专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]GaN基器件欧姆接触的制备方法-CN202111627763.5在审
  • 何元浩 - 华润微电子(重庆)有限公司
  • 2021-12-28 - 2023-06-30 - H01L21/28
  • 本发明提供一种GaN基器件欧姆接触的制备方法,包括:提于衬底上形成GaN基外延结构;于GaN基外延结构上形成绝缘层,并进行图形化;于绝缘层上沉积金属层;于金属层上形成光阻层,并进行图形化;采用干法刻蚀工艺去除未被光阻层遮挡的金属层,剩余金属层形成为欧姆接触金属;去除光阻层;采用低功率干法刻蚀处理金属表面,去除欧姆接触金属预设厚度,其中,采用的参数为:采用含氯气体;偏压功率介于0W~25W之间,不包括0W;源功率介于400W~750W之间;对欧姆接触金属进行退火工艺,形成欧姆接触。通过在干法刻蚀形成欧姆接触金属后对该欧姆接触金属采用低功率干法刻蚀处理金属表面,有效提高欧姆接触金属的纯度,进而在退火后提高形成的欧姆接触的电性能。
  • gan器件欧姆接触制备方法
  • [发明专利]氮化镓基器件的欧姆接触及其制备方法-CN200810212053.4无效
  • 董志华;王金延;郝一龙;文正;王阳元 - 北京大学
  • 2008-09-16 - 2009-02-18 - H01L29/41
  • 本发明公开了一种氮化镓基器件的欧姆接触及其制备方法,属于半导体技术领域。该氮化镓基器件的欧姆接触,由钛金属层、铝金属层、阻挡金属层和金金属层组成,与氮化镓基器件欧姆接触的是钛金属层,钛金属层上覆盖铝金属层,在钛金属层和铝金属层上依次覆盖阻挡金属层和金金属层,其中,钛金属层和铝金属层重叠排列与传统欧姆接触结构相比,本发明基于多层Ti/Al结构的欧姆接触能够兼顾低比欧姆接触率,且具有好的表面形貌和高可靠性,能够提高欧姆接触的综合性能。对于实现高性能、高可靠性的氮化镓基器件具有重要意义。
  • 氮化器件欧姆接触及其制备方法
  • [实用新型]一种Mini LED芯片-CN202122403609.1有效
  • 吴永胜;郑高林;张帆 - 福建兆元光电有限公司
  • 2021-09-30 - 2022-03-15 - H01L33/38
  • 本实用新型公开了一种Mini LED芯片,在GaN基底在上表面的一侧依次设置有P型欧姆接触金属层、P型欧姆接触研磨截止层和P型焊接金属层,GaN基底在上表面的另一侧依次设置有N型欧姆接触金属层、N型欧姆接触研磨截止层和N型焊接金属层,使用研磨截止层能够保护欧姆接触金属层;P型欧姆接触研磨截止层靠近P型焊接金属层的一侧和N型欧姆接触研磨截止层靠近N型焊接金属层的一侧均具有平坦化表面,因此由于欧姆接触研磨截止层的表面是平整的,焊接金属层能与欧姆接触层形成良好的电接触,固晶时能够尽可能地减少空洞率,从而增强了芯片固晶的强度。
  • 一种miniled芯片
  • [发明专利]用于多通道FET的欧姆接触-CN202180060518.2在审
  • 篠原启介;凯西·金;埃里克·里甘 - 特励达科学与成像有限责任公司
  • 2021-04-28 - 2023-05-23 - H01L29/778
  • 一种用于多通道(20)FET(14)的欧姆接触(10、12),包括多个狭缝形凹槽(16),狭缝形凹槽(16)在多通道FET所在的晶圆(18)中,其中每一个凹槽的深度至少等于最低通道层的深度。在每一个凹槽的侧壁(40、42)中和侧壁(40、42)上的欧姆金属(22)向多个通道层中的每一个提供欧姆接触。可以提供与每一个凹槽的外边缘邻接的欧姆金属填充的线性连接凹槽,以及在晶圆的顶表面上的欧姆金属接触层,欧姆金属接触层在每一个凹槽中的欧姆金属上方并与欧姆金属接触。本欧姆接触通常用作多通道FET的源极和/或漏极接触。还描述了使用再生长材料与多个通道进行欧姆接触,其中再生长材料优选地具有波纹结构。
  • 用于通道fet欧姆接触
  • [发明专利]一种半导体器件及其的阴极结构-CN202110519068.0在审
  • 洪志苍;饶睿恩 - 常州纵慧芯光半导体科技有限公司
  • 2021-05-12 - 2022-11-15 - H01S5/042
  • 本发明公开了一种半导体器件及其的阴极结构,该阴极结构包括形成在衬底下表面的欧姆接触层,阻隔金属层和表面金属层;所述欧姆接触层包括n个第一半导体接触金属层和n个第二半导体接触金属层,所述第一半导体接触金属层与所述第二半导体接触金属层交替设置,其中,1n≤10,n为正整数;所述欧姆接触层用于与所述衬底形成欧姆接触,所述阻隔金属层用于阻隔所述表面金属层中的金属粒子扩散至所述欧姆接触层中,所述表面金属层用于连接外部电极,该种阴极结构使得阴极结构与衬底形成欧姆接触时可提升界面金属融合,以减小欧姆接触效应形成的过程中对器件自身的性能与可靠性的影响。
  • 一种半导体器件及其阴极结构
  • [发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置-CN201710131890.3有效
  • 张慧;林允植;严允晟 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2017-03-07 - 2020-03-31 - H01L29/417
  • 本申请实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置,用以使得有源层与薄膜晶体管中的源极金属层和漏极金属层通过欧姆接触层连接,从而降低有源层与源极金属层和漏极金属层之间的欧姆接触电阻,提高薄膜晶体管中有源层与源极金属层和漏极金属层之间的欧姆接触效果本申请实施例提供的一种薄膜晶体管,包括:源极金属层,在源极金属层之上的第一绝缘层,在第一绝缘层之上的漏极金属层;有源层和欧姆接触层,有源层通过欧姆接触层与源极金属层和漏极金属层相连;欧姆接触层包括第一欧姆接触层和第二欧姆接触层,第一欧姆接触层包括位于第一绝缘层两侧第一部分区域和第二部分区域。
  • 一种薄膜晶体管及其制备方法阵列显示装置
  • [实用新型]欧姆接触结构-CN202222227433.3有效
  • 陈玉成;高涛;曾广锋 - 东莞先导先进科技有限公司
  • 2022-08-23 - 2023-04-07 - H10N10/817
  • 本实用新型涉及半导体技术领域,公开了一种欧姆接触结构,包括半导体材料层、粘附金属层、欧姆接触金属层和扩散阻挡金属层,所述半导体材料层具有第一端面,所述第一端面开设有多个凹槽;所述粘附金属层设置于所述第一端面;所述欧姆接触金属层设置于所述粘附金属层;所述扩散阻挡金属层设置于所述欧姆接触金属层。本实用新型结构简单紧凑,提高半导体材料层和欧姆接触金属层之间的粘合力,保证半导体器件的寿命。
  • 欧姆接触结构
  • [发明专利]氮化镓半导体器件及其制备方法-CN202011265890.0在审
  • 张安邦;李浩;郑浩宁;陈亮 - 英诺赛科(珠海)科技有限公司
  • 2020-11-13 - 2021-01-22 - H01L29/778
  • 本发明提供一种氮化镓半导体器件及其制备方法,氮化镓半导体器件包括氮化镓外延片及其上方的源极、栅极、漏极,还包括依次形成在氮化镓外延片上的第一介质层、欧姆金属层、第二介质层、第三介质层和栅极金属接触部;欧姆金属层包括源极欧姆接触部和漏极欧姆接触部,源极依次穿过第三介质层和第二介质层后与源极欧姆接触部连接,漏极依次穿过第三介质层和第二介质层后与漏极欧姆接触部连接,栅极与栅极金属接触部连接;氮化镓外延片包括势垒层和帽层,源极欧姆接触部和漏极欧姆接触部均向下延伸至势垒层,栅极金属接触部向下延伸至帽层。该氮化镓半导体器件在栅极金属刻蚀过程中欧姆金属能够得到额外保护,从而降低栅极金属刻蚀工艺难度。
  • 氮化半导体器件及其制备方法
  • [实用新型]氮化镓半导体器件-CN202022638462.X有效
  • 张安邦;李浩;郑浩宁;陈亮 - 英诺赛科(珠海)科技有限公司
  • 2020-11-13 - 2021-07-16 - H01L29/778
  • 本实用新型提供一种氮化镓半导体器件,氮化镓半导体器件包括氮化镓外延片及其上方的源极、栅极、漏极,还包括依次形成在氮化镓外延片上的第一介质层、欧姆金属层、第二介质层、第三介质层和栅极金属接触部;欧姆金属层包括源极欧姆接触部和漏极欧姆接触部,源极依次穿过第三介质层和第二介质层后与源极欧姆接触部连接,漏极依次穿过第三介质层和第二介质层后与漏极欧姆接触部连接,栅极与栅极金属接触部连接;氮化镓外延片包括势垒层和帽层,源极欧姆接触部和漏极欧姆接触部均向下延伸至势垒层,栅极金属接触部向下延伸至帽层。该氮化镓半导体器件在栅极金属刻蚀过程中欧姆金属能够得到额外保护,从而降低栅极金属刻蚀工艺难度。
  • 氮化半导体器件

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