长界面变得相对平坦，降低了大尺寸直拉单晶N型硅片由中心和边缘位置电阻率不均匀而导致转换效率低的问题
一种提高尺寸硅片转换效率方法

[实用新型]直拉单晶炉导流筒-CN201220386212.4有效
发明人：皎晶晶 -专利权人：深圳市石金科技有限公司
申请日： 2012-08-06 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直拉单晶炉导流筒，包括固定连接的外导流筒和内导流筒，所述内导流筒的材质为钼，其包括形成筒状的至少两导流瓣，相邻两所述导流瓣固定连接。通过将内导流筒的材质选为钼，且内导流筒包括固定连接的至少两导流瓣，相对现有技术中的导流筒采用石墨材料的技术方案，本实用新型直拉单晶炉导流筒具有降低晶体中碳氧含量、提高拉速的优点且使用寿命更长、由多个导流瓣形成筒状的内导流筒使得本实用新型制造更方便
直拉单晶炉导流

[实用新型]直拉法生产单晶硅用连续加料装置-CN202320386374.6有效
发明人：王中弟 -专利权人：宁夏旭樱新能源科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种直拉法生产单晶硅用连续加料装置，包括加料组件和升降组件，升降组件安装在单晶炉上，加料组件安装在升降组件上，波纹管的下端和单晶炉炉盖的进料口密封连接，石英管插入波纹管内并用第一法兰将波纹管的上端和石英管的上端处密封连接，石英管的下端穿过波纹管和单晶炉内部连通，封闭仓、波纹管和石英管组成一个封闭的硅料加入通道，升降组件驱动第一法兰上下移动过程中使波纹管伸长或收缩，第一法兰推动石英管逐渐朝单晶炉内插入使得石英管的下端逐渐靠近石英坩埚内的熔融硅液面完成准备加入硅料状态，第一法兰拉动石英管逐渐远离石英坩埚使石英管的下端从单晶炉内退出以便于单晶炉再次准备拉晶工序。
直拉法生产单晶硅连续加料装置