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[实用新型]一种提高氮化镓器件外延层质量的结构-CN201921362648.8有效
发明人：廖宸梓;王柏钧;陈宪冠;叶顺闵 -专利权人：聚力成半导体（重庆）有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高氮化镓器件外延层质量的结构，要解决的是现有氮化镓器件外延层质量不佳的问题。本产品包括衬底、i‑GaN层和GaN cap层，所述衬底位于最底层，GaN cap层位于最顶层，衬底上部设置有AlN缓冲层，GaN cap层的下方设置有AlGaN barrier层，i‑GaN层设置在AlGaNbarrier层的下方，i‑GaN层的下部设置有c‑GaN层，c‑GaN层和AlN缓冲层之间设置有缓变式多层缓冲层，AlGaN barrier层和i‑GaN层之间设置有AlN spacer层。本产品利用衬底在GaN与AlN间插入缓变式多层缓冲层，缓变式多层缓冲层采用依次成长的多层AlGaN结构形成，对于晶格应力造成的翘曲,以及热膨胀不匹配性造成内应力蓄积问题,可获得大幅度改善,也形成更稳定的外延结构
一种提高氮化器件外延质量结构

[发明专利]GaN多层量子点光电材料的制作方法-CN200810150272.4无效
发明人：郝跃;高志远;张进城;李培咸 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2008-07-04 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN多层量子点光电材料的制作方法，其过程是：首先用MOCVD设备在衬底上依次生长低温缓冲层和高温Ga极性面的n－AlGaN基底层(2)；接着对n－AlGaN基底层(2)用熔融KOH工艺进行腐蚀，在该n－AlGaN位错的表面露头处形成倒六棱锥形腐蚀坑(3)；接着在腐蚀后的n－AlGaN基底层上生长GaN薄层(4)，并在该GaN薄层上生长AlGaN薄层(5)，使倒六棱椎形腐蚀坑(3)的底部形成GaN量子点(6)；接着按设定的GaN薄层(4)的层数，在所有GaN薄层的倒六棱椎形腐蚀坑底部形成GaN量子点；最后在最上层的GaN薄层上生长p－AlGaN层。
gan 多层量子光电材料制作方法

[发明专利]增强型III-V族半导体元件与其制造方法-CN202111326765.0在审
发明人：邱显钦;王祥骏;邱昭玮;何焱腾 -专利权人：瑞砻科技股份有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种增强型III‑V族半导体元件及其制造方法，其包括：基板；形成于基板之上的缓冲层；形成于缓冲层的GaN的通道层；形成于通道层之上的AlGaN的阻障层；形成于阻障层之上的AlGaN的蚀刻停止层，其化学组成式为AlxGa(1‑x)N，其中0.4＝x＝0.7，且AlGaN的蚀刻停止层对应于源极与漏极区域的厚度小于AlGaN的蚀刻停止层对应于栅极区域的厚度；形成于所述AlGaN的蚀刻停止层的栅极区域的pGaN层；以及分别形成于所述AlGaN的蚀刻停止层的源极区域与漏极区域上的源极与漏极。
增强 iii 半导体元件与其制造方法

[发明专利]有效提高外量子效率的深紫外发光二极管及其制备方法-CN201210028309.2无效
发明人：康俊勇;高娜;黄凯;李书平;李金钗;杨旭 -专利权人：厦门大学
申请日： 2012-02-07 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：深紫外发光二极管设有衬底，在衬底上依次生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层，在p-GaN盖层上沉积铝膜层，在n-AlGaN层上设n型电极，在p-GaN盖层上设p型电极在衬底上生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层；采用ICP技术刻蚀出n型台面，并通过光刻、真空电子束蒸发沉积及快速热退火处理技术分别形成p型、n型的欧姆接触；在p-GaN盖层上沉积铝膜层；在n-AlGaN层上设n型电极，在p-GaN盖层上设p型电极。
有效提高量子效率深紫发光二极管及其制备方法

[发明专利]提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片及制备方法-CN202111555200.X在审
发明人：蒋媛媛;刘旺平 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：在硅衬底上层叠Ni子层与Ni‑AlN合金子层，由于Ni子层的密度较大，提高在Ni子层上生长得到的外延材料的质量。在Ni子层上的Ni‑AlN合金子层与Ni子层的连接效果较好，并且氮化镓材料在Ni‑AlN合金子层上的生长为异质成核再在晶核的基础上进行生长，异质成核的成核功低，掺杂有Al的AlGaN缓冲层与Ni‑AlN合金子层有同质材料，可以快速生长，同时AlGaN缓冲层中也存在异质成核的情况，可以促进AlGaN缓冲层的快速生长并保证AlGaN缓冲层的质量，有效提高最终得到的高电子迁移率晶体管的制备效率。
提高制备效率电子迁移率晶体管外延方法

[发明专利]深紫外LED制备方法-CN201910093849.0在审
发明人：华斌;何伟 -专利权人：苏州汉骅半导体有限公司
申请日： 2019-02-02 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请提出一种深紫外LED制备方法，包括：提供衬底，并在所述衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成间隔设置的掩膜层；在所述掩膜层之间的间隙生长n型AlGaN层，形成垂直分布的纳米柱阵列；在所述n型AlGaN层上依次生长量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层，形成从内到外依次为n型AlGaN层、量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层的核壳结构。本申请所提出的的深紫外LED制备方法，量子阱层相比于传统外延结构LED具有较大面积，可以提高发光面积，并且所述量子阱层大部分出光方向垂直于C面，不受量子限制斯塔克效应的影响，提高发光效率。
量子阱层深紫外LED 制备缓冲层掩膜层衬底出光方向垂直纳米柱阵列垂直分布发光效率核壳结构间隔设置量子限制外延结构生长申请发光

[发明专利]一维InGaN/AlGaN多量子阱型的紫外LED及其制备方法-CN201810776377.4有效
发明人：李国强 -专利权人：河源市众拓光电科技有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一维InGaN/AlGaN多量子阱型的紫外LED及其制备方法，紫外LED包括衬底、自下至上依次生长在衬底上的一维AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、GaN层、n‑GaN层、一维GaN/InGaN超晶格层、一维InGaN/AlGaN多量子阱层、电子阻挡层、p‑GaN层；所述一维AlN缓冲层、一维GaN/InGaN超晶格层及一维InGaN/AlGaN量子阱层均由一维材料生长而成。本发明充分利用一维材料相对于薄膜材料的优势，在特定层用一维材料代替薄膜材料，“过滤”量子阱前段产生的内应力，以降低量子阱层中的内应力与缺陷密度、提高量子阱层中电子与空穴的有效复合效率，从而提高紫外LED
ingan algan 多量子阱型紫外 led 及其制备方法

[发明专利]深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外发光二极管-CN202211455177.1在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外发光二极管，所述深紫外发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、成核层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；所述成核层包括依次层叠于所述缓冲层上的二维AlGaN成核准备层、Al纳米点层、AlGa纳米团簇成核点层和AlGaN成核层。
深紫发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]可变沟道AlGaN/GaN HEMT结构及制备方法-CN202210462372.0有效
发明人：郭宇锋;刘建华;姚佳飞;张珺;李曼;张茂林 -专利权人：南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种可变沟道AlGaN/GaN HEMT结构及制备方法，通过在衬底层上生长缓冲层；在缓冲层之上再生长多沟道层，即两层及以上的AlGaN/GaN异质结叠层；再对多沟道层进行选择性刻蚀，形成阶梯多沟道层；再在器件表面淀积介质钝化层，并进行化学物理抛光，形成阶梯钝化层和顶部钝化层；最后通过微纳加工工艺制备器件的金属电极，获得可变多沟道AlGaN/GaN HEMT结构。
可变沟道 algan gan hemt 结构制备方法

[发明专利]基于溅射AlN基板的混合极性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN201810946001.3在审
发明人：张雅超;张涛;任泽阳;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于溅射AlN基板的混合极性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法，所述制备方法包括：在衬底的预设部分溅射生长AlN基板；在衬底的其余部分和AlN基板上生长AlN成核层；在AlN成核层上生长混合极性GaN缓冲层；在混合极性GaN缓冲层上生长插入层；在插入层上生长混合极性AlGaN势垒层；在衬底的其余部分对应的AlGaN势垒层上蒸发欧姆金属，退火，然后在衬底的其余部分对应的GaN缓冲层上形成源极和漏极，同时在AlN基板对应的AlGaN势垒层上制备栅极，最终完成混合极性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的制备。通过这种制备方法，可以得到一种混合极性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，在有效减小源极、漏极欧姆接触电阻的基础上，抑制栅极下方材料漏电，从而大幅度提升器件性能。
混合极性制备高电子迁移率晶体管基板衬底生长溅射插入层成核层漏极源极欧姆接触电阻退火欧姆金属提升器件下方材料漏电减小预设蒸发

[发明专利]基于溅射AlN基板的混合极性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN201910054769.4有效
发明人：张雅超;马晓华;张涛;任泽阳;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于溅射AlN基板的混合极性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法，所述制备方法包括：在衬底的预设部分溅射生长AlN基板；在衬底的其余部分和AlN基板上生长AlN成核层；在AlN成核层上生长混合极性GaN缓冲层；在混合极性GaN缓冲层上生长插入层；在插入层上生长混合极性AlGaN势垒层；在衬底的其余部分对应的AlGaN势垒层上蒸发欧姆金属，退火，然后在衬底的其余部分对应的GaN缓冲层上形成源极和漏极，同时在AlN基板对应的AlGaN势垒层上制备栅极，最终完成混合极性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的制备。通过这种制备方法，可以得到一种混合极性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，在有效减小源极、漏极欧姆接触电阻的基础上，抑制栅极下方材料漏电，从而大幅度提升器件性能。
基于溅射 aln 混合极性 algan gan 电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]一种可增加LED反向阻抗的LED外延结构及其制备方法-CN201510061080.6有效
发明人：冯美鑫;蔡金;孔静;南琦;王辉;王怀兵 -专利权人：苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种增加LED反向阻抗的LED结构及制作方法，包括如下步骤衬底，在氢气气氛下高温预处理，在衬底表面依次生长缓冲层，非掺GaN层，n型GaN层，多量子有源层，p型GaN层和p型接触层；所述的多量子阱有源层由至少两段多量子阱有源层构成，多量子阱有源层段与段中间插入低温的非掺GaN或AlGaN层，本发明经过多量子阱有源层中插入的非掺GaN或AlGaN可有效地增加LED的反向阻抗，降低LED的反向漏电，增加LED的可靠性。
一种可增加 led 反向阻抗外延结构及其制备方法

[发明专利]一种2D GaS/AlGaN II型异质结自驱动紫外光探测器及其制备方法与应用-CN202210860915.4在审
发明人：李国强;林正梁;王文樑;吴青;唐鑫 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种2D GaS/AlGaN II型异质结自驱动紫外光探测器及其制备方法与应用。该紫外光探测器由下至上依次包括Si衬底层、AlN/AlGaN缓冲层、GaN缓冲层、AlGaN层；AlGaN层上有SiO2窗口层、2DGaS层、第一金属电极；2DGaS层上有第二金属电极。本发明通过在AlGaN层上引入2DGaS层，利用2DGaS材料禁带宽度为3.05eV及其天然p型的特点，能够与AlGaN层实现II型异质结结构，在界面上形成内建电场，实现自驱动，完成光生载流子的有效分离和传输
一种 gas algan ii 型异质结驱动紫外光探测器及其制备方法应用

[发明专利]一种深紫外发光二极管及其制备方法-CN201310268722.0无效
发明人：黄凯;陈雪;康俊勇;高娜;杨旭 -专利权人：厦门大学
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：深紫外发光二极管设有衬底，在衬底上依次生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层，在p-GaN盖层上沉积铝纳米颗粒阵列，在n-AlGaN层上设有n型电极，在p-GaN盖层上设有在衬底上依次生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层；采用ICP技术刻蚀出n型台面，并通过光刻、真空电子束蒸发沉积及快速热退火处理技术分别形成p型、n型的欧姆接触；在p-GaN盖层上沉积铝纳米颗粒阵列；在n-AlGaN层上设n型电极，在p-GaN盖层上设p型电极。
一种深紫发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种基于离子注入的GaN功率器件及其制造方法-CN201710483029.3在审
发明人：任远;陈志涛;刘晓燕;刘宁炀;刘久澄;李叶林 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一种基于离子注入的GaN功率器件及其制造方法，包括由下往上依次设置的GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上设置有源电极、栅电极和漏电极，其中所述源电极和漏电极均为欧姆接触，所述栅电极为肖特基接触，且各电极之间覆盖有与AlGaN势垒层相连接的钝化层，所述AlGaN势垒层与GaN沟道层为异质结构且在两者的界面处由于极化效应而形成有作为GaN功率器件横向工作导电沟道的二维电子气，所述GaN缓冲层中由GaN缓冲层的底面通过离子注入形成有离子隔离区，所述离子隔离区位于GaN缓冲层的上部并与GaN沟道层相连接，且所述GaN缓冲层中设置了离子隔离区后而在GaN缓冲层的底面键合有高导热衬底本发明由于采用在GaN缓冲层中通过离子注入形成有隔离区，将GaN沟道与GaN缓冲层隔离开，从而减少了器件漏电流并提高击穿电压。
一种基于离子注入 gan 功率器件及其制造方法

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