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[发明专利]一种降低单晶头氧含量的方法-CN202210740650.4在审
发明人：段俊飞 -专利权人：乌海市京运通新材料科技有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种降低单晶头氧含量的方法，属于直拉单晶硅技术领域，所要解决的技术问题是直拉法单晶硅的生长过程中头部的氧含量高的问题，采用的技术方案包括如下步骤：安装热场，装有原料的石英坩埚使用吊料车吊入炉内本发明用于直拉法单晶硅生长，可以降低单晶硅头氧含量0.8‑1.5ppma。
一种降低单晶头氧含量方法

[发明专利]一种盐酸甲氧明的单晶及其制备方法-CN202010810011.1在审
发明人：陈海龙;岳峰;曾少群;柯海媚;何兆昌 -专利权人：广东嘉博制药有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： C07C217/70 文献下载
摘要：本发明提供了一种盐酸甲氧明的单晶及其制备方法，分别为赤式盐酸甲氧明单晶和苏式盐酸甲氧明单晶，赤式盐酸甲氧明单晶由两分子赤式盐酸甲氧明组成，组成赤式盐酸甲氧明单晶的两分子赤式盐酸甲氧明互为对映异构体；苏式盐酸甲氧明单晶由两分子苏式盐酸甲氧明组成，组成苏式盐酸甲氧明单晶的两分子苏式盐酸甲氧明互为对映异构体。本发明的赤式盐酸甲氧明单晶与苏式盐酸甲氧明单晶在单晶的晶体参数上存在显著的差异，能够清楚的将赤式盐酸甲氧明单晶与苏式盐酸甲氧明单晶区别开来，为质控检测区分赤式盐酸甲氧明和苏式盐酸甲氧明提供了一种新的依据，克服了现有的核磁共振方法难以区分赤式盐酸甲氧明和苏式盐酸甲氧明的缺陷。
一种盐酸甲氧明及其制备方法

[实用新型]一种单晶炉用环形降氧工装及系统-CN202223493656.0有效
发明人：杨春祥;石鑫;董宇豪;何阳 -专利权人：乐山市京运通新材料科技有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶炉技术领域，公开了一种单晶炉用环形降氧工装及系统，其中单晶炉用环形降氧工装，包括若干个弧形阻热装置，弧形阻热装置安装在单晶炉内的环形加热器的下方，弧形阻热装置安装在环形加热器上的相邻的两个脚板之间；单晶炉用环形降氧系统，包括单晶炉和上述的单晶炉用环形降氧工装。本实用新型能够解决单晶炉内的高氧问题，提高了生成的单晶硅的品质。
一种单晶炉用环形工装系统

[发明专利]单晶硅棒间隙氧含量的测量方法及装置-CN202110226443.2有效
发明人：兰洵;全铉国 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶硅棒间隙氧含量的测量方法及装置，属于半导体技术领域。单晶硅棒间隙氧含量的测量方法包括：沿单晶硅棒的长度方向，利用红外线测量待测单晶硅棒预设位置处的间隙氧含量吸收系数；获取待测单晶硅棒预设位置处的校准因子；根据所述校准因子和所述间隙氧含量吸收系数计算所述待测单晶硅棒预设位置处的间隙氧含量本发明能够准确测量单晶硅棒的间隙氧含量。
单晶硅间隙含量测量方法装置

[发明专利]单晶硅生长超声波控氧技术-CN201510899269.2有效
发明人：张俊宝;宋洪伟 -专利权人：上海超硅半导体有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明技术是一种单晶硅生长超声波控氧技术；在硅熔体的表面引入一组超声波，超声波振头均匀分布在与硅单棒和坩埚同轴的圆上。超声波振头之间的距离为振头到坩埚壁距离的1.5‑2倍。超声波振头由高纯石英材料制成，伸入到硅熔体表面以下10‑15mm开，并在晶体生长过程中始终保持同一深度。在硅单晶等径生长过程中，引入超声波振荡，抑制坩埚附近的高氧浓度区的热自然对流，加速晶转引起的硅熔体从中心向四周的流动，促进氧在自由表面的挥发，同时降低熔体中的Si‑O气体的溶解度，促进Si‑O在熔体表面的挥发，从而控制晶体中的氧含量。
单晶硅生长超声波技术

[发明专利]一种用于MCZ法拉制单晶硅的降氧工艺及装置-CN201610727739.1在审
发明人：柯小龙;周小渊;陈娟;苏波;钟朋格;马占东 -专利权人：宁夏中晶半导体材料有限公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：一种用于MCZ法拉制单晶硅的降氧工艺及装置，采用单晶炉拉制单晶硅棒，特征在于待单晶原料完全反应溶化成液态，在单晶炉中轴石墨夹头上安装搅拌器装置，根据溶硅氧含量要求设定搅拌时间，对溶硅进行搅拌作业；降氧装置是由转轴和叶片组成的搅拌器装置，转轴为下粗上细的变径式轴杆，叶片均匀分布固定安装在转轴的下端头上，转轴的上端头为单晶炉中轴石墨夹头连接头。有益效果在于：相比其他降氧方式和手段，本发明能耗低，操作简单，见效快，有效避免了单晶头部氧含量偏高的问题；并且结合单晶炉的其它常规降氧可进一步提高单晶硅棒拉制降氧效果，提高了单晶硅棒利用率，降低了生产成本
一种用于 mcz 法拉制单工艺装置

[发明专利]单晶硅的氧浓度推定方法、单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置-CN202180082624.0在审
发明人：下崎一平;高梨启一 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提供一种能够防止单晶硅的氧浓度的两极化来制造相同品质的单晶硅的单晶硅的氧浓度推定方法、单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置。根据本发明的单晶硅的氧浓度推定方法，在对石英坩埚内的硅熔体施加横磁场的同时提拉单晶硅时，测量熔液面高度即间隙(S21)，并根据熔液面高度即间隙的微小变动推定单晶硅的氧浓度(S22～S26)。
单晶硅浓度推定方法制造装置

[发明专利]测量单晶硅间隙氧含量的方法及装置-CN202010776371.4在审
发明人：衡鹏;徐鹏 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： G01N21/3504 文献下载
摘要：本发明提供了一种测量单晶硅间隙氧含量的方法及装置，属于半导体技术领域。测量单晶硅间隙氧含量的方法，包括：将单晶硅样品切割成固定尺寸的单晶硅样品块；形成包覆所述单晶硅样品块表面的保护膜，所述保护膜不含氧元素；对所述单晶硅样品块进行煅烧，对煅烧得到的气体进行检测，得到所述单晶硅样品块的氧含量本发明能够有效提高氧含量的数据的准确性。
测量单晶硅间隙含量方法装置

[发明专利]生产高强度直拉硅单晶用的籽晶的制备方法-CN200410053863.1无效
发明人：杨德仁;余学功;李东升;马向阳;阕端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2004-08-17 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明的生产高强度直拉硅单晶用的籽晶的制备方法，步骤如下：选择间隙氧浓度在(3～30)×10¹⁷cm^－3直拉硅单晶，先在350～1300℃温度范围热处理10分钟～60小时，然后，再将硅单晶切割加工成圆柱形或长方形籽晶；或者首先将间隙氧浓度在(3～30)×10¹⁷cm^－3直拉硅单晶切割加工成圆柱形或长方形籽晶，然后，再在本发明方法简单易行，通过选择适当氧浓度的直拉硅单晶进行热处理，使得直拉硅单晶体内生成一定量的氧沉淀，这些氧沉淀可以增加硅单晶的机械强度。由此也就获得了高机械强度的籽晶，用于直拉硅单晶的生长，可有效提高直拉硅单晶生长的生产效率。
生产强度直拉硅单晶用籽晶制备方法

[发明专利]一种单晶硅拉制用降氧保护装置-CN202310373095.0有效
发明人：陈伟;吴超慧;李林东;张鹏;陈志军;许堃;李安君;邢立勋;毛亮亮 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司;云南宇泽半导体有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及单晶炉的技术领域，特别是涉及一种单晶硅拉制用降氧保护装置，其能够有效减少单晶硅内的氧含量，提升晶体硅的性能；包括：单晶炉，单晶炉内部安装有坩埚，坩埚圆周外部设置有加热器，加热器用于对坩埚内部熔融状态下的硅液进行加热；搅拌机构，搅拌机构可拆卸安装在单晶炉顶部，搅拌机构用于将硅液表面的一氧化硅旋转至外围；抑氧瓦，单晶炉内对称安装有两组驱动机构，两片抑氧瓦分别依靠支撑臂安装在驱动机构上，驱动机构用于将抑氧瓦推入至坩埚内部的硅液上方，并使抑氧瓦一部分伸入至硅液表面以下，两片抑氧瓦合并后将漂浮在硅液表面的一氧化硅隔离在抑氧瓦外壁与坩埚内壁之间。
一种单晶硅拉制用降氧保护装置

[发明专利]生产单晶氧氮化铌膜的方法和在单晶氧氮化铌膜上产生氢气的方法-CN201580002747.3在审
发明人：菊地谅介;野村幸生;羽藤一仁;田村聪;藏渕孝浩 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2015-10-06 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种生产适合用于氢气发生装置的单晶氧氮化铌膜的方法。本发明提供一种生产单晶氧氮化铌膜的方法，所述单晶氧氮化铌膜是由化学式NbON表示的氧氮化铌形成的；此方法包括：(a)在选自经氧化钇稳定的氧化锆基材、氧化钛基材和钇‑铝复合氧化物基材的一种基材上外延生长单晶氧氮化铌膜
生产单晶氧氮化方法铌膜上产生氢气

[发明专利]一种掺杂砷化镓单晶晶体生长工艺-CN202010784202.5有效
发明人：高佑君;柴晓磊;樊海强 -专利权人：山西中科晶电信息材料有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料制备技术领域，更具体而言，涉及一种掺杂砷化镓单晶晶体生长工艺，通过在多晶合成、单晶生长两个环节中添加与氧反应活性大的物资吸收了环境中及砷、镓以及石英管在高温过程中释放的氧，避免了氧对进入多晶及单晶极大减弱了氧污染对材料性能的影响。多晶合成过程中进行Si掺杂，实现硅进入砷化镓并进行有效的占位，没有氧化硼的存在，多晶合成不会导致B对多晶的污染。单晶生长过程中在石英管中放置C、Al或Ti吸收石英管内的氧，控制单晶中的氧含量，不再添加多晶已掺杂的杂质。单晶生长时放入氧化硼提高单晶率的同时，实现对杂质的选择性吸附。达到需要的晶体性能。
一种掺杂砷化镓单晶晶体生长工艺

[发明专利]外延晶圆的制造方法-CN202180088195.8在审
发明人：铃木克佳 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延晶圆的制造方法，是在单晶硅晶圆上形成单晶硅层的外延晶圆的制造方法，包含以下工序：通过氢氟酸将所述单晶硅晶圆表面的自然氧化膜去除；在已去除所述自然氧化膜的所述单晶硅晶圆的表面形成氧原子层；以及在形成有所述氧原子层的所述单晶硅晶圆的表面上使所述单晶硅层外延生长，其中，使所述氧原子层的氧的平面浓度为1×1015atoms/cm2由此，提供一种能够将氧原子层稳定且简便地导入至外延层，且具有优质的单晶硅外延层的外延晶圆的制造方法。
外延制造方法

[发明专利]SiC 单晶晶片及其制造方法-CN201080048942.7有效
发明人：楠一彦;龟井一人;矢代将齐;小池淳一 -专利权人：住友金属工业株式会社
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及能够生长晶片来源的缺陷得以抑制的优质外延膜的SiC单晶晶片，该SiC单晶晶片的表面变质层的厚度为50nm以下，SiC单晶部分中的氧含量为1.0×1017原子/cm3以下。该SiC单晶晶片可由高纯度SiC块状单晶制作，该高纯度SiC块状单晶通过使用氧含量100ppm以下的原料和氧浓度100ppm以下的非氧化性气氛的熔液生长法获得。
sic 晶片及其制造方法

[发明专利]一种降低直拉单晶氧施主的方法-CN201410616737.6在审
发明人：马洋;陈康;王军磊;王建平;谷守伟;贾海洋;王永青;梁山;王岩;徐强;郝勇 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低直拉单晶氧施主的方法，包括引晶步骤、放肩步骤、转肩步骤、等径步骤、收尾步骤和控氧步骤。本发明的优点在于，本发明采用降低炉压加快主泵抽气速率，增大氩气流量，更快的带走SiO挥发气体，减少进入熔硅中氧的含量；降低单晶生长的坩埚的转速，减缓熔硅与石英坩埚反应，减少进入熔硅中氧的含量，从而减少进入单晶中氧含量，从根源上降低P型单晶氧施主效应；增大籽晶的转速，加快结晶潜热释放，提高冷却速度，让单晶快速通过氧施主形成区域，降低氧施主效应。
一种降低直拉单晶氧施主方法

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