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[其他]采用氮保护气氛制造直拉(切氏法)硅单晶的方法-CN101985000000295在审
发明人：阙端麟;李立本;林玉瓶 -专利权人：浙江大学
申请日： 1985-04-01 - 公布日： 1986-02-10 - 主分类号：文献下载
摘要：本发明属于直拉（切氏法）硅单晶生长技术领域。采用纯氮作为直拉硅单晶的保护气体，所用的氮气纯度为９９．９９９％以上，进入炉内氮气压力为０．５～６０托，氮气流量为２～５０升／分，所用的充氮设备及控制方法与充氩工艺相同。由于氮气来源丰富，价格低廉，可大幅度地降低硅单晶生产成本，提高硅单晶质量，产生积极的经济效果。
采用保护气氛制造切氏法硅单晶方法

[发明专利]单晶炉及利用该单晶炉制备晶棒的方法-CN201910992640.8在审
发明人：薛抗美 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了单晶炉及利用该单晶炉制备晶棒的方法，单晶炉包括：单晶炉本体、石英坩埚、籽晶、第一加热器、第二加热器、导流筒和第三加热器，单晶炉本体内限定出容纳空间；石英坩埚设在容纳空间；籽晶可垂直移动地设在石英坩埚上方且可伸入熔硅中以便直拉长晶得到晶棒；第一加热器设在单晶炉本体内且位于石英坩埚的下方；第二加热器设在单晶炉本体内且环绕石英坩埚的侧壁；导流筒设在石英坩埚上方且环绕晶棒的一部分；第三加热器包括螺旋加热丝、正极脚和负极脚，螺旋加热丝的螺径自上而下减小
单晶炉利用制备方法

[发明专利]一种微氮低氧低碳直拉硅单晶的制备方法-CN88100307.7无效
发明人：李立本;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 1988-01-20 - 公布日： 1989-04-05 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种微氮低氧低碳直拉硅单晶的制备方法应用外加磁场的单晶炉，以纯度为99.99%的氦气或氢-氮混合气作为保护气体，通过合理控制炉内压力、气体流量等工艺制备微氮低氧低碳直拉硅单晶。该方法制备的硅单晶，成本大幅度降低，其硅片在器件工艺中不易翘曲和破碎，成品率高，优品率增加。适合于制备2″～6″或更大直径直径的硅单晶，是制造大规模集成电路和超大规模集成电路的理想材料。
一种低氧低碳直拉硅单晶制备方法

[发明专利]一种直拉单晶炉半导体石墨坩埚-CN202010685914.1在审
发明人：武建军;张培林;柴利春;张作文;王志辉 -专利权人：大同新成新材料股份有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉单晶炉半导体石墨坩埚，包括底座，所述底座顶部的中间位置处设置有单晶炉体，所述单晶炉体的顶部设置有单晶炉盖，所述单晶炉盖底部的一侧设置有安装仓，所述安装仓内部的底部设置有伺服电机，所述伺服电机的输出端设置有齿轮B，所述单晶炉体内部的中间位置处设置有坩埚，所述坩埚底部的中间位置或促设置有坩埚轴，且坩埚轴延伸至单晶炉体的外部并且贯穿底座的内部；本发明装置通过插杆、插孔、套筒A、安装块B、单晶炉盖、滑轨、铰接杆、插孔和坩埚的相互配合
一种直拉单晶炉半导体石墨坩埚

[实用新型]一种提高CZ法高阻半导体单晶轴向电阻率均一性的装置-CN202221394323.X有效
发明人：孔凯斌;王彦君;孙晨光;周宏邦;王淼;娄中士;侯明超;贾海洋;张强;刘伟;王立刚 -专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种提高CZ法高阻半导体单晶轴向电阻率均一性的装置，包括气掺装置和磁场装置，其中，气掺装置设于单晶炉内，且气掺装置环设于单晶硅棒的周侧，用于掺杂气体的通入；磁场装置设于单晶炉的外部，用于产生勾形磁场本实用新型的有益效果是在直拉单晶中利用气掺装置与磁场装置相配合，进行气相掺杂，能够克服直拉法单晶受到硼/磷单质分凝的自然规律，改变电阻率分布头部电阻高、尾部电阻低的现状，提高符合客户规格的入档电阻率。
一种提高 cz 法高阻半导体晶轴电阻率均一装置

[发明专利]单晶硅制备方法、太阳能电池及光伏组件-CN202010624020.1有效
发明人：何丽珠;杨俊;汪沛渊;刘礼猛;徐翔;白枭龙;尚伟泽 -专利权人：晶科绿能(上海)管理有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种掺镓和掺氮的单晶硅棒的制备方法，所述制备方法包括：使单质镓与多晶硅在单晶炉内混合，通过直拉拉晶的方式形成掺镓直拉单晶硅；在直拉单晶硅形成的过程中，通入不同混合比例的氮气和气氩的混合气体，使氮元素进入掺镓直拉单晶硅中通过在单晶硅棒中掺杂镓来制备p型单晶，可以有效地降低p型单晶的光衰，提高电池片的转换效率。此外，在单晶硅棒的拉制过程中使用氮气作为掺杂气体，使氮元素进入单晶硅棒中，提高单晶硅棒的机械强度，改善单晶硅棒内的杂质分布状况，有利于单晶硅片薄片化以及品质的提升。
单晶硅制备方法太阳能电池组件

[实用新型]一种直拉单晶炉热场系统用的下反射板-CN201420083892.1有效
发明人：刘进;张波;周水生;董建明;罗晓斌;赵科巍;赵彩霞 -专利权人：山西潞安太阳能科技有限责任公司
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶炉领域，具体是一种直拉单晶炉热场系统用的下反射板。一种直拉单晶炉热场系统用的下反射板，该反射板中间有托杆孔，该反射板为放置在9层碳毡上的圆饼，在该圆饼上的电极孔和辅助电极孔之间的一条直径的两端有两个排气孔，在一对辅助电极孔上各覆盖一块石墨板，在每块石墨板中间开一个绝缘陶瓷放置口
一种直拉单晶炉热场系统反射

[实用新型]一种直拉法单晶炉用导流筒支撑架-CN201720051766.1有效
发明人：王琳 -专利权人：陕西西京电子科技有限公司
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型属于单晶炉技术领域，具体公开了一种直拉法单晶炉用导流筒支撑架，包括主体梯形框架、中央加强筋、多个下部支撑框、多个下部定位杆、多个上部定位杆、活动防脱杆；所述中央加强筋固定在所述主题梯形框架的两腰本实用新型的直拉法单晶炉用导流筒支撑架通过可以变形的主体梯形框架为主体，解决了在生产过程中因无应用工具造成的劳动力占用、劳动强度大及容易带来污染的问题。
一种直拉法单晶炉用导流支撑架

[实用新型]单晶炉-CN201921760718.5有效
发明人：薛抗美 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了单晶炉，包括：单晶炉本体、石英坩埚、籽晶、第一加热器、第二加热器、导流筒和第三加热器，单晶炉本体内限定出容纳空间；石英坩埚设在容纳空间；籽晶可垂直移动地设在石英坩埚上方且可伸入熔硅中以便直拉长晶得到晶棒；第一加热器设在单晶炉本体内且位于石英坩埚的下方；第二加热器设在单晶炉本体内且环绕石英坩埚的侧壁；导流筒设在石英坩埚上方且环绕晶棒的一部分；第三加热器包括加热丝、正极脚和负极脚，正极脚穿过导流筒与加热丝的一端相连采用该单晶炉在提高单晶生产效率的同时提高单晶品质。
单晶炉

[发明专利]一种提高直拉硅单晶炉热场部件寿命的方法及单晶炉-CN200510132575.X有效
发明人：吴志强;戴小林;任雨昆;姜舰;周旗钢;张果虎 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2005-12-26 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种提高直拉硅单晶炉热场部件寿命的方法及单晶炉，所述的方法是将炉内气体从位于热场上方侧壁的排气孔排出的方法；所述的单晶炉包括：石英坩埚、石墨坩埚、加热器、保温材料、金属筒、筒盖、热屏，其特征在于：在金属筒筒体的上部连接一带排气孔的上筒体本发明的优点是：硅单晶生长过程中多晶硅和石英坩埚产生的挥发物SiO的流向不再经过加热器和石墨坩埚，增加了热场部件等的寿命，同时该装置便于清扫，增加了效率。
一种提高直拉硅单晶炉热场部件寿命方法单晶炉

[发明专利]一种控制直拉单晶液面距的方法-CN202310558556.1在审
发明人：孙晨光;孔凯斌;周宏邦;贾海洋;王淼;张强;王彦君;娄中士;侯明超;刘伟 -专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种控制直拉单晶液面距的方法，包括：进入稳温工序时，调节液位检测装置至预设液面距高度；进行硅溶液表面位置探测：判断液位检测装置是否与硅溶液液面接触，若是，则控制坩埚下降，否则，控制坩埚上升；重复上述步骤，直至停炉工序，停止液面距控制。本发明的有益效果是根据液位检测装置是否与硅溶液表面接触来控制坩埚上升或下降，使得实际液面距与预设液面距相适应，在拉晶过程中实时调节实际液面距与预设液面距之间的关系，使得实际液面距与预设液面距保持动态平衡，使得实际液面距满足拉晶工艺要求，保证液面距按照工艺要求准确控制，保证直拉单晶尤其是IC级半导体单晶对温度梯度的要求。
一种控制直拉单晶液面方法

[实用新型]一种直拉法生产单晶硅过程中盛放单晶硅掺杂剂的装置-CN202120500211.7有效
发明人：万涛;王萧;熊阳 -专利权人：陕西汇德新材料科技有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直拉法生产单晶硅过程中盛放单晶硅掺杂剂的装置，包括投料筒、坩埚、炉筒、第一投料胶囊、第二投料胶囊和第三投料胶囊，所述投料筒包括卸料板、卸料口，所述第一投料胶囊的内部开设有第一放置空间本实用新型中，适用于目前所有直拉法生产单晶硅的单晶炉，并且可根据单晶炉的型号选用不同型号的投料胶囊，满足添加目的，保证了掺杂剂加入量准确无误，提升了产品的质量。
一种直拉法生产单晶硅过程盛放掺杂装置

[实用新型]一种用于拆、装单晶炉热场用装置-CN201120483373.0有效
发明人：陈斌;刘贤;陈立军;周小渊;白忠学 -专利权人：宁夏隆基硅材料有限公司;西安隆基硅材料股份有限公司;银川隆基硅材料有限公司;无锡隆基硅材料有限公司
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： B66C1/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于拆、装单晶炉热场用装置，在圆环形工装的主体上口内沿设置有止口，在圆环形工装的主体下端沿圆周设置有多个滚轮，工装的纵向两端之间沿外径设有凹槽，圆环形工装的主体下端外沿长出上端外沿。本实用新型工装，能够实现热场装配的良好对中；在直拉单晶炉用热场装配时，安装在热场底部可将热场部件与单晶炉炉底分隔开，并采用耐高温隔热材料，能够降低单晶炉功耗；因热场保温部分安装在本工装之上，利用升降小车及吊装工具
一种用于装单晶炉热场用装置

[实用新型]一种直拉单晶硅用加热器及单晶生长炉-CN201921802643.2有效
发明人：关树军;罗才军;赵智强;张伟新;陈辉 -专利权人：北京京运通科技股份有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及直拉单晶硅技术领域，公开了一种直拉单晶硅用加热器及单晶生长炉，该直拉单晶硅用加热器包括圆筒状的主发热体，主发热体的筒体上设置有沿周向交替分布的第一缝隙和第二缝隙，第一缝隙与第二缝隙均沿主发热体的轴心线方向延伸该直拉单晶硅用加热器能降低纵向的温度梯度，进而降低直拉单晶硅中的氧含量，达到减弱直拉单晶硅氧施主效应的目的。
一种单晶硅加热器生长

[其他]一种微氮低氧低碳直拉硅单晶的制备方法-CN101988000000307在审
发明人：李立本;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 1988-01-20 - 公布日： 1989-04-05 - 主分类号：文献下载
摘要：一种微氮低氧低碳直拉硅单晶的制备方法应用外加磁场的单晶炉，以纯度为９９．９９％的氮气或氩－氮混合气作为保护气体，通过合理控制炉内压力、气体流量等工艺制备微氮低氧低碳直拉硅单晶，其氧含量可低于１０ｐｐｍａ该方法制备的硅单晶，成本大幅度降低，其硅片在器件工艺中不易翅曲和破碎，成品率高，优品率增加，适合于制备２″～６″或更大直径的硅单晶，是制造大规模集成电路和超大规模集成电路的理想材料。
一种低氧低碳直拉硅单晶制备方法

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