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[发明专利]一种用于直拉单晶炉热场的组合加热器-CN201310585963.8有效
发明人：方峰;王学锋;高朝阳;曾泽红;邓德辉;郑沉 -专利权人：有研新材料股份有限公司;有研半导体材料有限公司
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明提供一种用于直拉单晶炉热场的组合加热器，该加热器为由两个螺旋管状的环形发热部件组合而成的双螺旋管状结构，所述两个环形发热部件分别连接相互独立的电源。本发明用于直拉单晶炉热场，组合加热器中每个螺旋管状结构的环形加热部件的电流大小和方向都是可以独立控制的。在满足焦耳定律提供热效应的同时，在每个环形加热部件腔体内部形成磁场，有利于抑制硅熔体的对流运动。
一种用于直拉单晶炉热场组合加热器

[实用新型]一种用于晶体生长的单晶炉系统-CN202021245706.1有效
发明人：汪沛渊;尚伟泽;白枭龙;张涛 -专利权人：晶科能源有限公司;晶科绿能(上海)管理有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于晶体生长的单晶炉系统，单晶炉系统包括：保温筒；炉体，所述炉体包括炉底，且所述炉底用于支撑所述保温筒；以及提升装置；其中，当所述单晶炉处于工作状态时，所述保温筒支撑于所述炉底，当所述单晶炉处于非工作状态时，所述提升装置用于驱动所述保温筒沿高度方向运动到离所述炉底预设距离的位置。本申请的设置方式能够增大保温筒底部的换热面积，从而提高保温筒的冷却效率，降低保温筒冷却到预设温度(例如低于400度)时所需的时间，即降低单晶炉系统的停炉冷却时间，提高单晶的生产效率，降低生产成本。
一种用于晶体生长单晶炉系统

[发明专利]直拉硅单晶炉-CN202010010611.X有效
发明人：胥俊东 -专利权人：北京北方华创真空技术有限公司
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅生产技术领域，提供直拉硅单晶炉，包括：炉体；坩埚，位于所述炉体内部；籽晶杆，位于炉体内部，籽晶杆沿着自身轴向相对坩埚可升降，且在转动状态籽晶杆以设定转速差相对坩埚沿着同一方向转动。本发明的拉硅单晶炉，由于坩埚与籽晶杆朝着同一方向转动，进而可以在坩埚和籽晶杆均具有高转速的情况下，将坩埚与籽晶杆的转速差控制在合理的范围内，保证拉晶更高效和更高质量的完成。
直拉硅单晶炉

[实用新型]直拉法单晶炉-CN201420733586.8有效
发明人：陈五奎;李军;耿荣军;樊茂德;冯加保 -专利权人：乐山新天源太阳能科技有限公司
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种能够避免一氧化碳废气长期滞留对设备造成腐蚀的直拉法单晶炉。该单晶炉，包括上炉膛、下炉膛，所述上炉膛顶部设置有籽晶旋转提升机构，下炉膛内设置有保温筒，保温筒内设置有石墨坩埚，所述石墨坩埚内设有石英坩埚，石墨坩埚外侧设置有加热器，所述石墨坩埚底部设置有坩埚旋转顶升机构适合在单晶生产设备领域推广应用。
直拉法单晶炉

[实用新型]连续直拉单晶炉-CN201120575286.8有效
发明人：钟平 -专利权人：宁波科论太阳能有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种连续直拉单晶炉，包括副室、热屏和炉腔，其中在炉腔中设有热屏支撑板、保温层、加热器、石英坩埚、石墨坩埚和排气口，所述石英坩埚中设有硅熔体，在硅熔体上方设有一两端开口的罩体，罩体上端与副室连接本实用新型得到的连续直拉单晶炉，整体设计结构合理、简单，提高产品拉晶速度及浓度，延长石墨坩埚的使用寿命，降低了成本及功耗。
连续直拉单晶炉

[发明专利]一种单晶炉及用该单晶炉进行直拉单晶稳温工艺-CN202010330003.7在审
发明人：吴树飞;王林;高润飞;谷守伟;王建平;周泽;杨志;赵国伟;刘振宇;郝瑞军;刘学;皇甫亚楠;杨瑞峰;郭志荣;钟旭 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶炉，包括炉盖和主炉室，还具有若干用于监测所述主炉室石英坩埚中熔硅液面上设定区域内的温度监控装置，所述监控装置置于所述炉盖内侧且被置于所述主炉室导流筒的斜上方；所述监控装置均朝所述设定区域方向倾斜设置本发明还提出一种用该单晶炉进行直拉单晶稳温工艺。本发明通过设置用于熔硅液面尤其是靠近中心位置处的温度，实现熔硅液面温度监控自动调整，以保证稳温拉制工序中固液界面温度的横定，为后续成功引晶奠定基础，监控区域设置合理，监控温度精准且易于控制，实现熔硅液面温度的自动调节,从而保证单晶晶体生长温度梯度的一致性
一种单晶炉进行直拉单晶稳温工艺

[实用新型]一种单晶炉热场缺口外部填充机构-CN201920009441.6有效
发明人：胡建荣;高宇;傅林坚;曹建伟;叶钢飞;倪军夫;王鹏飞;阮文星;春伟博 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及直拉硅单晶炉设备技术领域，尤其是涉及一种单晶炉热场缺口外部填充机构。本实用新型本实用新型可在不需要停炉的情况下实现热场缺口的填充，减低能耗，提高单晶硅生产品质。
直线运动机构填充机构热场安装座本实用新型安装机构波纹管连接杆外壳体端盖设备技术领域直拉硅单晶炉伸出单晶硅生产单晶炉热场填充物铰链机构铰链结构内部中空锁紧机构外部丝杆停炉外罩填充能耗

[实用新型]单晶炉快速冷却装置-CN201320303095.5有效
发明人：周锐;李侨;李定武 -专利权人：西安隆基硅材料股份有限公司;无锡隆基硅材料有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：单晶炉快速冷却装置，包括冷却管及其驱动装置，冷却管设有冷却介质进口和冷却介质出口；在单晶炉运行过程中，将冷却管下降到单晶炉外部、保温层以下；在单晶炉拉晶结束后，冷却管在驱动装置的驱动下升高至单晶炉主室的高温区，通过冷却介质与炉内高温热场部件及环境之间进行热交换；冷却结束后，冷却管受驱动装置的驱动下降至单晶炉外部。本实用新型快速冷却单晶炉装置结构简单，使用方便，冷却效果好。本实用新型冷却方法简单易行，可及时对单晶炉主室进行强制冷却，与自然冷却相比，可以缩短2-4h（或30-40%）的停炉冷却时间，提高了单晶炉设备利用率及生产效率，降低了晶体生长成本。
单晶炉快速冷却装置

[发明专利]一种热炉内用于直拉单晶时的液面定位装置-CN201710459529.3在审
发明人：刘伟;王岩;尚伟泽;王军磊;武志军;刘学;张全顺;张文霞 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明创造提供了一种热炉内用于直拉单晶时的液面定位装置，所述热炉内设有热场结构，该热场结构包括导流筒、坩埚、固定导流筒的支撑板及控制坩埚位置的举升机构，所述液面定位装置和热场结构绝缘设置，包括设置在热炉外的控制平台本发明创造所述的一种热炉内用于直拉单晶时的液面定位装置，结构简单，制造成本交低，通过本装置，保证单晶硅稳定化时的液面位置一致性、可控性，同时由于本装置为自动调整，因此提高了安全性能。
一种热炉内用于直拉单晶时液面定位装置

[实用新型]一种直拉单晶炉连续补料装置-CN201620072449.3有效
发明人：魏国锋;白喜军;张鑫;白忠学 -专利权人：宁夏隆基硅材料有限公司
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种直拉单晶炉连续补料装置包括装料筒和与其活动连接的底盖，底盖上设置有至少一根直连杆，直连杆通过头部连接的连接重锤悬挂于钢丝绳夹头上，装料筒的筒体上设置有限位盘。本实用新型的一种直拉单晶炉连续补料装置中把直连杆设置在装料筒外侧，从而解决了以前连杆在装料筒中心容易卡料、装料较少等问题；限位盘起保护装料筒在下降过程中下降到指定位置就自动停止下降；底盖为半球形，防止加料时产生溅硅、热辐射等问题；控制底盖开合的有合页、直连杆和软连接段，可以保障底盖的开合度，又保证了装料筒内部硅料装满时，不会撒漏在单晶炉外部；软连接段控制底盖开合时以弧形的方式缓慢打开，使装料筒内的硅料缓慢补入炉内
一种直拉单晶炉连续装置

[实用新型]一种热炉内用于直拉单晶时的液面定位装置-CN201720705151.6有效
发明人：刘伟;王岩;尚伟泽;王军磊;武志军;刘学;张全顺;张文霞 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型创造提供了一种热炉内用于直拉单晶时的液面定位装置，所述热炉内设有热场结构，该热场结构包括导流筒、坩埚、固定导流筒的支撑板及控制坩埚位置的举升机构，所述液面定位装置和热场结构绝缘设置，包括设置在热炉外的控制平台本实用新型创造所述的一种热炉内用于直拉单晶时的液面定位装置，结构简单，制造成本交低，通过本装置，保证单晶硅稳定化时的液面位置一致性、可控性，同时由于本装置为自动调整，因此提高了安全性能。
一种热炉内用于直拉单晶时液面定位装置

[实用新型]一种提高生产效率的自动化单晶炉-CN201620313294.8有效
发明人：胡明理;李业林;李宗谚;詹经略 -专利权人：宁夏佳晶科技有限公司
申请日： 2016-04-14 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高生产效率的自动化单晶炉，包括副室和单晶炉主体，副室的顶部设置有电机，电机的一侧设置有位于副室侧面的副室门，副室门的一侧设置有位于副室与单晶炉主体之间的液压阀，液压阀的上部设置有与电机连接的提拉绳石英坩埚的一侧设置有石墨坩埚，石墨坩埚的一侧设置有加热器，加热器的一侧设置有保温层，且加热器的底部连接电极片，电极片的一端设置有位于石墨坩埚底部的石墨轴，且电极片的一侧通过电缆线连接控制柜，控制柜的表面的设置有操作面板、急停按钮和开关按钮本实用新型主要是一种直拉生产单晶的设备。
一种提高生产效率自动化单晶炉

[发明专利]一种晶体生长方法及晶体硅-CN202211561051.2在审
发明人：马晓康;谢志宴;付泽华;王一淳;徐森炀 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶体生长方法及晶体硅，涉及太阳能光伏技术领域，其中，所述方法包括：在熔料完成后，在第一炉压下进行调温；所述第一炉压小于等于3Torr；调温完成后，在第二炉压下进行引晶、放肩、转肩操作；所述第二炉压小于等于所述第一炉压；转肩完成后进行等径生长，且在等径生长阶段，根据掺杂单晶硅的实际等径生长长度，由所述第二炉压开始降低拉晶炉压进行晶体直拉生长。本申请可以减小掺杂元素在掺杂单晶硅轴向浓度分布差异，提高单晶硅轴向电阻率均匀性，同时提高生产效率。
一种晶体生长方法晶体

[实用新型]一种直拉单晶炉-CN201920411715.4有效
发明人：姜志兴;张涛;陈骏;黄晶晶;叶鹏;贺小峰;陈养俊;金浩 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直拉单晶炉，包括副炉室、位于副炉室内且用于提拉晶棒的提拉装置，还包括：设置在提拉装置上、用于在提拉装置提拉晶棒时测量提拉装置的拉力的拉力传感器；与拉力传感器相连、用于当提拉装置的拉力小于预设值时控制夹持装置启动的控制装置；可移动地贴合在副炉室内炉壁上、与控制装置相连、用于在控制装置的控制下移向晶棒并夹持住晶棒的夹持装置。本申请公开的上述技术方案，当控制装置判断出提拉装置的拉力小于预设值时，则确定发生晶棒掉落，此时，控制装置则控制夹持装置启动，启动后的夹持装置从副炉室的内炉壁上移向晶棒并夹持住晶棒，以避免晶棒继续往下掉，从而避免晶棒对直拉单晶炉造成破坏，并避免引发安全事故。
晶棒提拉装置控制装置拉力传感器直拉单晶炉夹持装置装置启动副炉室控制夹副炉夹持提拉预设室内本实用新型安全事故可移动地内炉壁掉落炉壁上移贴合下移测量申请

[发明专利]一种单晶硅直拉炉用炭/炭拼接保温筒及其制造方法-CN202011388212.3在审
发明人：张灵玉;程皓;韩李煜;苏超;张亚超;周元龙;马亨;汪志虎;邢如鹏 -专利权人：西安超码科技有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅直拉炉用炭/炭拼接保温筒，包括N片炭/炭弧瓣，N片炭/炭弧瓣相邻之间通过榫卯连接结构且沿着圆周方向环绕炭/炭拼接保温筒的轴心线连接，相邻之间的炭/炭弧瓣榫卯连接部位上均设置有M个炭/炭销钉，N片炭/炭弧瓣的一侧均设置有榫头，另一侧均设置有榫槽；本发明还公开了一种单晶硅直拉炉用炭/炭拼接保温筒的制造方法，将炭/炭弧瓣的榫头装入相邻炭/炭弧瓣的榫槽中后安装销钉，经制备涂层和纯化得到炭本发明采用榫卯连接结构在拼接接缝处形成阻隔，避免了热量和侵蚀气体对拼接裂缝及保温筒外层装置和部件的侵蚀作用，适用于单晶硅直拉炉；本发明的制造方法简单，有利于实现大批量生产。
一种单晶硅直拉炉用炭拼接保温及其制造方法

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