|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 1540个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]一种集成式LED芯片结构及制作方法-CN202311211984.3在审
-
陈波
-
昆山麦沄显示技术有限公司
-
2023-09-20
-
2023-10-27
-
H01L33/06
- 本申请公开了一种集成式LED芯片结构及制作方法，包括生长衬底；位于所述生长衬底之上设有外延结构，其外延结构从下至上依次包括负极性层、量子阱发光层和正极性层；位于所述外延结构的正极性层之上设有透明导电层；位于所述透明导电层、外延结构的负极性层和生长衬底之上设有第一绝缘层；以及依次设置的第一扩展电极、反射绝缘层、第二扩展电极、有Micro LED芯片、第二绝缘层和焊线电极；本申请通过对芯片结构的重新设计和布局以及提供相应的制作工艺、方法，很好的解决了现有技术中像素点占用面积大，影响显示效果的问题，同时简化了制作工艺，解决了芯片隔离问题，提升了产品的可靠性，提高了生产效率，满足了企业生产需求，提升了企业竞争力。
- 一种集成led芯片结构制作方法
- [发明专利]发光二极管-CN202310857688.4在审
-
林文禹;叶孟欣;罗云明;曾建尧;张中英
-
厦门三安光电有限公司
-
2018-05-18
-
2023-10-17
-
H01L33/06
- 本发明提供一种发光二极管外延片，其包括N型导通层、多量子阱和P型导通层，多量子阱的至少两个周期结构中每一个周期堆叠顺序为第一子层、第二子层和第三子层，第一子层为势阱，所述第二子层为势垒，并且所述第一子层的能级带隙Eg1、第二子层的能级带隙Eg2和第三子层的能级带隙Eg3的关系为Eg1Eg2Eg3。额外势垒能提供更好的局限效果，在元件操作时，处于外加偏压情形下所造成的能带倾斜，产生一高带隙势垒的凸出(potential barrier spike),藉由此一特殊能带差异设计，更能防止载流子溢流，增加辐射复合效率，提升亮度。
- 发光二极管
- [发明专利]发光二极管元件-CN202180094583.7在审
-
三嶋飞鸟;饭田大辅
-
浜松光子学株式会社
-
2021-11-11
-
2023-10-13
-
H01L33/06
- 本发明的发光二极管元件(1)具备：半导体基板(10)，其具有第1面(10a)、和第1面(10a)的相反侧的第2面(10b)；半导体层叠部(20)，其形成于半导体基板(10)的第1面(10a)上；第1电极(51)，其与半导体层叠部(20)的半导体基板(10)侧的一部分连接；以及第2电极(52)，其与半导体层叠部(20)的半导体基板(10)的相反侧的一部分连接，半导体层叠部(20)包括：n型半导体层(20A)；活性层(25)，其具有p型的导电型，层叠于n型半导体层(20A)；以及p型半导体层(20B)，其在与n型半导体层(20A)的相反侧，层叠于活性层(25)，活性层具有包含AlInAs的势垒层和包括InAsSb的阱层交替地层叠而构成的多量子阱结构，势垒层的晶格常数小于n型半导体层(20A)的晶格常数，阱层的晶格常数大于n型半导体层(20A)的晶格常数。
- 发光二极管元件
|
