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[发明专利]增强型III-V族半导体元件与其制造方法-CN202111326765.0在审
发明人：邱显钦;王祥骏;邱昭玮;何焱腾 -专利权人：瑞砻科技股份有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种增强型III‑V族半导体元件及其制造方法，其包括：基板；形成于基板之上的缓冲层；形成于缓冲层的GaN的通道层；形成于通道层之上的AlGaN的阻障层；形成于阻障层之上的AlGaN的蚀刻停止层，其化学组成式为AlxGa(1‑x)N，其中0.4＝x＝0.7，且AlGaN的蚀刻停止层对应于源极与漏极区域的厚度小于AlGaN的蚀刻停止层对应于栅极区域的厚度；形成于所述AlGaN的蚀刻停止层的栅极区域的pGaN层；以及分别形成于所述AlGaN的蚀刻停止层的源极区域与漏极区域上的源极与漏极。本发明实施例提供了增强型III‑V族半导体元件具有良好晶格匹配、高元件崩溃电压且动态电阻晶体管特性佳等优点。
增强 iii 半导体元件与其制造方法

[发明专利]一种氮化镓增强型器件的制造方法-CN202011425598.0有效
发明人： 王祥骏;彭立仪;邱昭玮;邱显钦;敖金平 -专利权人：宁波铼微半导体有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化镓增强型器件的制造方法，其采用干刻蚀和湿刻蚀结合的复合式刻蚀技术，对AlGaN/GaN屏蔽层表面的破坏性较低，且能够在刻蚀接近AlGaN/GaN屏蔽层时精准停止。该方法原理是在p‑GaN层下方设置AlN刻蚀停止层，然后配合复合式刻蚀进行p‑GaN层去除。由于AlN刻蚀停止层在氧化处理时，表层材料被氧化形成Al2O3提升了刻蚀选择比，可以改善刻蚀均匀性，进一步提升器件稳定性。另外复合式刻蚀技术相对传统干刻蚀，可以有效降低氮化镓增强型器件的表面粗糙度与去除表面损伤，提升器件开启电阻与崩溃电压特性。
一种氮化增强器件制造方法

[发明专利]氮化镓增强型器件及其制造方法-CN202011272874.4有效
发明人： 王祥骏;彭立仪;邱昭玮;邱显钦;敖金平 -专利权人：宁波铼微半导体有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请涉及一种氮化镓增强型器件及其制造方法包括衬底、成核缓冲层、氮化镓沟道层、超薄铝镓氮势垒层、氮化镓帽层、再次生长层、氮化硅绝缘层、漏极、源极和栅极；通过刻蚀工艺去掉氮化镓帽层的第一部分、并使用金属有机化学气相沉积生长铝镓氮再次生长层；在氮化镓帽层的第二部分和铝镓氮再次生长层通过低压化学气相沉积含高比例硅基的氮化硅绝缘层。通过低压化学气相沉积系统生长的高比例硅基的氮化硅绝缘层，以吸收天然铝镓氮势垒层表面上的氧原子，从而减少氮化硅/铝镓氮界面之间的氧污染区域，并通过铝镓氮再次生长层来降低导通电阻。
氮化增强器件及其制造方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管-CN201811098772.8有效
发明人：邱显钦;童建凯;林恒光;杨治琟;王祥骏 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管，包含：一基板；一外延叠层位于基板上，包含第一区域及环绕第一区域的第二区域；一阵列电极结构位于第一区域；以及多个第一电桥电连接至多个第二电极。阵列电极结构包含：多个第一电极位于外延叠层上，及多个第二电极位于外延叠层上并相邻于多个第一电极。多个第一电桥其中之一位于两个第二电极之间并横跨多个第一电极其中之一。
电子迁移率晶体管

[发明专利]信号处理模块、氮化镓三倍频电路及电路的设计方法-CN202011490168.7在审
发明人：林佳汉;王祥骏;游家豪;邱显钦;敖金平 -专利权人：宁波铼微半导体有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H03B19/14 文献下载
摘要：本发明涉及氮化镓高载子迁移率晶体管技术领域，具体涉及一种信号处理模块、氮化镓三倍频电路及电路的设计方法，氮化镓三倍频电路包括输入组件、输出组件，以及，氮化镓半导体器件，输入组件与氮化镓半导体器件的输入端相连，输出组件与氮化镓半导体器件的输出端相连，其中，输入组件和输出组件均包括双带阻滤波，能够有效避免微波与毫米波频段时相位噪声不良，增强输出功率。
信号处理模块氮化倍频电路设计方法

[发明专利]宽带功率放大器及其构造方法-CN202011485962.2在审
发明人：游家豪;王祥骏;林佳汉;邱显钦;敖金平 -专利权人：宁波铼微半导体有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H03F3/213 文献下载
摘要：本发明涉及氮化镓高载子迁移率晶体管技术领域，具体涉及一种宽带功率放大器及其构造方法，宽带功率放大器的米勒达灵顿电路包括第一和第二氮化镓半导体开关，迭接电路包括第三和第四氮化镓半导体开关；第一氮化镓半导体开关的第二端与第三氮化镓半导体开关的第二端相连，第一氮化镓半导体开关的第三端同时与第二氮化镓半导体开关的第一端、第二氮化镓半导体开关的第二端相连；第三氮化镓半导体开关的第三端与第四氮化镓半导体开关的第二端相连；第四氮化镓半导体开关的第一端与第一氮化镓半导体开关的第三端相连。迭接电路能够提高系统稳定性、高频小信号增益以及最大输出功率，此外第三氮化镓半导体开关可提供适当的输出阻抗以提升整体效率。
宽带功率放大器及其构造方法

[发明专利]一种低导通电压氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法-CN202011581229.0在审
发明人： 王祥骏;彭立仪;邱昭玮;邱显钦;敖金平 -专利权人：宁波铼微半导体有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种低导通电压氮化镓肖特基势垒二极管，其中的阳极包括欧姆接触金属A、p型GaN层和二极管阳极电极，阴极为欧姆接触金属B，在欧姆接触金属A和欧姆接触金属B下方的AlGaN势垒层内形成金属扩散区。当施加正偏压于阳极时，p型GaN层和欧姆接触金属A为等电位，p型栅极区马上开启，电流藉由欧姆接触金属A流向欧姆接触金属B，欧姆接触金属A即可降低导通的电压；在反向电压下，电子导通通道关闭，二极管导通截止。此外p‑n接口的空乏区可以增强栅极空乏电子的能力，藉以降低漏电流并提升二极管的崩溃电压。
一种通电氮化肖特基势垒二极管及其制造方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管-CN201410414271.1有效
发明人：邱显钦;童建凯;林恒光;杨治琟;王祥骏 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管，包含：一基板；一外延叠层位于基板上，包含第一区域及环绕第一区域的第二区域；一阵列电极结构位于第一区域；以及多个第一电桥电连接至多个第二电极。阵列电极结构包含：多个第一电极位于外延叠层上，及多个第二电极位于外延叠层上并相邻于多个第一电极。多个第一电桥其中之一位于两个第二电极之间并横跨多个第一电极其中之一。
电子迁移率晶体管

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