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[发明专利]气相掺杂区熔硅单晶的生产方法-CN02159135.0有效
发明人：沈浩平;刘为刚;昝兴利;郭丽华;李颖辉;高树良 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2002-12-30 - 公布日： 2003-11-12 - 主分类号： C30B13/12 文献下载
摘要：本发明公开一种气相掺杂区熔硅单晶的生产方法，其是由如下步骤完成的：(1)装炉、抽空；(2)硅棒预热；(3)化料；(4)掺杂：在掺杂气体控制装置上设定气体流量控制参数。(5)熔接籽晶。(6)引晶；(7)生长细径；(8)放肩；(9)等径生长；(10)收尾、拉断；(11)停气；(12)停炉、拆炉。本发明采用气相掺杂的方法在拉晶的过程中直接掺入杂质元素，省去中照过程，缩短了生产周期，降低了生产成本。不受电阻率范围限制(中照单晶电阻率值≥30Ω.cm)，可以生产低电阻率(最低可以达到0.01Ω.cm)单晶。不影响单晶微观粒子分布情况，不需要退火热处理(消除中照损伤)，减少了生产工序。
掺杂区熔硅单晶生产方法

[发明专利]生产硅单晶的直拉区熔法-CN00105518.6有效
发明人：沈浩平;李翔;汪雨田;昝兴利 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2000-03-30 - 公布日： 2002-12-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种生产硅单晶的直拉区熔法，是由直拉炉和区熔炉完成的，步骤如下(1)将料装入直拉炉抽真空充氩气，(2)加热化料熔接籽晶，(3)拉细颈，(4)放肩收肩，(5)等径生长，(6)收尾，(7)降温出炉，(8)对多晶棒定形加工清洗腐蚀，(9)装入区熔炉抽真空充氩气，(10)预热化料熔接籽晶，(11)引晶拉细颈，(12)放肩等径生长，(13)拉断尾部，(14)降温停炉晶体出炉。本发明克服了直拉硅中的高氧含量，生产的硅单晶氧含量为1016atm/cm3，热稳定性好，又克服了区熔法不能掺入特殊固态元素的不足，可掺入特殊固态元素，提高了区熔炉的产能，降低了生产成本缩短了生产周期。
生产硅单晶直拉区熔法