专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910302873.0在审
  • 宋以斌;王彦;张海洋 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2019-04-16 - 2020-10-27 - H01L21/311
  • 一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:形成待刻蚀结构;在待刻蚀结构上形成底部材料和位于底部材料上的图形化的顶部;以顶部,进行多次沉积刻蚀步骤,刻蚀底部材料,形成底部;其中,沉积刻蚀步骤包括:进行沉积处理,在顶部表面沉积保护;在沉积处理之后,以顶部和保护对底部材料进行刻蚀处理;形成底部后,以顶部和底部刻蚀待刻蚀结构沉积处理中形成的保护在刻蚀处理中保护顶部,使得顶部不易被消耗,从而以顶部和底部刻蚀待刻蚀结构后,提高了目标图形结构的图形精度。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]存储电容器的制造方法-CN202210103068.7在审
  • 黄子伦 - 苏州聚谦半导体有限公司
  • 2022-01-27 - 2022-05-06 - H01L21/308
  • 本发明提供了一种存储电容器的制造方法,包括:提供半导体衬底;形成第一;刻蚀第一形成第一沟槽;形成位于第一沟槽的底部和侧壁,以及第一上方的第二,使得形成第二沟槽;去除第一上方的第二、第一、以及位于第二沟槽的底部的第二;依次形成第三、第四和第五;对第四和第五研磨减薄至暴露出第二;去除第二和第四,形成第三沟槽;以第三、第四、第五作为阻挡,刻蚀半导体衬底,于半导体衬底内形成第四沟槽;去除第三、第四和第五;形成介质和导电,该方法能够降低工艺复杂度和生产成本。
  • 存储电容器制造方法
  • [发明专利]存储器及其形成方法-CN201710149910.X有效
  • 郑二虎;张翼英;张海洋 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2017-03-14 - 2021-06-08 - H01L27/11524
  • 一种存储器及其形成方法,其中方法包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成初始浮栅电极、位于初始浮栅电极上的第一材料、位于第一材料上的第二材料、以及位于第二材料上若干相互分立的第三;以所述第三刻蚀第二材料以形成分立的第二,在刻蚀第二材料的过程中,在第三的顶部表面形成保护;以所述保护和第三刻蚀第一材料,使第一材料形成分立的第一;形成所述第一后,以所述第三刻蚀初始浮栅电极,使初始浮栅电极形成浮栅电极
  • 存储器及其形成方法
  • [发明专利]双重图形化方法-CN201010509399.8有效
  • 洪中山 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2010-10-14 - 2012-05-09 - H01L21/02
  • 一种双重图形化方法,包括:提供衬底,所述衬底上依次形成有第一与第二;各向异性刻蚀所述第一与第二,在所述第一与第二中形成第一开口,所述第一开口露出衬底表面;侧向部分刻蚀所述第二,形成第二图案,且所述第二图案暴露出位于第二图案两侧的第一;以第二图案为,刻蚀部分第一厚度直至保留第一厚度的第一;去除第二图案;在衬底表面形成第三,所述第三部分填充开口;以所述第三,刻蚀第一直至暴露出衬底。
  • 双重图形方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910359242.2有效
  • 宋以斌;张海洋 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2019-04-30 - 2023-09-15 - H01L21/308
  • 一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底上形成有分立的包括用于形成鳍部的鳍部和待去除的伪;在鳍部的顶部和侧壁上保形覆盖保护;在基底上形成具有通槽的图形,图形覆盖位于鳍部上的保护顶部,且通槽露出伪;以图形,去除通槽露出的伪;去除伪后,去除图形;去除图形后,以鳍部和保护刻蚀基底形成鳍部。在以图形,去除伪的过程中,保护能够保护鳍部不易被误刻蚀,增大了去除伪的工艺窗口,进而使得鳍部在后续形成鳍部的过程中能够起到的作用,进而能够优化半导体结构的性能。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体结构的制造方法-CN202110552988.2在审
  • 卢经文 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-05-20 - 2022-11-25 - H01L21/033
  • 本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法,包括:提供基底;在基底上形成第一和第二,第一沿第一方向延伸,第二沿第二方向延伸,第一与第二相交设置;对第一进行截断处理,以形成第一子;第二横跨多个第一子,且每一第一子的部分侧壁被第二覆盖;以第一子,采用第一刻蚀工艺刻蚀基底,以形成有源区;形成隔离结构,并去除未被第二所覆盖的第一子;去除部分第一子后,形成第三,且相邻第三与第二之间具有第一沟槽;沿第一沟槽刻蚀有源区和隔离结构,以形成字线沟槽。
  • 半导体结构制造方法
  • [发明专利]双重图形化方法-CN201010509168.7无效
  • 洪中山 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2010-10-14 - 2012-05-09 - H01L21/02
  • 一种双重图形化方法,包括:提供衬底,所述衬底上依次形成有第一与第二;各向异性刻蚀所述第一与第二,在所述第一与第二中形成第一开口,所述第一开口露出衬底表面;侧向部分刻蚀所述第二;在所述衬底上形成第三,所述第三覆盖第一,并使得第二露出;移除所述第二,在第三中形成第二开口,所述第二开口使得第一露出;以第三,各向异性刻蚀第二开口下方的第一直至露出衬底;移除所述第三
  • 双重图形方法
  • [发明专利]一种-CN201910281480.6有效
  • 杨凯;李如;熊腾青;乔永康;潘晟恺 - 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
  • 2019-04-09 - 2023-08-29 - G03F1/64
  • 本发明提供一种板,包括:和承载和承载相互叠置,用于成时形成成图形;承载用于承载;相同体积的承载的质量小于的质量。该板由于部分结构采用相同体积时质量小于板其他部分结构的材质,所以使得板的整体质量明显小于现有的板的质量,从而在板体积不变的情况下,降低了板的整体重量,进而降低了板的存储和传送难度,减轻了由于板过重所导致的传送效率低下以及板寿命降低的问题,提高了生产效率并提高了板的寿命。
  • 一种掩膜板
  • [发明专利]用以形成柱元件的多重图案化制程-CN201710770107.8有效
  • S·帕尔;G·洛布;A·克兰西 - 格芯(美国)集成电路科技有限公司
  • 2017-08-31 - 2021-06-29 - H01L21/033
  • 本发明涉及用以形成柱元件的多重图案化制程,其中,一种方法包括在处理上方形成硬堆叠。该堆叠包括第一、第二及第三硬。图案化该第三硬,以在其中定义第一元件并暴露该第二硬的部分。图案化该第二硬,以在其中定义位于该第一元件下方的第二元件,以及第三元件,且暴露该第一硬的部分。图案化该第一硬,以在其中定义位于该第二元件下方的第四元件、位于该第三元件下方的第五元件,以及第六元件,并暴露该处理的部分。蚀刻该处理,以移除未被该第一硬覆盖的该处理的部分。
  • 用以形成柱掩膜元件多重图案化制程
  • [发明专利]半导体结构的制造方法-CN202110553933.3在审
  • 卢经文 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-05-20 - 2022-11-22 - H01L21/8242
  • 本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法,包括:提供基底;在基底上形成第一和第二,第一沿第一方向延伸,第二沿第二方向延伸,且第一方向与第二方向不同,第一与第二相交设置;对第一进行截断处理,以形成第一子;第二横跨多个第一子,且每一第一子的部分侧壁被第二覆盖;以第一子,采用第一刻蚀工艺刻蚀基底,以形成有源区;形成位于相邻有源区之间的隔离结构,并去除未被第二所覆盖的第一子;去除部分第一子后,以第二刻蚀有源区和隔离结构,以形成字线沟槽。
  • 半导体结构制造方法

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