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[发明专利]降低单晶炉内氧化物的隔离阀、单晶炉及方法-CN202310899965.8在审
发明人：杨宗川;马玉怀;曹启刚;王黎光;徐慶晧;芮阳;张昆;王忠保;赵泽慧 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种降低单晶炉内氧化物的方法，涉及单晶炉除杂技术领域，包括连接吹扫部、开合部，连接吹扫部包括第一法兰、第二法兰、通气管，第二法兰内开设环形空腔，第二法兰内侧均匀设置数个吹扫孔，数个吹扫孔向一个方向倾斜，吹扫孔与环形空腔连通，第一法兰、第二法兰对称设置在开合部的上方、下方，第一法兰与所述开合部上端连接，开合部下端与第二法兰连接，通气管与第二法兰连接以与环形空腔连通，通过向通气管、环形空腔的内部吹入氩气，使得氩气从吹扫孔吹出来，使得氧化物被吹扫，防止氧化物在开合部聚集、凝结，当二次加料结束后，氧化物排出，降低氧化物落入石英坩埚内的概率，进而降低晶棒的良率，减少NG次数。
降低单晶炉内氧化物隔离单晶炉方法

[实用新型]一种单晶炉的自动加料装置-CN202320390484.X有效
发明人：贡梦涛 -专利权人：常州益群新能源科技有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本实用新型属于单晶炉加料装置技术领域，具体的说是一种单晶炉的自动加料装置，包括底座；所述底座上固接有单晶炉本体，所述单晶炉本体的顶部一侧固定有支撑架，所述支撑架上安装有无底料罐，所述无底料罐的圆周面内壁上开设有多个安装槽，多个所述安装槽的底端均安装有套筒，所述套筒的底端固定有第一弹簧；在对硅料中含有的杂质进行过滤时，经过滤板作用，能够对硅料中含有的杂质进行拦截，从而提高了产品的质量，为了避免过滤板因长时间使用而受到堵塞，在对过滤板进行振荡时，经电动机作用，在第一弹簧、活动杆和滑块的共同配合下，能够带动过滤板上下往复抖动，从而避免了过滤板堵塞现象的发生，进一步提高了过滤板的过滤效果。
一种单晶炉自动加料装置

[发明专利]单晶炉-CN202310872247.1在审
发明人：王高发;任杰;陈奕峰;马玉花 -专利权人：天合光能股份有限公司;天合光能（青海）晶硅有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本公开实施例中提供单晶炉，其包括：位于炉腔(10a)内的坩埚(11)及设置于坩埚(11)外周侧的第一加热装置(12)；磁场生成装置(13)，设置于炉腔(10a)内，位于第一加热装置(12)远离坩埚(11)的一侧，并与炉体(10)安装；围绕磁场生成装置(13)设置的冷却结构(14)。在拉晶过程中，冷却结构(14)对磁场生成装置(13)进行冷却，避免磁场生成装置(13)因距离坩埚(11)较近而产生高温消磁的问题，从而能够抑制拉晶过程的熔体内强对流。因此，本实施例将磁场生成装置(13)内置于单晶炉内具有较强可行性，从而能够做到减小拉晶设备尺寸。
单晶炉

[发明专利]一种用液相法制备碳化硅的方法和制得的碳化硅-CN202310857993.3在审
发明人：林育仪 -专利权人：通威微电子有限公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种用液相法制备碳化硅的方法和制得的碳化硅，涉及半导体领域。用液相法制备碳化硅的方法包括：将原料装入石墨坩埚，石墨坩埚的内表面包括沿径向从外向内延伸的曲线壁面，曲线壁面的母线为最速下降曲线；加热原料以得到原料熔体；将籽晶与原料熔体接触，并在惰性气体和氮气的混合气体中进行碳化硅晶体的生长。通过设置曲线壁面的母线为最速下降曲线，能够增强原料熔体从边缘向中心流动的流速，在石墨坩埚中部形成较强的上升流股，加强原料熔体中心的对流强度。这样可以避免晶体生长过程中，中部位置的熔体对流明显弱于边缘位置的问题，从而提高碳化硅晶体的均匀性。
一种用液相法制碳化硅方法

[发明专利]蓝宝石装甲板制备模具、制备装置及制造工艺-CN202210337194.9在审
发明人：罗平;王庆国;韩建峰;徐军;逯占文 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种蓝宝石装甲板制备模具、制备装置及制造工艺。该制备模具包括：第一模板以及第二模板；第一模板与第二模板相对设置，第一模板的第一表面与第二模板的第二表面位置相对，第一表面与第二表面之间具有间隙，第一表面与第二表面均为弧面，且第一表面的弯曲方向与第二表面的弯曲方向相同，第一模板与第二模板可拆卸连接；第一模板的一端在间隙的出口处具有第一晶体成型面，第二模板的一端在间隙的出口处具有第二晶体成型面，第一晶体成型面与第二晶体成型面位置相对。
蓝宝石装甲制备模具装置制造工艺

[实用新型]一种炉体提拉组件-CN202222563081.9有效
发明人：华焱;刘森;李东 -专利权人：常州四杰机械科技有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶炉技术领域，尤其是一种炉体提拉组件，包括提拉头，所述提拉头一侧设置有驱动装置，所述驱动装置连接有牵引件，所述牵引件连接有夹头，所述夹头内安装有籽晶，所述牵引件包括钨丝绳，所述钨丝绳一端连接有高温端子，所述钨丝绳另一端与所述升降块连接，所述钨丝绳上套设有保护套；通过设置保护套减少钨丝绳的末端受到的热辐射，延缓钨丝绳的老化速度，减小钨丝绳易断裂的概率，所述夹头上设置有连接件，所述连接件与所述高温端子可拆卸连接，通过设置连接件将夹头与高温端子连接在一起，从而使牵引件带动籽晶移动。
一种炉体提拉组件

[实用新型]一种单晶炉副炉室用延长室-CN202321029514.0有效
发明人：姜旭阳 -专利权人：浙江奔博精密机械有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种单晶炉副炉室用延长室，包括依次连接的上筒体、中筒体和下筒体，所述的上筒体上、下端外边缘分别设有上连接法兰、下连接盘，下筒体上、下端外边缘分别设有上连接盘、下连接法兰，所述的上筒体、中筒体和下筒体内部设有的通腔分别与提升机构和副室内部相连通，所述的上筒体、中筒体和下筒体均为波纹管，所述的中筒体上、下端外边缘分别设有上盘、下盘。本实用新型的有益效果是：延长室分为上筒体、中筒体和下筒体，可仅仅更换损坏的筒体部分，减少成本投入；而且每个筒体为波纹管，可调整整体的拉伸长度，然后使用上螺母、下螺母将上连接盘、下盘、上盘、下连接盘、上连接法兰相对固定，操作方便。
一种单晶炉副炉室用延长

[实用新型]一种单晶炉用惰性气体的供给系统-CN202320858793.5有效
发明人：朱刚;何彦甫;葛亮 -专利权人：浙江天孚绿能科技有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单晶炉用惰性气体的供给系统，包括单晶炉、第一供气管线、第一缓冲罐、第二缓冲罐、第二供气管线、高纯氩气供气管和高纯氮气供气管；所述第一缓冲罐的进气口与高纯氩气供气管相连通，所述第一缓冲罐的出气口通过第一供气管线与单晶炉主室和单晶炉副室相连通；第二缓冲罐通过氩气连通管与高纯氩气供气管相连通，且所述第二缓冲罐还设置有高纯氮气供气管，所述第二缓冲罐的出气口通过第二供气管线与单晶炉副室相连通。本实用新型的优点：利用使用单晶硅工厂副产的氮气和氮氩混合气来代替高纯氩气供单晶炉副室充常压和置换，从而降低了高纯氩气的消耗，最终降低单晶硅生产成本。
一种单晶炉用惰性气体供给系统

[实用新型]带观察窗的单晶炉炉盖-CN202320972122.1有效
发明人：倪建刚 -专利权人：浙江浩祥精密机械制造有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶炉领域，具体公开了一种带观察窗的单晶炉炉盖，观察窗包括设于炉盖本体上的观察口、钢化玻璃、环形的压板、弹簧、密封圈以及螺杆，观察口处外围形成环形槽，所述弹簧位于环形槽内，环形槽外围形成凸环，所述弹簧的上方设有密封圈，密封圈的内圈设有放置钢化玻璃的凹槽，所述压板内圈压紧钢化玻璃、密封圈内圈以及弹簧于环形槽内，所述压板的外圈压紧密封圈外圈于凸环顶面，所述螺杆穿过凸环和密封圈外圈螺纹连接凸环顶面，所述凸环下表面设有插入密封圈内圈的凸部。螺杆会向下压紧压板于凸环上，弹簧会向上压紧密封圈于压板上，一方面能实现密封圈的密封压紧，另一方面能够给螺杆一个反作用力，避免螺杆因为震动松动。
观察窗单晶炉炉盖

[发明专利]一种用于单晶炉副室的可变径清理装置-CN202311038781.9在审
发明人：杨宇;关树军;洪华;路建华;曾宏强 -专利权人：乐山市京运通新材料科技有限公司
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于单晶炉副室的可变径清理装置，包括，固定机构，所述固定机构包括固定盘；旋转机构，所述旋转机构包括转盘；锁扣机构，所述锁扣机构包括按压部和以十字方式连接的第一连接杆和第二连接杆；伸缩机构包括与副室内壁接触的弧形片，与弧形片内周面固定连接的伸缩杆；所述转盘位于固定盘的上方，第一连接杆的顶端与按压部固定连接，第一连接杆的底端依次穿过转盘和固定盘，伸缩杆位于固定盘的内部，远离弧形片的伸缩杆一端穿过转盘，所述第二连接杆的一端在固定盘进行滑动，另一端使转盘旋转带动伸缩杆进行扩张运动。有效提高副室的干净程度、单晶生长成晶率及单晶品质，降低断线率。
一种用于单晶炉副室可变清理装置

[发明专利]一种利用铜或铜合金制备的单晶炉水冷热屏及其制备方法-CN202210897951.8有效
发明人：马明月;庾高峰;张航;李雷;宁超;王文斌 -专利权人：陕西斯瑞新材料股份有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用铜或铜合金制备的单晶炉水冷热屏及其制备方法，涉及铜合金制备技术领域，单晶炉水冷热屏包括相互套接的锥段外筒和锥段内筒，锥段外筒底部设有直段外筒，锥段内筒底部设有直段内筒，锥段外筒和锥段内筒之间形成用于过水的第一环形空间，直段外筒和直段内筒之间形成用于过水的第二环形空间，第一环形空间和第二环形空间之间设有环形挡板。单晶炉水冷热屏的制备方法包括以下步骤：S1、内外筒制备；S2、导流通路制备；S3、环形空间制备。本发明优化了单晶硅生长过程的温度分布，并与提拉速度相匹配，最终达到增加提拉速度以及提高生产效率的目的。
一种利用铜合金制备单晶炉水冷及其方法

[实用新型]一种直拉单晶水冷屏用辅助结构-CN202321297468.2有效
发明人：李磊;杨志;樊国庆 -专利权人：内蒙古中环晶体材料有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本申请提供一种直拉单晶水冷屏用辅助结构，包括熔硅时配置于水冷屏内侧的罩体，所述罩体与所述水冷屏之间构置有缝隙。本申请一种直拉单晶水冷屏用辅助结构，主要用于熔硅时改善气流的流向，以使气流更多地作用在水冷屏内壁上，气流沿水冷屏内壁可带走更多的硅粉，从而可降低硅粉粘附在水冷屏内壁上的几率；同时还可降低熔硅液面表面发生跳硅的现象，避免熔硅随气泡飞溅到水冷屏内壁。
一种直拉单晶水冷辅助结构

[实用新型]一种保温盖和单晶炉-CN202320141803.3有效
发明人：丁攀;赵鹏;贾祯;吉祥;马明 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种保温盖和单晶炉，所述保温盖为环形保温盖，所述环形保温盖包括多个扇形盖板，其中沿所述环形保温盖的周向方向，多个扇形盖板依次连接并围合形成所述环形保温盖。可以减少热场的热量损失，集中温度分布，增加热场对流的稳定性，进而提高热场的保温性能。
一种保温单晶炉

[实用新型]一种坩埚轴防护结构-CN202321128620.4有效
发明人：吴建科;吴金鹏 -专利权人：宁夏银佳新能源有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供的一种坩埚轴防护结构，涉及单晶炉技术领域。该一种坩埚轴防护结构，包括密封单元，以及设置在密封单元上端的操作部，密封单元的侧边布置有延长部，延长部活动安装在密封单元的内部，将密封单元中的防护架放置在坩埚轴的槽坑上端，将坩埚轴上端防护住，避免在单晶炉热场时外部的杂质或是灰尘进入坩埚轴内部，对坩埚轴内部造成污染，同时设置的集料槽呈下凹状，灰尘杂质落入防护架上端，清理完毕后通过操作部上提时，杂质不会下落至下端的坩埚轴内部，对坩埚轴进行有效保护。
一种坩埚防护结构

[发明专利]一种拉晶系统和硅氧化物收集方法-CN202310618505.3在审
发明人：韩昀钊;谢志宴;韩伟;杜超;杜倩;邓浩 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本公开涉及一种拉晶系统和硅氧化物收集方法，该拉晶系统包括拉晶炉、硅氧化物收集单元以及气体回收单元，硅氧化物收集单元的入口与拉晶炉的内部连通，硅氧化物收集单元的出口与气体回收单元的入口连通，硅氧化物收集单元能够对来自拉晶炉的气体中的硅氧化物进行收集。气体回收单元进行工作时，气体回收单元能够将拉晶炉内的气体抽出，当气体经过硅氧化物收集单元时，且该硅氧化物收集单元能够对从拉晶炉内排出的气体中的硅氧化物进行收集，从而实现对硅氧化物的有效回收，避免硅氧化物的浪费。
一种晶系氧化物收集方法

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