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[实用新型]石英埚盖-CN201521016983.4有效
发明人： 宋都明;孙毅;王林;张颂越 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于直拉单晶硅的石英埚的石英埚盖。石英埚盖上设有用于单晶硅生长的中心孔，石英埚盖的下沿内表面与石英埚上端外表面紧密配合。通过对石英埚头部增加石英埚盖，可以有效的减少AR（氩气）进入石英埚内的含量，从而减少液面SiO的挥发速度，增加单晶硅的氧含量。常规采用没有石英埚盖制备单晶硅的氧含量为9-11E16atm/cm³,而增加本石英埚盖后，制备单晶硅的氧含量为15-17E16 atm/cm³。
石英

[发明专利]一种P型合金制备工艺-CN201510904708.4在审
发明人：孙毅;王林;王淼;陈建梅;岳彩广;李豹;宋都明 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： C30B29/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型合金制备工艺。其步骤：先将电子级原料装在石英埚内，再添加少量硼粉；控制炉压小于15mtorr，抽真空；将功率升至70kw，原料充分溶解；将功率下降至45kw，持续30分钟；将石英埚位上升至0埚位；氩气流量为60slpm，炉压为17torr；开启石英锅埚转，将石英锅内的硼元素搅拌均匀；将功率匀速降至0kw；停火焖至4小时；拆炉时取出焖埚料，用腐蚀液对取出的焖埚料表面进行腐蚀，腐蚀后的焖埚料即为制备出的P型合金。本工艺制备周期较短，两天即可完成，而常规合金的制备周期需要至少一周时间。采用本工艺制备的合金头部电阻率偏差较小，与控制目标偏差仅为2%。
一种合金制备工艺

[发明专利]一种提高直拉硅单晶拉速的结构-CN201510904659.4在审
发明人：王林;高润飞;宋都明;陈建梅;张寿星;张颂越;王淼 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高直拉硅单晶炉拉速的结构，包括热屏上内胆、碳毡、热屏外胆、热屏下内胆，热屏下内胆为上口小、下口大的锥形斜面，与坩埚内硅熔液液面夹角为45-90°，热屏上内胆、热屏下内胆与热屏外胆之间填充碳毡，热屏上内胆、热屏下内胆材质选用钼、石墨或石英，技术效果是，结构简单，明显提高拉速，对RRV有改善效果。
一种提高直拉硅单晶拉速结构

[发明专利]一种直拉重掺砷低电阻硅单晶的装置-CN201510904680.4在审
发明人：王林;高润飞;宋都明;陈建梅;张寿星;张颂越;王淼 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种重掺砷低电阻硅单晶的装置，包括热屏内胆、热屏外胆、石英锅、碳毡、石英环、石英环导向管，石英环为用石英拉制出一石英管和在其上有数根石英环导气管导通管，且数根石英环导气管相对石英管成垂直弯曲，热屏内胆、碳毡、热屏外胆上有与石英环导气管数量相同的通孔，石英环导向管固定于孔内，使石英环导向管外壁距石英锅内壁20-100mm,石英环导气管插于石英环导向管内并可自由滑动，使用时，砷置于石英管内，通过在炉盖上安装的提升装置使石英环上下升降于石英锅内硅熔液液面之上，技术效果是，结构简单，改造容易，通过石英环的上下升降，让重掺砷杂质的挥发速率能够满足低阻的要求。
一种直拉重掺砷低电阻硅单晶装置

[发明专利]一种多次给直拉单晶炉加料的装置-CN201510904679.1在审
发明人：王林;高润飞;宋都明;陈建梅;张寿星;张颂越;王淼 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种多次给直拉单晶炉加料的装置，包括固定樑、提臂、抓手可一定角度旋转，抓手固定轴端头固定抓手，固定樑的长臂端有沿长臂方向的矩形开口，在开口两侧壁有数个销孔，孔径与提臂的通孔孔径相同，提臂插于固定樑的矩形开口内并用销子固定于固定樑上，且提臂可在销子上转动，提臂相对于固定樑的短臂端内侧固定一个抓手固定轴可任意旋转，抓手固定轴端头固定抓手，钢缆一端固定于直拉单晶炉上方提升机构、另一端固定于提臂的无抓手端头，技术效果是，解决了棒料再次应用，减少了棒料杂碎清洗带来的原料的沾污的风险，降低了成本。
一种多次直拉单晶炉加料装置

[实用新型]一种内置复投装置-CN201320084483.9有效
发明人： 宋都明;王寅生;李海彬;王清泉;张颂越 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2013-02-25 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种内置复投装置，包括筒体、设置在所述筒体内的导轨以及活动插设在所述导轨内的内杆，所述筒体上端设有入料口，所述筒体下端设有放料口，所述筒体外壁上设有外凸的平台，所述内杆的上端设有缆绳连接部，所述内杆的下端设有与所述放料口相配合的放料阀门。本实用新型的有益效果是：成本低，装料方便且不易洒料，减小了对复投原料的尺寸限制，块料损失少，利用该装置进行复投生产出的所需单晶的入档率高，成晶效果好。
一种内置装置

[发明专利]复投装置及利用具备该装置的设备生产直拉单晶的方法-CN201310058262.9无效
发明人： 宋都明;王林;陈澄;王寅生;张颂越;田志民;王清泉;李海彬 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2013-02-25 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明提供一种复投装置，包括筒体、设置在所述筒体内的导轨以及活动插设在所述导轨内的内杆，所述筒体上端设有入料口，所述筒体下端设有放料口，所述筒体外壁上设有外凸的平台，所述内杆的上端设有缆绳连接部，所述内杆的下端设有与所述放料口相配合的放料阀门。本发明还提供一种利用具备上述复投装置的设备生产直拉单晶的方法，包括以下步骤：首次投料；拉制一段单晶并收尾取出；利用复投装置复投原料；化料后拉晶收尾取出；根据生产的需求选择是否再次复投。本发明的有益效果是：成本低，装料方便且不易洒料，减小了对复投原料的尺寸限制，具有块料损失少，成晶效果好，无需二次加工，所需单晶的入档率高，节省成本等优点。
装置利用具备设备生产直拉单晶方法

[发明专利]8寸<110>磁场直拉单晶的制备方法-CN201310058246.X有效
发明人： 宋都明;王林;田志民;王清泉;张颂越 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2013-02-25 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种8寸<110>磁场直拉单晶的制备方法，依次包括以下步骤：装料、加热化料、打开电磁场、稳温、引细径、放肩、收肩、等径生长、收尾、提起降温和出炉。稳温后，使已熔化原料的液面温度为1450℃，SP值设定为1300；从开始引细径到放肩结束，使得SP值下降80-120个单位；引细径时所用拉速为350-450mm/min，利用点拉法引细径，所述细径长度为200-300mm，所述细径直径为3-5mm；放肩时使拉速在5min之内由350-450mm/min降至40-60mm/min后，保持所述放肩过程的拉速不变，使肩部角度为30-60°。本发明的有益效果是：提高了8寸<110>单晶的一次成晶率，降低了开炉拉晶时间，节省成本。
110 磁场直拉单晶制备方法

[发明专利]一种拉制8英寸重掺砷硅单晶的热系统-CN201310058263.3有效
发明人：陈澄;王林;朱鹏浩;宋都明;李亚哲;刘一波 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2013-02-25 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明提供一种拉制8英寸重掺砷硅单晶的热系统，包括导流筒、保温盖和上保温筒，所述上保温筒上设有保温盖，所述保温盖的一端连接所述导流筒，其特征在于：所述上保温筒的高度为220mm，所述导流筒的高度为349mm。本发明的有益效果是解决了由于径向温度梯度偏小导致宽面过大成晶异常的问题，同时解决了由于宽面过大影响CCD信号取值困难影响成晶信号波动的问题。
一种拉制英寸重掺砷硅单晶系统

[发明专利]一种制备8寸低氧单晶的方法-CN201310058518.6无效
发明人： 宋都明;王林;王寅生;李海彬;张颂越;王清泉;田志民 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2013-02-25 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种制备8寸低氧单晶的方法，其特征在于：在拉制8寸单晶的炉体周围施加CUSP磁场，通过改变所述磁场的高度、调节所述磁场电流大小，来改变所述磁场强度，抑制熔体内部的对流，从而减少单晶中的氧含量。本发明的有益效果是：对炉体周围施加CUSP磁场，通过抑制熔体中的热对流，并结合调节氩气流量大小；与坩埚的反应速度；晶转和埚转强制对流来控氧，使氧含量明显降低，具有能耗低、产率高、工艺简单、成本低的优点。
一种制备低氧方法

[发明专利]一种提高直拉硅单晶电阻率均匀性的行波磁场法-CN201210059757.9有效
发明人：菅瑞娟;张雪囡;李建宏;李亚哲;刘一波;宋都明 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高直拉硅单晶电阻率均匀性的行波磁场法，其特征在于，通过在单晶炉外部安装行波磁场发生器，在拉晶过程中向硅熔体施加行波磁场；所述行波磁场发生器采用圆筒型发生器，圆筒型发生器产生的圆筒型行波磁场使硅熔体的对流具有轴对称性，行波磁场N极和S极的间距为1～50cm，磁场的最大强度为400～800Gauss，磁场速度为1～4cm/s；通过磁场作用，促进同一水平高度的硅熔体对流，稳定硅熔体对流形状和强度，通过调整对流路径和增加对流强度，最终使掺杂剂在硅熔体中的分布更佳均匀，有效促进硅熔体的对流，抑制高浓度掺杂剂的向下沉积问题，提高直拉重掺硅单晶的径向电阻率均匀性。
一种提高直拉硅单晶电阻率均匀行波磁场

[发明专利]一种提高直拉重掺硅单晶径向电阻率均匀性的方法-CN201210061381.5无效
发明人：张雪囡;徐强;陈澄;宋都明;王林;邬丽丽;苗向春 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-03-10 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高直拉重掺硅单晶径向电阻率均匀性的方法，其特征在于：旋转磁场发生器安装在旋转磁场发生器支架上，并套装在直拉炉（的外距离直拉炉外壁1～25cm处，在直拉法拉晶过程中开启旋转磁场发生器对硅熔体施加旋转磁场,其旋转频率为1～19Hz。本发明的技术特点是可以有效促进硅熔体的对流，抑制高浓度掺杂剂的向下沉积问题，提高直拉重掺硅单晶的径向电阻率均匀性。
一种提高直拉重掺硅单晶径向电阻率均匀方法

[发明专利]一种低成本直拉硅单晶的生产方法-CN201210061382.X无效
发明人：菅瑞娟;李建宏;李立伟;张雪囡;徐强;宋都明;汪雨田 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-03-10 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种低成本直拉硅单晶的生产方法。其特征在于：.在化料过程中，硅料温度低于1280℃时向炉内通入氮气，硅料温度高于1280℃后将通入炉内的气体由氮气改为通入氩气；在停炉10～20min后，将通入炉内的气体由氩气改为氮气。本发明的技术特点是在化料和停炉两个步骤中将通入的氩气改为通入氮气，降低了直拉硅单晶的生产成本，同时不会产生有害的Si3N4固体，保证了成晶率。
一种低成本直拉硅单晶生产方法

[实用新型]一种防卡料直拉复投筒-CN201120386953.8有效
发明人：康冬辉;李建弘;宋都明;孙昊;菅瑞娟 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2011-10-12 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及用于生产直拉硅单晶的一种防卡料直拉复投筒。本复投筒包括投料筒、限位盘、钢丝绳和封底锥台，限位盘焊接在投料筒的顶部，限位盘中心位置上设有限位孔，钢丝绳下端与封底锥台固定连接，钢丝绳上端由限位盘上的限位孔穿出，通过连接器与晶体升降的钢丝绳相连接。本实用新型所产生的有益效果是：解决了传统复投筒在复投过程中容易出现多晶料块架料问题，从而保证复投料的顺利进行，避免了由于架料问题导致生产成本的提高。
一种防卡料直拉复投筒

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