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[发明专利]一种非极性紫外LED及其制备方法-CN201810233112.X在审
发明人：王文樑;李国强;郑昱林;阳志超 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种非极性紫外LED及其制备方法，该非极性紫外LED自下而上依次包括r面蓝宝石衬底、生长在r面蓝宝石衬底上的低温AlGaN缓冲层、高温AlGaN缓冲层、非掺杂AlGaN层、n型掺杂AlGaN层、AlGaN/AlGaN超晶格层、AlGaN/AlGaN多量子阱有源区、非掺杂AlGaN盖帽层、低温p型掺杂AlGaN层、p型掺杂AlGaN层和p型重掺杂AlGaN层。
紫外LED 非极性非掺杂衬底制备高温AlGaN缓冲层多量子阱有源区超晶格层发光波长盖帽层缓冲层生长

[发明专利]AlInGaN基紫外LED外延结构及其制造方法-CN201610898680.2在审
发明人：陈立人;陈伟;刘恒山 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种AlInGaN基紫外LED外延结构及其制造方法，LED外延结构依次包括：衬底；高温u‑AlGaN层；位于高温u‑AlGaN层上的高温n‑AlGaN层；位于高温n‑AlGaN层上的n‑AlGaN粗化层；位于n‑AlGaN粗化层上的低温AlInGaN/AlGaN超晶格层，低温AlInGaN/AlGaN超晶格层包括层叠设置的低温AlInGaN层和低温AlGaN层；位于低温AlInGaN/AlGaN超晶格层上的高温p‑AlGaN电子阻挡层；位于高温p‑AlGaN电子阻挡层上的高温p‑AlGaN披覆层；位于高温p‑AlGaN披覆层上的高温p‑GaN接触层；其中，衬底与高温u‑AlGaN层之间设置SiO2本发明采用n型AlGaN粗化层，后续外延层延续此粗化表面生长，从而打断连续的二维平面生长，使发光区所产生的光得以从侧面输出，避免光于平面内多次反射最终被吸收损耗。
alingan 紫外 led 外延结构及其制造方法

[发明专利]AlGaN/GaN HEMT中的AlGaN势垒层及其生长方法-CN201911391763.2在审
发明人：付羿;周名兵 -专利权人：晶能光电（江西）有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种AlGaN/GaN HEMT中的AlGaN势垒层及其生长方法，其中，AlGaN/GaN HEMT中的AlGaN势垒层包括：非掺杂的第一AlGaN层、周期性硅掺杂的第二AlGaN层及非掺杂的第三AlGaN层；第二AlGaN层由多周期的非掺杂AlGaN层和硅掺杂AlGaN层组成。该AlGaN势垒层能够提高二维电子气面密度的同时，有效避免SiH4掺杂引起的晶格缺陷和Al组分偏析，保证二维电子气迁移率和HEMT器件的可靠性。
algan gan hemt 中的势垒层及其生长方法

[发明专利]制备高发光效率AlGaN纳米柱LED结构的方法-CN202210651918.7在审
发明人：刘斌;张东祺;陶涛;邵鹏飞;张荣 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备高发光效率AlGaN纳米柱LED结构的方法，在常规衬底上生长n型GaN纳米柱及n型AlGaN纳米柱，再生长非掺“AlGaN阱‑AlGaN垒”量子阱结构，最后生长p型AlGaN纳米柱。通过优化获得高质量的n型掺杂GaN纳米柱，在GaN纳米柱上生长n型掺杂AlGaN纳米柱，非掺AlGaN量子阱结构作为载流子复合有源区，最后再次生长p型掺杂AlGaN纳米柱。本发明在生长量子阱结构之前生长一段时间AlGaN纳米柱，在AlGaN纳米柱上外延量子阱结构，从而获得高质量的AlGaN量子阱。避免直接在GaN纳米柱外延AlGaN量子阱，可减少由于GaN/AlGaN之间应力导致的发光质量下降问题。
制备发光效率 algan 纳米 led 结构方法

[发明专利]应变超晶格隧道结紫外LED外延结构及其制备方法-CN201310193364.1有效
发明人：云峰;王越;黄亚平;田振寰;王宏 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2013-05-22 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种应变超晶格隧道结紫外LED外延结构及其制备方法，外延结构自上而下为：外延生长衬底，AlN缓冲层、n型AlGaN层、多层量子阱、电子阻挡层、应变超晶格、n型简并掺杂AlGaN层、n型Si掺杂AlGaN层；应变超晶格包括p型AlGaN层及AlyGa1-yN/AlxGa1-xN。AlGaN的能带在极化电场的作用下整体向低能量方向移动，超晶格结构再与重掺杂的n型AlGaN接触后形成p-AlGaN/SSL/n*-AlGaN隧道结，p型AlGaN价带中的电子在外电场的作用下，通过隧道效应隧穿到n型AlGaN一侧，在p型AlGaN形成空穴。表层材料由p型AlGaN变为n-AlGaN，避免了p型欧姆接触的问题。
应变晶格隧道紫外 led 外延结构及其制备方法

[实用新型]一种非极性紫外LED-CN201820383010.1有效
发明人：王文樑;李国强;郑昱林;阳志超 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种非极性紫外LED，该非极性紫外LED自下而上依次包括r面蓝宝石衬底、生长在r面蓝宝石衬底上的低温AlGaN缓冲层、高温AlGaN缓冲层、非掺杂AlGaN层、n型掺杂AlGaN层、AlGaN/AlGaN超晶格层、AlGaN/AlGaN多量子阱有源区、非掺杂AlGaN盖帽层、低温p型掺杂AlGaN层、p型掺杂AlGaN层和p型重掺杂AlGaN层。本实用新型的非极性紫外LED使用AlGaN材料作为器件基础材料，不仅能有效调控LED发光波长，更有效利用了非极性III族氮化物发光器件具有的光偏振特性，在紫外光区间的如半导体激光器、紫外探测器等氮化物元件中具备极大的应用前景
非极性紫外LED 本实用新型非掺杂衬底高温AlGaN缓冲层多量子阱有源区半导体激光器光偏振特性紫外探测器超晶格层基础材料有效调控紫外光氮化物盖帽层缓冲层波长生长应用

[发明专利]Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法-CN202011549420.7在审
发明人：高芳亮;杨金铭 -专利权人：深圳市昂德环球科技有限公司;惠州市三航无人机技术研究院
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法，所述Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片包括：生长在Si衬底上的低温AlN层、生长在所述低温AlN层上的高温AlN层、生长在所述高温AlN层上的第一AlGaN层、生长在所述第一AlGaN层上的第二AlGaN层、生长在所述第二AlGaN层上的n型掺杂AlGaN层、生长在所述n型掺杂AlGaN层上的AlGaN多量子阱层、生长在所述AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层、生长在所述电子阻挡层上的Al组分分段渐变p型掺杂AlGaN层、生长在所述Al组分分段渐变p型掺杂AlGaN层上的p型掺杂GaN层。
si 衬底 algan 深紫 led 外延制备方法

[实用新型]Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片-CN202023157209.9有效
发明人：高芳亮;杨金铭 -专利权人：深圳市昂德环球科技有限公司;惠州市三航无人机技术研究院
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片，所述Si衬底的AlGaN基深紫外LED外延片包括：生长在Si衬底上的低温AlN层、生长在所述低温AlN层上的高温AlN层、生长在所述高温AlN层上的第一AlGaN层、生长在所述第一AlGaN层上的第二AlGaN层、生长在所述第二AlGaN层上的n型掺杂AlGaN层、生长在所述n型掺杂AlGaN层上的AlGaN多量子阱层、生长在所述AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层、生长在所述电子阻挡层上的Al组分分段渐变p型掺杂AlGaN层、生长在所述Al组分分段渐变p型掺杂AlGaN层上的p型掺杂GaN层。
si 衬底 algan 深紫 led 外延

[发明专利]用于AlGaN光电器件的多量子阱结构及制备方法-CN201610222440.0在审
发明人：刘雅丽;金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-04-12 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种用于AlGaN光电器件的多量子阱结构及制备方法，该用于AlGaN光电器件的多量子阱结构包括：一衬底；一AlN缓冲层，其制作在衬底上；一AlN模板层，其制作在AlN缓冲层上；一AlGaN应力释放层，其制作在AlN模板层上；一N型AlGaN层，其制作在AlGaN应力释放层上；一AlGaN多量子阱层，其制作在N型AlGaN层上；一P型AlGaN/GaN层，其制作在AlGaN/AlGaN多量子阱层上。
用于 algan 光电器件多量结构制备方法

[发明专利]光电探测器-CN201810081234.1有效
发明人：张剑平;周瓴;高英 -专利权人：博尔博公司
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种紫外光电探测器包括：衬底，形成在衬底上的模板层，形成在模板层上的本征AlGaN层，并排地形成在本征AlGaN层上并由间隙隔开的第一N型AlGaN层和第二N型AlGaN层，其中间隙暴露本征AlGaN层另一种紫外光电探测器包括：紫外透明衬底，形成在紫外透明衬底上的紫外透明模板层，形成在紫外透明模板层上的第一紫外透明N型AlGaN层，形成在第一紫外透明N型AlGaN层上的本征AlGaN层，形成在本征AlGaN层上的第二N型AlGaN层，以及形成在第二N型AlGaN层上的P型层。
光电探测器

[发明专利]基于耗尽型AlGaN/GaNHEMT器件结构及其制作方法-CN201410025539.2有效
发明人：冯倩;杜锴;梁日泉;张春福;代波;张进城;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2014-01-20 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法，所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、绝缘层、钝化层和用于调节二维电子气浓度的硅化物AlGaN掺杂层位于本征AlGaN层之上，电极和绝缘层位于AlGaN层之上，硅化物位于绝缘层之上，块状硅化物会对下面的本征AlGaN层和AlGaN掺杂层产生压应力，硅化物之间产生张应力，通过使块间距小于块宽度，使本征AlGaN层和AlGaN掺杂层获得总体张应力，从而使沟道中电场得到增强。本发明可用于制备低导通电阻高工作频率的耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件。
基于耗尽 algan ganhemt 器件结构及其制作方法

[发明专利]一种具有自组装模板的AlGaN复合薄膜及其制备方法-CN202010830369.0有效
发明人：张骏;岳金顺;梁仁瓅 -专利权人：苏州紫灿科技有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有自组装模板的AlGaN复合薄膜及其制备方法，所述具有自组装模板的AlGaN薄膜由下至上依次设置有蓝宝石衬底、AlN低温缓冲层、高温AlN层、AlGaN自组装模板层和高温AlGaN薄膜层；所述AlGaN自组装模板层由紧贴设置的AlInGaN薄膜层和AlGaN低温层升温退火至In升华后制得，且升温退火前所述AlInGaN薄膜层位于靠近所述高温AlN层一侧，所述AlGaN低温层位于靠近所述高温AlGaN薄膜层一侧。本发明通过AlInGaN薄膜层和AlGaN低温层经升温退火至In升华后，形成具有图形化的AlGaN自组装模板层，该AlGaN自组装模板层可以有效过滤来源于高温AlN层的穿透位错，并释放生长过程中积累的热应力，从而显著提高AlGaN复合薄膜的质量并防止薄膜开裂。
一种具有组装模板 algan 复合薄膜及其制备方法

[发明专利]提高空穴量的紫外发光二极管外延片制备方法及外延片-CN202210220202.1在审
发明人：蒋媛媛;胡烨伟;许杨;李翠玲;从颖;李鹏 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：在有源层上周期性生长AlGaN复合层以得到P型AlGaN层，AlGaN复合层包括依次层叠的AlGaN三维子层、AlGaN覆盖子层与AlGaN处理子层。降低内部应力与缺陷。富含氮元素的AlGaN三维子层更容易掺入更多的Mg元素，提高空穴量。低氮环境Al原子与Ga原子的分布更为均匀，保证最终得到的AlGaN复合层的晶体质量。最终仅向反应腔仅通入氨气以生长AlGaN处理子层。保证最终得到的P型AlGaN层能够提供大量空穴的同时保证最终得到的P型AlGaN层的晶体质量。
提高空穴紫外发光二极管外延制备方法

[发明专利]一种具有孔洞愈合结构的AlGaN薄膜及其制备方法-CN202210921903.8有效
发明人：张骏;张毅;陈景文;岳金顺 -专利权人：武汉优炜芯科技有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有孔洞愈合结构的AlGaN薄膜及其制备方法，该具有孔洞愈合结构的AlGaN薄膜包括依次层叠设置的蓝宝石衬底、AlN成核层、AlN薄膜、AlGaN插入层、AlN插入层、AlGaN愈合层以及AlGaN薄膜；沿外延生长方向，AlGaN插入层至AlGaN愈合层中具有若干逐渐愈合的孔洞结构。本发明通过引入AlGaN插入层、AlN插入层、AlGaN愈合层，产生适宜尺寸的孔洞结构，并调控各膜层的生长温度、V/III比等工艺条件，使孔洞结构随着生长过程的进行逐渐愈合，而孔洞愈合结构能够使源自衬底的穿透位错弯曲而湮灭，有效避免了底层穿透位错对上层AlGaN薄膜的影响，进而提升了AlGaN薄膜的晶体质量。
一种具有孔洞愈合结构 algan 薄膜及其制备方法

[发明专利]一种紫外发光二极管及其制备方法-CN202310101285.7有效
发明人：舒俊;张彩霞;程金连;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外发光二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，该紫外发光二极管包括层叠设置于所述缓冲层上的多孔AlGaN层、第一AlGaN渐变层与第二AlGaN渐变层，所述多孔AlGaN层上设有应力释放孔，所述第一AlGaN渐变层为Al组分递减、Si掺杂浓度递增的渐变AlGaN材料，且填充所述多孔AlGaN层的所述应力释放孔，所述第二AlGaN渐变层为Al组分递增、Si掺杂浓度递减的渐变AlGaN材料，所述N电极层叠设于所述第一AlGaN渐变层远离所述多孔AlGaN层的一侧表面。
一种紫外发光二极管及其制备方法

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