[发明专利]一种用于制造准单晶籽晶用9英寸直拉单晶硅的生长方法有效
| 申请号： | 201310130245.1 | 申请日： | 2013-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN103194792A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 张忠安;张忠华;凌继贝;高岩 | 申请（专利权）人： | 江西豪安能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/36 | 分类号： | C30B15/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造准单晶籽晶用9英寸直拉单晶硅的生长方法，该方法包括如下步骤：拆炉，清炉；装炉、装料；抽空、检验；加温、化料；引晶、放肩；转肩、等径；收尾；停炉。与目前使用的8英寸单晶切割而成的准方籽晶相比，用9英寸单晶加工的准单晶籽晶为方形，有利于提高铸锭的单晶比例从而提高准单晶的转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制造 准单晶 籽晶 英寸 单晶硅 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造准单晶籽晶用9英寸直拉单晶硅的生长方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：(1)、将石墨件，包含上保温筒、盖板和夹层式导流筒，从单晶炉内取出放到清炉车上，然后转移到清炉房清理，同时用吸尘器将炉内吸干净；(2)、将清理好的石墨件，包含上保温筒、盖板和夹层式导流筒，装入单晶炉内，将石英坩埚放入石墨坩埚上并将硅料装入石英坩埚内；(3)、合上单晶炉，抽真空，屏漏率，检查合格后，打开氩气阀；(4)、按下加热开关，打开自动化料程序，开始化料；(5)、手动引晶200mm，然后按下自动放肩程序放肩；(6)、当肩直径达到210mm时，按下自动转肩程序转肩，当直径到达220‑228mm时，按下自动等径程序；(7)、当单晶到达目标长度后，按下自动收尾程序；(8)、当尾巴长度大于200mm后，按下自动停炉程序，停炉冷却，完成晶体生长。
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